Author: Thierry DECAESTEKEPublisher:
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Languages : fr
Pages : 4
Book Description
Etude en vue de l'amélioration du rendement d'un amplificateur hyperfréquences de puissance à transistor à effet de champ en arséniure de gallium par contrôle des impédances harmoniques
Author: Thierry DECAESTEKELe Transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium en régime non linéaire d'amplification hyperfréquence de puissance
Author: Jean KamdemPublisher:
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Languages : fr
Pages : 176
Book Description
MISE AU POINT D'UN MODELE MATHEMATIQUE DU TRANSISTOR UTILISABLE EN REGIME DE GRANDS SIGNAUX. ELABORATION D'UNE METHODE THEORIQUE ET DE CARACTERISATION EXPERIMENTALE DU COMPOSANT, UTILISE EN TANT QU'ELEMENT AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE. ETUDE SUR LES PLANS THEORIQUE ET EXPERIMENTAL DES PROPRIETES DES IMPEDANCES QU'IL FAUT PLACER A L'ENTREE ET A LA SORTIE DU TRANSISTOR, POUR OBTENIR UN TRANSFERT OPTIMAL DE LA PUISSANCE VERS LA SORTIE, LORSQUE LA PUISSANCE INCIDENTE INJECTEE SUR LA GRILLE EST AUGMENTEE, ET UTILISATION DU MODELE LARGE SIGNAL POUR LA SIMULATION DU COMPORTEMENT DE CE TYPE DE COMPOSANT, EN FONCTIONNEMENT DOMAINE HYPERFREQUENCE NON LINEAIRE
LE TRANSISTOR HYPERFREQUENCE A EFFET DE CHAMP A L'ARSENIURE DE GALLIUM DANS LES REGIMES D'AMPLIFICATION DE PUISSANCE ET DE MULTIPLICATION DE FREQUENCE
Author: RABAH.. MAIMOUNIPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 168
Book Description
PAR UTILISATION D'UN MODELE MATHEMATIQUE NON LINEAIRE DU TEC GAAS COMPATIBLE AVEC LA C.A.O. DES CIRCUITS, ON PRESENTE TOUT D'ABORD UNE METHODOLOGIE D'ETUDE THEORIQUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE EN REGIME TEMPOREL QUE L'ON VALIDE PAR L'EXPERIENCE DANS LA BANDE 2-8 GHZ. ON DETERMINE ENSUITE LES QUALITES POTENTIELLES THEORIQUES DU TEC POUR LA MULTIPLICATION DE FREQUENCE QUE L'ON CONFIRME PAR UNE ETUDE EXPERIMENTALE MENEE SUR DES DOUBLEURS DE FREQUENCE DANS LES BANDES 2-4 ET 4-8 GHZ
Analyse de fonctionnement en amplification de puissance en bande Ka des transistors HEMT des filières AsGa et InP
Author: Eric BourcierPublisher:
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Languages : fr
Pages : 230
Book Description
L'amelioration permanente des performances des transistors a effet de champ, en termes de frequence, puissance ou rendement, conduit ces composants a remplacer progressivement les tubes a ondes progressives dans les amplificateurs hyperfrequences de puissance pour applications militaires, aeronautiques et spatiales. De plus, depuis quelques annees, l'extraordinaire explosion des applications grand public integrant des circuits de puissance hyperfrequences (telephone mobile, badges d'identification, systemes d'anti-collision, d'autopeage, et de surveillance de la circulation) a accelere cette evolution. Dans ce contexte, les outils d'aide a l'utilisation des transistors a effet de champ de puissance sont d'un besoin imperieux. C'est a ce besoin que s'adresse le present travail. Sa premiere partie explique le fonctionnement du systeme de mesure de puissance que nous avons developpe selon le principe de la charge active, dans la bande de frequence de 26 a 40 ghz. Ce systeme permet de mesurer de facon automatique des transistors a effet de champ dont le developpement totale de grille peut atteindre un millimetre et utilise un logiciel de pilotage mis au point pour preserver le composant dans les conditions d'impedances dangereuses en terme de courant de grille. De plus les calibrages vectoriels en impedance et en puissance mis en uvre permettent une grande precision de mesure. Enfin le systeme permet des investigations de transistors prevus pour des applications soit en circuit hybride, soit en technologie mmic. Dans la deuxieme partie, une etude est effectuee sur la difference de comportement d'un transistor selon que celui-ci est soumis a une puissance d'entree injectee constante ou a une puissance d'entree absorbee constante. Ensuite l'effet de l'instabilite des transistors sur leur comportement est analyse.
Analyse et optimisations de transistors à effet de champ à hétérojonction pour l'amplification de puissance dans la bande Ka
Author: Christophe GaquièrePublisher:
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Languages : fr
Pages : 293
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L'amélioration permanente des performances des transistors à effet de champ, en termes de fréquence, puissance ou rendement, a conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vide dans les amplificateurs hyperfréquences. De plus, depuis quelques années, l'extraordinaire explosion des applications grand public comprenant des circuits de puissance hyperfréquences (radiocommunication sans fil, télécommunications par satellite, systèmes d'anti-collision, d'auto-péage, et de surveillance de la circulation) a renforcé cette tendance. La première partie de ce travail développe une méthode de caractérisation spécifique en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants. Des solutions sont envisagées afin d'améliorer leurs performances. La suite du travail porte sur la caractérisation de ces transistors en fonctionnement grand signal dans la bande de fréquence 26-40 GHz à partir de bancs de mesures en puissance classiques. L'étude continue avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grille sur les comportements en puissance des composants. La dernière partie présente un système automatise de mesures grand signal dans la bande Ka qui permet d'effectuer des mesures en mode load pull à charge active ou en analyseur de réseau standard et d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques (gains, puissances, rendements). Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides ou monolithiques.
