ETUDE DU DEPOT ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RT-LPCVD PDF Download
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DANS CE TRAVAIL, ON S'EST INTERESSE AU DEPOT EN PHASE VAPEUR ET SOUS BASSE PRESSION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN (POLYSILICIUM) PAR LA TECHNIQUE RT-LPCVD (RAPID THERMAL LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) DANS UN REACTEUR A LAMPES HALOGENE ET A FROIDES. LES DEPOTS ONT ETE EFFECTUES PAR DECOMPOSITION DE SILANE DILUE (SIH#4/AR: 10%) A PRESSION (1 A 5 MBAR) ET TEMPERATURES (600-850 C) VARIABLES. CES CONDITIONS ONT ETE CHOISIES POUR REPONDRE AUX IMPERATIFS DE RENDEMENT DE PRODUCTION IMPOSES PAR LE PROCEDE DE TRAITEMENT PAR PLAQUE (SW: SINGLE WAFER). L'ETUDE DES CINETIQUES DE DEPOT SUR ECHANTILLONS DE DIFFERENTES DIMENSIONS A REVELE UN PHENOMENE DE DEPLETION RADIALE DU GAZ REACTIF INHERENT A LA GEOMETRIE D'INJECTION ET D'EXTRACTION DES GAZ DU REACTEUR UTILISE. L'ANALYSE SIMS A REVELE LA PRESENCE DE CONTAMINANTS (O, C) DANS LES COUCHES QUE NOUS ATTRIBUONS AU DEGAZAGE DES PAROIS INTERNES DU REACTEUR EN COURS DE DEPOT. NEANMOINS, L'ABAISSEMENT DE LA PRESSION ET L'INTRODUCTION PREALABLE D'UN CYCLE THERMIQUE DE DEGAZAGE PERMET DE REDUIRE SENSIBLEMENT CETTE CONTAMINATION. LES ANALYSES PAR DIFFRACTION AUX RAYONS-X RASANTS, ET DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, AINSI QUE LES MESURES DE RESISTANCE CARREE ONT MONTRE QUE LES PROPRIETES STRUCTURALES (RUGOSITE, TEXTURE, TAILLE DES GRAINS), MECANIQUES (CONTRAINTES RESIDUELLES), ET ELECTRIQUES DES COUCHES DEPENDENT DES PARAMETRES DE DEPOT ET SONT FORTEMENT CORRELEES AU NIVEAU DE CONTAMINATION. PAR AILLEURS, LE DOPAGE EX-SITU AU PHOSPHORE (POCL#3) MONTRE QUE LES COUCHES OBTENUES ONT UNE RESISTIVITE ELECTRIQUE COMPARABLE AUX COUCHES DE POLYSILICIUM LPCVD (1 MOHM CM)
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DANS CE TRAVAIL, ON S'EST INTERESSE AU DEPOT EN PHASE VAPEUR ET SOUS BASSE PRESSION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN (POLYSILICIUM) PAR LA TECHNIQUE RT-LPCVD (RAPID THERMAL LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) DANS UN REACTEUR A LAMPES HALOGENE ET A FROIDES. LES DEPOTS ONT ETE EFFECTUES PAR DECOMPOSITION DE SILANE DILUE (SIH#4/AR: 10%) A PRESSION (1 A 5 MBAR) ET TEMPERATURES (600-850 C) VARIABLES. CES CONDITIONS ONT ETE CHOISIES POUR REPONDRE AUX IMPERATIFS DE RENDEMENT DE PRODUCTION IMPOSES PAR LE PROCEDE DE TRAITEMENT PAR PLAQUE (SW: SINGLE WAFER). L'ETUDE DES CINETIQUES DE DEPOT SUR ECHANTILLONS DE DIFFERENTES DIMENSIONS A REVELE UN PHENOMENE DE DEPLETION RADIALE DU GAZ REACTIF INHERENT A LA GEOMETRIE D'INJECTION ET D'EXTRACTION DES GAZ DU REACTEUR UTILISE. L'ANALYSE SIMS A REVELE LA PRESENCE DE CONTAMINANTS (O, C) DANS LES COUCHES QUE NOUS ATTRIBUONS AU DEGAZAGE DES PAROIS INTERNES DU REACTEUR EN COURS DE DEPOT. NEANMOINS, L'ABAISSEMENT DE LA PRESSION ET L'INTRODUCTION PREALABLE D'UN CYCLE THERMIQUE DE DEGAZAGE PERMET DE REDUIRE SENSIBLEMENT CETTE CONTAMINATION. LES ANALYSES PAR DIFFRACTION AUX RAYONS-X RASANTS, ET DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, AINSI QUE LES MESURES DE RESISTANCE CARREE ONT MONTRE QUE LES PROPRIETES STRUCTURALES (RUGOSITE, TEXTURE, TAILLE DES GRAINS), MECANIQUES (CONTRAINTES RESIDUELLES), ET ELECTRIQUES DES COUCHES DEPENDENT DES PARAMETRES DE DEPOT ET SONT FORTEMENT CORRELEES AU NIVEAU DE CONTAMINATION. PAR AILLEURS, LE DOPAGE EX-SITU AU PHOSPHORE (POCL#3) MONTRE QUE LES COUCHES OBTENUES ONT UNE RESISTIVITE ELECTRIQUE COMPARABLE AUX COUCHES DE POLYSILICIUM LPCVD (1 MOHM CM)
