ETUDE ET CONCEPTION DES CIRCUITS DE TEST EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE GAAS PDF Download
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APRES UN RAPPEL DES PROPRIETES DES TRANSISTORS TBH, NOUS PRESENTONS D'UNE PART L'EVALUATION DES PERFORMANCES ET L'OPTIMISATION DE LA LOGIQUE CML-ECL, ET D'AUTRE PART LES REGLES DE DESSIN ET LA METHODOLOGIE D'IMPLANTATION QUI ONT ETE DEFINIES POUR LA REALISATION D'UN DIVISEUR PAR DEUX. NOUS PRESENTONS UNE BIBLIOTHEQUE DE CIRCUITS DEFINIE POUR EVALUER LES PERFORMANCES (VITESSE, PUISSANCE DISSIPEE, SURFACE) DE CIRCUITS MSI (DIVISEURS, MULTIPLEXEURS, DEMULTIPLEXEURS...). NOUS EVALUONS LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DES PORTES CML-ECL EN FONCTION DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES, POUR COMPARER LES PERFORMANCES PRESENTES ET L'EVOLUTION PREVISIBLE DES PERFORMANCES FUTURES DES TECHNOLOGIES BIPOLAIRES SILICIUM ET GAAS/GAALAS
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APRES UN RAPPEL DES PROPRIETES DES TRANSISTORS TBH, NOUS PRESENTONS D'UNE PART L'EVALUATION DES PERFORMANCES ET L'OPTIMISATION DE LA LOGIQUE CML-ECL, ET D'AUTRE PART LES REGLES DE DESSIN ET LA METHODOLOGIE D'IMPLANTATION QUI ONT ETE DEFINIES POUR LA REALISATION D'UN DIVISEUR PAR DEUX. NOUS PRESENTONS UNE BIBLIOTHEQUE DE CIRCUITS DEFINIE POUR EVALUER LES PERFORMANCES (VITESSE, PUISSANCE DISSIPEE, SURFACE) DE CIRCUITS MSI (DIVISEURS, MULTIPLEXEURS, DEMULTIPLEXEURS...). NOUS EVALUONS LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DES PORTES CML-ECL EN FONCTION DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES, POUR COMPARER LES PERFORMANCES PRESENTES ET L'EVOLUTION PREVISIBLE DES PERFORMANCES FUTURES DES TECHNOLOGIES BIPOLAIRES SILICIUM ET GAAS/GAALAS
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CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE ET LA REALISATION D'UN CIRCUIT INTEGRE BIPOLAIRE DE TYPE ECL SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE ETUDE THEORIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A DOUBLE HETEROJONCTION A MONTRE L'INFLUENCE DETERMINANTE DE LA JONCTION COLLECTEUR-BASE, NOTAMMENT DE SA GRADUALITE, SUR LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE. CES RESULTATS ONT PU ETRE CONFIRMES PAR UNE ANALYSE EXPERIMENTALE A PARTIR DE STRUCTURES REALISEES PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE. LA SIMULATION ET L'OPTIMISATION D'UN OSCILLATEUR EN ANNEAU A BASE DE SIMPLES HETEROTRANSISTORS ET METTANT EN OEUVRE LE LOGICIEL ASTEC III, ONT PERMIS DE CALCULER DES TEMPS DE PROPAGATION PAR PORTE DE 20 PS POUR UNE PUISSANCE CONSOMMEE DE 4 MW; CECI CONFIRME LES POTENTIALITES DE LA FILIERE LOGIQUE BIPOLAIRE SUR ASGA. ENFIN, UN OSCILLATEUR EN ANNEAU A 3 PORTES ECL A ETE CONCU ET REALISE PAR LES TECHNOLOGIES D'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE ET D'ATTAQUES MESAS, A PARTIR D'UN PROCESSUS NOUVEAU SUR SUBSTRAT SEMI-ISOLANT. LA FAISABILITE D'UN CIRCUIT INTEGRE BIPOLAIRE ASGA A AINSI ETE MONTREE
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CETTE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION AUTOALIGNES PLANAR A ETE MISE AU POINT. CE PROCEDE UTILISE LA CROISSANCE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR RAMENER EN SURFACE LES COUCHES ENTERREES DE CONTACTS DE BASE ET DE COLLECTEUR. L'INTERET DE LA PLANARISATION EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS HAUT DEBIT. PAR AILLEURS, LA REPRISE DE CROISSANCE DE LA ZONE EXTRINSEQUE DE BASE AVEC DU GAAS FORTEMENT DOPE CARBONE, PERMET DE DIMINUER LA RESISTANCE DE BASE ET PAR CONSEQUENT D'AUGMENTER LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DES TBH. EN RAISON DE L'UTILISATION DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES ET DE TRAITEMENTS THERMIQUES INTRINSEQUES AUX PROCEDES DE REPRISE DE CROISSANCE, LES COMPOSANTS PLANARISES PRESENTENT SYSTEMATIQUEMENT UNE DEGRADATION DU GAIN EN COURANT APRES REPRISE D'EPITAXIE. AFIN DE DETERMINER LES MECANISMES A L'ORIGINE DE CETTE DEGRADATION, NOUS AVONS EFFECTUE UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE LA STABILITE THERMIQUE DU GAAS:C CONSTITUANT LA COUCHE DE BASE DU TBH. DES TBH PLANARS DE 44 MICRONS DE JONCTION EMETEUR-BASE, AVEC DES GAINS EN COURANT DE 47 ET DES FREQUENCES DE COUPURES SUPERIEURES A 50 GHZ, ONT ETE OBTENUS A L'AIDE DE CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PLANAR