Optimisation du rendement en puissance ajoutée des amplificateurs de puissances large bande à base de Nitrure de Gallium
Author: Chamssedine BerrachedPublisher:
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Languages : fr
Pages : 242
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Ces travaux traitent de l'optimisation du rendement des amplificateurs de puissance large bande fondé sur des barrettes de transistors en Nitrure de Gallium. Une méthode de conception destinée à l'optimisation du rendement des amplificateurs de puissance large bande est présentée. Elle est fondée sur une étude de l'influence de la charge présentée à la fréquence harmonique 2 ainsi qu'une étude théorique approfondie des limites d'adaptation d'impédance large bande pour le maintien d'un fort rendement. Cette étude est fondée sur les théorèmes de Bode et Fano. Cette analyse à conduit à la réalisation d'un premier amplificateur de puissance 40W, large bande [1-3GHz] et à haut rendement en technologie hybride basée sur un transistor encapsulée. Pour réduire l'encombrement de manière significative des amplificateurs de puissance, une technologie Quasi-MMIC a été développée à UMS. Deux amplificateurs de puissance (25W & 45W), large bande [2-4GHz] et à haut rendement ont été réalisées en technologie Quasi-MMIC et ont démontrées des résultats à l'état de l'art mondiale.
Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire à hétérojonction pour l'amplification de puissance à haut rendement
Author: Alain MalletPublisher:
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Languages : fr
Pages : 253
Book Description
L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT INDISPENSABLE POUR LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. APRES LA DESCRIPTION DES MOYENS DE CARACTERISATIONS DE TRANSISTORS DE PUISSANCE DISPONIBLES AU SEIN DU LABORATOIRE, LES DEVELOPPEMENTS DE METHODOLOGIES ET D'OUTILS DE SIMULATION ET D'OPTIMISATION ET DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE SONT PRESENTES. LES POTENTIALITES DU TBH POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT A 1.8 GHZ SONT EVALUEES PAR L'UTILISATION INTENSIVE DES OUTILS D'OPTIMISATION DEVELOPPES. UN MODE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN RENDEMENT SPECIFIQUE AU TBH EST DEMONTRE. ENSUITE, LES PERFORMANCES THEORIQUES EN TERMES DE PUISSANCE, DE RENDEMENT ET DE LINEARITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION ET D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DIMENSIONS SIMILAIRES SONT COMPARES. DES VALIDATIONS EXPERIMENTALES POUR UN FONCTIONNEMENT EN MONOPORTEUSE ET EN BIPORTEUSE SONT PRESENTEES. DEUS CONCEPTIONS D'AMPLIFICATEURS A BASE DE TBH EN BANDE L ET S RESPECTIVEMENT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MMIC SONT DECRITES DANS CE MEMOIRE. LES MESURES EFFECTUEES SUR L'AMPLIFICATEUR EN TECHNOLOGIE HYBRIDE CONFIRMENT LES POTENTIALITES DU TBH DANS LE DOMAINE DES RADIOCOMMUNICATIONS. EN EFFET, UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 77% A ETE MESURE POUR UNE FAIBLE POLARISATION DE SORTEI (3,3 V)
Modélisation et analyse physique du fonctionnement en amplification de puissance hyperfréquence du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium
Author: Georges HalkiasPublisher:
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Languages : fr
Pages : 162
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Formulation des mécanismes physiques internes du T.E.C. en dynamique. Simulation du fonctionnement du T.E.C. en amplification classe A. Compréhension du comportement global du T.E.C. en amplification de puissance ; mécanismes limitatifs fondamentaux.
Etude théorique et expérimentale de divers fonctionnements en amplification de puissance du transistor à effet de champ bigrille à l'arséniure de gallium
Author: Jacques WyrwinskiPublisher:
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Languages : fr
Pages : 192
Book Description
Des travaux faits antérieurement au centre hyperfréquences et semiconducteurs avaient laissé entrevoir que le TEC AsGa bigrille devrait avoir une tenue en tension de claquage très supérieure à celle du TEC AsGa monogrille et, en conséquence, présenter des possibilités en amplification de puissance microonde supérieures. C'est sur cette question qu'ont porté les travaux de J. Wyrwinski. Dans une première phase, il a procédé à une étude systématique du claquage du TEC AsGa bigrille dans différentes configurations de polarisations et de charges hyperfréquences et mis en évidence la très nette supériorité de ce composant sur le TEC AsGa monogrille. Dans une deuxième phase, il a effectué la comparaison TEC bigrille - TEC monogrille en amplification de puissance microonde, montre les corrélations avec la tenue au claquage et, ayant mis en évidence une apparition plus rapide de la saturation pour le TEC bigrille, il en a analysé les mécanismes sur la base d'une simulation grand signal utilisant le logiciel de C.A.O. Spice. Dans une deuxième phase, il a procédé à une approche prospective des possibilités amplificatrices d'une configuration très particulière du TEC bigrille, avec sortie sur la deuxième grille, et montre que cette configuration peut être utilisée en amplification large bande, entre 10 et 20 GHz. Ces résultats ouvrent des perspectives intéressantes aux TECs bigrilles, à grand développement de grille, pour la réalisation de structures amplificatrices distribuées à large bande et intégrées
Le Transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium en régime non-linéaire d'amplification hyperfréquence de puissance
Author: Jean Kamdem (auteur d'une thèse de sciences.)Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 176
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