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APRES UN ETAT DE L'ART SUR LES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE SILICIUM EN COUCHE MINCE (EPAISSEUR ENTRE 5 ET 50 M), NOUS DECRIVONS L'ELABORATION DU MATERIAU SILICIUM POLYCRISTALLIN (PC-SI) SUR CERAMIQUE MULLITE (3AL 2O 3*2SIO 2) PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE ASSISTE PAR LAMPES HALOGENES (RT-CVD) DANS UN REACTEUR A PAROIS FROIDES, A PRESSION ATMOSPHERIQUE. L'ATOUT MAJEUR DE LA MULLITE EST SON COEFFICIENT D'EXPANSION THERMIQUE PROCHE DE CELUI DU SILICIUM. LES PARAMETRES DE DEPOT ONT ETE LA TEMPERATURE (900-1250\C), LA CONCENTRATION DE GAZ PRECURSEUR SIHCL 3 DILUE DANS H 2 (5-25%) OU L'AJOUT DE GAZ DOPANT BCL 3. LA COUCHE PC-SI, OBTENUE A DES VITESSES DE DEPOT ENTRE 1 ET 6 M/MIN ET SUR DE GRANDES SURFACES (6 6 CM 2), EST CARACTERISEE PAR UNE TAILLE DE GRAIN QUI AUGMENTE DE 0,5 A 20 M AVEC LA TEMPERATURE. LA STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE EST COLONNAIRE (GRAINS ET JOINTS DE GRAINS VERTICAUX) ET PREFERENTIELLEMENT ORIENTEE (220). LES ANALYSES SPECTROMETRIQUES S'AVERENT TROP PEU SENSIBLES POUR EVALUER LES IMPURETES ISSUES DU SUBSTRAT. UNE ANALYSE DLTS INDIRECTE A ALORS REVELE UNE CONTAMINATION NOTAMMENT EN FER. LES PROPRIETES DE TRANSPORT SONT ALTEREES PAR LES ETATS D'INTERFACE AUX JOINTS DE GRAINS (BIEN QUE SENSIBLES A UN TRAITEMENT PAR HYDROGENATION) ET LA DUREE DE VIE EST SOUS LE SEUIL DE DETECTION (
Author: Sami Kallel Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 134
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La première partie de ce travail porte sur 1 'étude de couches minces de silicium déposées par RT-LPCVD et dopées in situ au phosphore dans un réacteur à lampes halogène et à parois froides à partir du silane (SiH4) utilisé comme gaz précurseur et la phosphine (PH3) comme source dopante. Nous avons étudié ces couches dans une gamme de températures allant de 600°C à 850°C (pour une pression de 2mbar) et nous avons mis en évidence 1 'effet de la phosphine sur la cinétique de dépôt ainsi que sur ses propriétés physiques (taille des grains, texture, contraintes résiduelles, résistivité). Nous avons aussi montré que les traitements thermiques rapides ultérieurs (RTA) favorisent une augmentation de la taille des grains, une relaxation des contraintes et une amélioration de la résistivité. Dans la deuxième partie du travail, nous avons appliqué les procédés thermiques rapides pour la réalisation de cellules solaires à faible budget thermique. Pour cela nous avons étudié et optimisé chaque étape nécessaire pour la réalisation d'un tel dispositif:-1. l'émetteur (N+) obtenu par le dépôt RT-LPCVD dopé in situ à partir de (SiH4/PH3),-2. l'oxyde de passivation obtenu par oxydation thermique rapide (RTO),-3. la couche antireflet (Si3N4) déposée par RT-LPCVD à partir du silane et de l'ammoniac (NH3),-4. les contacts métalliques déposés par évaporation. Les premiers résultats obtenus indiquent un rendement de conversion de 10,5% pour un courant de court-circuit de 33,5mA/cm2 et une tension de circuit ouvert égale à 527mV.