Author: Robert Perret Publisher: John Wiley & Sons ISBN: 1118623207 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 381
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This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
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CE MANUSCRIT EST CONSACRE A L'ETUDE D'UN CIRCUIT DE COMMANDE DE MODULATEUR ELECTRO-ABSORBANT (MEA) ET DE SON HYBRIDATION AVEC LE COMPOSANT ELECTRO-OPTIQUE POUR DES DEBITS ALLANT JUSQU'A 20 GBITS/S. POUR CETTE APPLICATION, NOUS AVONS UTILISE LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) SUR GAAS PUIS SUR INP, ET MIS EN PLACE UNE METHODOLOGIE QUI PREND EN COMPTE L'INTERDEPENDANCE ENTRE TOUTES LES ETAPES DE CONCEPTION. LA PREMIERE ETAPE DE NOTRE TRAVAIL NOUS A CONDUIT A MODELISER LE MEA ET LE TBH GAAS. POUR CE DERNIER, NOUS AVONS ETE AMENE A ETUDIER ET CARACTERISER LES EFFETS THERMIQUES. NOUS AVONS ENSUITE ETUDIE L'IMPACT DES PHENOMENES DE PROPAGATION ET DE COUPLAGE ENTRE LIGNES SUR LES PERFORMANCES DES CIRCUITS. NOUS AVONS PROPOSE PLUSIEURS SOLUTIONS, TANT POUR LES LIGNES DE TYPE SIGNAL QUE POUR CELLES DES ALIMENTATIONS. LA MISE EN BOITIER DE CIRCUITS RAPIDES LARGE BANDE ETANT UNE ETAPE CRITIQUE, NOUS AVONS ANALYSE PAR DES MESURES CHAQUE ELEMENT CONSTITUTIF. LES RESULTATS OBTENUS ONT ETE VALIDES PAR LA REALISATION D'UN BOITIER DE TEST DESTINE A DES CIRCUITS FONCTIONNANT A 20 GBITS/S. CES CONNAISSANCES NOUS ONT PERMIS DE DEFINIR AU MIEUX L'ARCHITECTURE DU CIRCUIT DRIVER ET DU CIRCUIT SELECTEUR DRIVER. POUR CES CIRCUITS, NOUS AVONS PRESENTE QUELQUES SOLUTIONS PERMETTANT DE LIMITER L'INFLUENCE DES FLUCTUATIONS TECHNOLOGIQUES SUR LES PERFORMANCES OBTENUES. L'ENSEMBLE DE CETTE ETUDE A ENFIN ETE VALIDE PAR LA REALISATION D'UN CIRCUIT SELECTEUR DRIVER, A BASE DE TBH INP, FOURNISSANT UNE AMPLITUDE DE 1,8 VOLTS A 20 GBITS/S. CE RESULTAT SE SITUE AU NIVEAU DE L'ETAT DE L'ART TOUTES TECHNOLOGIES CONFONDUES ET CONSTITUE, A NOTRE CONNAISSANCE, UN RECORD POUR LA TECHNOLOGIE TBH INP.
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CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS (TBH). LES TRAVAUX DEBUTENT PAR LA COMPARAISON DU TBH HAAS AVEC LE TRANSISTOR BIPOLAIRE SILICIUM ET LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP GAAS, POUR DES APPLICATIONS DE PUISSANCE. LES PROBLEMES DE STABILISATION EN TEMPERATURE, DE CLAQUAGE PAR AVALANCHE ET DE L'ADAPTATION DIFFICILE DES DISPOSITIFS DE PUISSANCE, ONT ETE ECLAIRCIS ET OPTIMISES EN TENANT COMPTE DES PROPRIETES SPECIFIQUES DU TBH ET DES POSSIBILITES TECHNOLOGIQUES DU LABORATOIRE DE BAGNEUX. PAR LA SUITE, DES MODELES ELECTRIQUES NONLINEAIRE ET THERMOELECTRIQUE DU TBH ONT ETE DEVELOPPES EN UTILISANT LES METHODES CLASSIQUES DE CARACTERISATIONS STATIQUES ET DYNAMIQUES PETIT SIGNAL, AINSI QUE LES BANCS DE MESURE FORT SIGNAL DU TYPE LOAD-PULL. PAR AILLEURS, L'OBTENTION D'UNE PUISSANCE ELEVEE ET D'UN HAUT RENDEMENT DEPEND NON SEULEMENT DU COMPOSANT UTILISE, MAIS AUSSI DU CHOIX D'UNE STRUCTURE D'AMPLIFICATEUR APPROPRIEE. UNE ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTES CLASSES D'AMPLIFICATEURS D'UNE PART ET L'ANALYSE DES DIFFERENTES POSSIBILITES D'ADAPTATION DES DISPOSITIFS DE PUISSANCE D'AUTRE PART ONT PERMIS DE DEGAGER DES ARCHITECTURES MIEUX ADAPTEES AU CAS DES TBH. LA MODELISATION ET LE TRAVAIL D'OPTIMISATION COMPLET DU COMPOSANT SE CONCRETISENT PAR LA CONCEPTION ET LA REALISATION DE DEUX AMPLIFICATEURS POUR DES APPLICATIONS EN TELECOMMUNICATIONS: UN AMPLIFICATEUR A HAUT RENDEMENT POUR LES RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES EN BANDE L, ET UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE
Author: ABDOL AMIR.. KAZEMINEJAD
Author: ABDOL AMIR.. KAZEMINEJAD
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