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COMME L'UTILISATIONS DE L'ENERGIE SOLAIRE EST NOUVELLE PAR RAPPORT AUX ENERGIES TRADITIONNELLES (SURTOUT LES COMBUSTIBLES FOSSILES), SA RECHERCHE ET SON DEVELOPPEMENT SONT GUIDES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES PHYSIQUES ET PAR LES ASPECTS ECONOMIQUES, POLITIQUES ET SOCIAUX. LE DEVELOPPEMENT EST UNE RENCONTRE D'UN PRODUIT ET D'UN MARCHE. NOTRE TRAVAIL EST AINSI SEPARE EN 3 PARTIES : UNE PARTIE DITE DE RECHERCHE HORIZONTALE CONCERNANT L'ETUDE PHYSIQUE DU MATERIAU TELLES LES CARACTERISTIQUES OPTIQUES, DONT NOUS AVONS ETUDIE LES PRINCIPALES METHODES DE DETERMINATION DES CONSTANTES OPTIQUES. DANS CETTE PARTIE, NOUS AVONS DETAILLE LES DEUX METHODES D'OBTENTION DE L'EPAISSEUR, DE L'INDICE DE REFRACTION ET DU COEFFICIENT D'ABSORPTION EN FONCTION DES LONGUEURS D'ONDES A PARTIR DU SPECTRE DE TRANSMISSION SEUL METHODE DE FRANGE D'INTERFERENCE ; OU A PARTIR DE LA COMBINAISON DES SPECTRES DE TRANSMISSION ET DE REFLEXION METHODE DITE OCS. APRES LA COMPARAISON DES AVANTAGES ET DES INCONVENIENTS DES DEUX METHODES, NOUS AVONS ABOUTI A UNE NOUVELLE METHODE QUI CONSISTE A COMBINER LES DEUX METHODES EN MEME TEMPS AFIN D'AUGMENTER LA PRECISION SUR LES CONSTANTES OPTIQUES. LA DEUXIEME PARTIE EST DEDIEE A L'APPLICATION DE LA METHODE DITE DE MINIMISATION, AFIN DE CALCULER LES PROPRIETES OPTIQUES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR DECOMPOSITION EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD), DE DISILANE, DEPOSEE DANS UN NOUVEAU TYPE DE REACTEUR, APPELE REACTEUR PUIS COMPAREES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RECUIT DE CE PREMIER ET AU SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSE DIRECTEMENT PAR DECOMPOSITION DU SILANE PAR LPCVD. CES ETUDES OPTIQUES DE CES DIFFERENTS MATERIAUX NOUS ONT CONDUIT A OPTER POUR LA FILIERE GAZEUSE SILANE ET AU CONDITION DE DEPOT DE CE MATERIAU (T = 660 C, P = 0,3TORR), POUR LA REALISATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, ET D'OPTIMISER LES EPAISSEURS CONVENABLE POUR QUE 90% DE LA LUMIERE INCIDENTE SOIT ABSORBEE. DANS UNE DEUXIEME ETAPE DE NOTRE RECHERCHE NOUS AVONS ETUDIE LA CINETIQUE DE DEPOT, LES PROPRIETES OPTIQUES, ELECTRIQUES, ET STRUCTURALES DES DIFFERENTES COUCHES CONTRIBUANT A LA FABRICATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, A SAVOIR LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPES, DOPEE BORE OU PHOSPHORE. AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES QUALITES DE CES COUCHES, NOUS AVONS ESSAYE DE FAIRE UN LIEN ENTRE LES DIFFERENTES VARIATIONS DES PARAMETRES OPTIQUES ET ELECTRIQUES OBSERVES ET LEUR VARIATION DE STRUCTURE EN FONCTION DE LEURS EPAISSEURS. POUR COMPLETER CES ETUDES, EN DERNIER PARTIE, NOUS SOMMES PASSE A LA PHASE DITE VERTICALE CONSISTANT A LA REALISATION TECHNOLOGIQUE DE CES DIODES AVEC UN MINIMUM D'ETAPES TECHNOLOGIQUES. NOUS AVONS PU OBTENIR DES DIODES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AVEC UN COURANT DE FUITE MINIMAL ET UNE TRES BONNE TENUE AU COURANT INVERSE JUSQU'A 100V SANS OBSERVER LE CLAQUAGE DE LA JONCTION.
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La technologie PICS (Passive Integration Connective Substrate) permet une forte intégration sur silicium de composants passifs, notamment de condensateurs haute densité par la gravure de motifs tridimensionnels à fort rapport d’aspect. L’une des étapes technologiques les plus délicates de ce procédé consiste à remplir les structures 3D à l’aide d’un film de silicium polycristallin dopé in-situ. Les premières expériences de développement sur la seconde génération de produits ont tout d’abord montré que la présence de structures tridimensionnelles conduit à une dégradation significative de l’uniformité des films déposés (épaisseur et dopage). De plus, le remplissage des structures 3D par la couche de polysilicium entraîne une déformation des plaques pouvant conduire à leur destruction. Dans cette thèse, les études menées avaient pour but de résoudre ces deux problématiques conjointes. Il s’agissait d’adapter les paramètres de dépôt et de recristallisation du film de polysilicium afin de répondre aux exigences du procédé. Ces recherches ont démontré que la déformation des plaques est intimement liée à la phase cristalline déposée, et ce, même après recristallisation des films à haute température. Les premiers travaux montrent que les conditions de dépôt les plus favorables à la réduction des non-uniformités nuisent à l’intégrité des structures tridimensionnelles. Par conséquent, de nouvelles conditions de dépôt et de recuit ont été mises au point afin de limiter la déformation des substrats sans dégrader l’uniformité du dépôt tout en tenant compte des contraintes de productivité liées au contexte industriel. Les caractérisations physiques, électriques et structurales réalisées ont permis de corréler l’amélioration des performances électriques avec la modification de la taille des cristallites et de leur organisation au sein du matériau.
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CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE DES DEPOTS SUR SUBSTRAT DE VERRE DE SILICIUM DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PAR LA TECHNIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE A BASSE PRESSION OU LPCVD. L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST LA MAITRISE DU TAUX DE DOPAGE DE L'ELEMENT PHOSPHORE DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM ELABOREES A UNE TEMPERATURE N'EXCEDANT PAS 600C. NOUS AVONS CHERCHE LES PARAMETRES DE DEPOT (TEMPERATURE, PRESSION, RAPPORT PH#3/SIH#4) QUI CONDUISENT A DES FILMS PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS COUCHES MINCES
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ETUDE PAR DIFFRACTION RX ET D'ELECTRONS ET PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE DEPOT SUR LA STRUCTURE DE SI. DETERMINATION DE LA DIMENSION MOYENNE DES GRAINS A PARTIR D'UN TRAITEMENT STATISTIQUE. MESURE DE CETTE DIMENSION EN FONCTION DE LA CONCENTRATION EN DOPANT, DE LA TEMPERATURE DE DEPOT, DE LA POSITION DES WAFERS DANS LE FOUR. CARACTERISATION ELECTRIQUE
Author: Martine Le Berre Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 128
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LE BUT DE CE TRAVAIL ETAIT DE COMPARER LES PROPRIETES STRUCTURALES, ELECTRIQUES ET PIEZORESISTIVES DE DIFFERENTES STRUCTURES DE TYPE SOI (SILICON ON INSULATOR), D'EVALUER DANS QUELLE MESURE LES CONDITIONS D'ELABORATION ET LES TRAITEMENTS DE RECUITS ULTERIEURS INFLUAIENT SUR CES DIVERSES PROPRIETES, ET ENFIN DE MODELISER LA PIEZORESISTIVITE DE CE MATERIAU. L'EMPLOI DE TOUTE UNE SERIE DE MOYENS DE CARACTERISATION TELS QUE LA DIFFRACTION DES RAYONS X SOUS INCIDENCE RASANTE, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION, LE RAMAN, LA REFLECTIVITE IR, LA SPECTROMETRIE DE MASSE D'IONS SECONDAIRES (SIMS), LES MESURES PAR EFFET HALL ET LA MESURE DU FACTEUR DE JAUGE, NOUS A PERMIS DE CARACTERISER DES COUCHES LPCVD ET PECVD. POUR LES COUCHES LPCVD DEPOSEES POLYCRISTALLINES PUIS RECUITES PAR VOIE CONVENTIONNELLE OU PAR RECUIT RAPIDE, LES FACTEURS DE JAUGE SONT COMPRIS ENTRE 25 ET 40. LES PROPRIETES ELECTRIQUES SONT LEGEREMENT AMELIOREES PAR LE RECUIT RAPIDE. LES COUCHES PECVD DEPOSEES AMORPHES PUIS RECUITES PRESENTENT DES PROPRIETES ELECTRIQUES SENSIBLEMENT AMELIOREES PAR RAPPORT AUX COUCHES LPCVD (RESISTIVITE, DENSITE DE PIEGES). LES FACTEURS DE JAUGE RESTENT CEPENDANT INFERIEURS (20-27) EN LIAISON AVEC LA PLUS FAIBLE TAILLE DE GRAIN. LES COUCHES DIRECTEMENT DEPOSEES MICROCRISTALLINES PEUVENT AVOIR DES FACTEURS DE JAUGE ATTEIGNANT 28 A CONDITION DE PRESENTER UNE TEXTURE FAVORABLE. AU MOYEN D'HYPOTHESES DE CONTRAINTES OU DE DEFORMATIONS CONSTANTES, UNE MODELISATION ORIGINALE DE LA PIEZORESISTIVITE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN A ETE REALISEE ET A PERMIS UNE COMPARAISON JUSQU'ICI IMPOSSIBLE. ON CONSTATE QUE LES FACTEURS DE JAUGE CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE CONTRAINTES CONSTANTES SONT SYSTEMATIQUEMENT INFERIEURS A CEUX CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE DEFORMATIONS CONSTANTS. POUR LE CALCUL DES ELEMENTS DE TENSEURS MOYENNES, NOUS SOMMES PARVENUS, GRACE AUX PROPRIETES DES TENSEURS D'ORDRE 4, A DES EXPRESSIONS EXTREMEMENT SIMPLIFIEES. ENFIN, ON NOTE UN BON ACCORD ENTRE LES VALEURS MODELISEES DU FACTEUR DE JAUGE ET LES VALEURS EXPERIMENTALES
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L'ELABORATION DE FILMS MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, OBTENUS PAR RECUIT THERMIQUE A 575C DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DEPOSE PAR PECVD ET DOPE IN-SITU AU BORE, A PERMIS DE MENER UNE ETUDE EN FONCTION DU DOPAGE SUR L'EVOLUTION DES PROPRIETES MECANIQUES (CONTRAINTES RESIDUELLES, CONSTANTES ELASTIQUES) ET PHYSICO-CHIMIQUES (CONCENTRATION D'HYDROGENE, INDICE DE REFRACTION) DU MATERIAU AU COURS DU RECUIT. EN PARTICULIER, NOUS MONTRONS QUE LE CHANGEMENT DE SIGNE DE LA COURBURE DES PLAQUES AU COURS DU RECUIT EST DU A LA DESORPTION DE L'HYDROGENE DU FILM QUI SE PRODUIT A UNE TEMPERATURE PROCHE DE LA TEMPERATURE DE DEPOT ET INDEPENDAMMENT DE LA CONCENTRATION DE BORE. DES MESURES DE DIFFRACTION DE RAYONS X SOUS INCIDENCE RASANTE ONT EGALEMENT PERMIS DE COMPARER LA DISTRIBUTION DES CONTRAINTES RESIDUELLES ET LES PARAMETRES MECANIQUES MICROSCOPIQUES A CEUX MACROSCOPIQUES DEDUITS DU RELEVE DE LA DEFORMEE ET DES MESURES DE NANO-INDENTATION. EN MODELISANT LA REPONSE OPTIQUE DANS LA GAMME DE L'INFRA-ROUGE MOYEN DU SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR LE MODELE DE DRUDE, NOUS AVONS DETERMINE SANS CONTACT LES PARAMETRES MICROSCOPIQUES DU TRANSPORT DANS LE GRAIN. DES MESURES DE PIEZOREFLECTIVITE INFRA-ROUGE NOUS ONT ENSUITE PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DES PARAMETRES DE TRANSPORT SOUS CONTRAINTE STATIQUE IMPOSEE PAR UN MODULE DE FLEXION QUATRE POINTS. NOUS EN DEDUISONS UN FACTEUR DE JAUGE SENSIBLEMENT CONSTANT DANS NOTRE GAMME DE DOPAGE DE L'ORDRE DE 23 5 EN BON ACCORD AVEC CELUI OBTENU D'APRES DES MESURES DE PIEZORESISTIVITE
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CETTE THÈSE EST CONSACRÉE À L'ÉTUDE DES COUCHES EN SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGÉNÉ ("micro"C-SI:H) PRÉPARÉES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR FlLAMENT CHAUD (HWCVD) PROPOSÉ COMME UNE ALTERNATIVE À LA MÉTHODE CONVENTIONELLE DE DÉPÔT PAR PLASMA, AYANT POUR OBJECTIF L'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DES COUCHES POUR L'APPLICATION SUR CELLULES SOLAIRES. PROPRIÉTÉS PHYSIQUES DES COUCHES PRÉPARÉES UTILISANT SIH4 DILUÉ DANS H2 AVEC DIFFÉRENTES VALEURS DE DILUTION DH ONT ÉTÉ CARACTÉRISÉES PAR DIFFÉRENTES TECHNIQUES. PARTICULIÈREMENT, ANALYSE IN-SITU D'ELLIPROMÉTRIE INFRAROUGE A ÉTÉ, POUR LA PREMIÈRE FOIS, APPLIQUÉE A LA CROISSANCE DES COUCHES PAR HWCVD: ÉVOLUTION DE LA CONFIGURATION DES LIAISONS Sl-H A ÉTÉ CORRELÉE AVEC LES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. MEILLEURE LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS A ÉTÉ OBTENUE POUR LES COUCHES EN "micro"C-SI:H PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES AMORPHE ET MICROCRISTALLINE: CECI PEUT ÉTRE DU AU RÉSEAU AMORPHE RELAXE QUI EST AMENÉ PAR RÉACTIONS DE RECONSTRUCTION INDUITES PAR DIFFUSION DES ATOMES H PENDANT LA CROISSANCE, ÉTANT SUGGÉRÉ PAR ANALYSES DES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. CEPENDANT, IL A ÉTÉ MONTRÉ QU'IL Y A UNE COUCHE D'INCUBATION AMORPHE ÉPAISSE FORMÉE AVANT LE NOYAUTAGE DES MICROCRISTAUX, QUI EMPÉCHE LE TRANSPORT ÉLECTRONIQUE DANS LA DIRECTION TRANSVERSALE DE CES COUCHES. DANS LE BUT D'AVOIR DES COUCHES EN "micro"C-Sl:H SANS COUCHE D'INCUBATION ET AVEC LES PROPRIÉTÉS FAVORABLES DE LA VOLUME ASSOCIÉES AUX COUCHES PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES, NOUS AVONS PROPOSE UN PROCÈDÉ DE DH VARIABLE TENANT COMPTE DES RÉSULTATS TRÉS POSITIFS GRÂCE AU PROCÉDÉ DE DH VARIABLE, DES COUCHES INTRINSÈQUES EN "micro"C-SI:H PRÉPARÉES PAR HWCVD ONT ÉTÉ APPLIQUÉES À LA FABRICATION DES CELLULES SOLAIRES. UN RENDEMENT DE 5,1 % OBTENU POUR DES CELLULES DE LA STRUCTURE N-l-P SUR SUBSTRAT EN VERRE A CONFIRMÉ UNE BONNE QUALITÉ DES COUCHES INTRINSÈQUES.LA VOIE POUR L'AMÉLIORATION DE LA PERFORMANCE DES CELLULES EST DlSCUTÉE EN CONSIDÉRATION DES RÉSULTATS.
Author: MOHAMED-EL-BACHIR.. SEMMACHE
Author: MOHAMED-EL-BACHIR.. SEMMACHE
Author: STEPHANE.. BOURDAIS
Author: Sami Kallel
Author: YAHYA.. LAGHLA
Author: Florent Lallemand
Author: AHMED.. LIBA
Author: Fekri Karray
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