Author: Annick PenarierPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 222
Book Description
Etude du bruit de fond BF et HF dans les transistors bipolaires double polysilicium et dans les transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe et InP/GaInAs
Etude du bruit de fond dans les transistors bipolaires hyperfréquences à hétérojonction GAINP-GAAS
Author: Jean-Philippe RouxETUDE DU BRUIT DE FOND DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION Ga1-xAlxAs/GaAs
Author: Chusak LimsakulEtude du bruit de fond basse frequence dans des transistors bipolaires a heterojonction A10, 3Ga0, 7As/GaAs et dans les structures de test de type TLM associees
Author: Sylvie JarrixMISE EN UVRE D'UNE NOUVELLE METHODE DE CARACTERISATION EN BRUIT DE COMPOSANTS ACTIFS
Author: VALERIE.. DANELONPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 312
Book Description
CE MEMOIRE DE THESE S'INSCRIT DANS LE CADRE GENERAL DE L'ETUDE EN BRUIT DES COMPOSANTS ACTIFS DANS LE DOMAINE DES MICRO-ONDES ET DU MILLIMETRIQUE. LE NIVEAU DE BRUIT GENERE PAR UN TRANSISTOR ASSOCIE A SES PERFORMANCES DYNAMIQUES VONT DETERMINER SES LIMITES DE FONCTIONNEMENT. DE PLUS, L'ETUDE DU BRUIT DU DISPOSITIF EST UNE SOURCE IMPORTANTE D'INFORMATIONS RELATIVES AUX MECANISMES PHYSIQUES IMPLIQUES. CES INFORMATIONS POURRONT ETRE EXPLOITEES PAR LE TECHNOLOGUE QUI OPTIMISE LA STRUCTURE DU COMPOSANT. LA CARACTERISATION EN BRUIT CONSISTE FONDAMENTALEMENT A DETERMINER LES 4 PARAMETRES DE BRUIT DU COMPOSANT. ELLE IMPLIQUE LA MISE EN UVRE DE METHODES SPECIFIQUES DE MESURE ET D'EXTRACTION. CEPENDANT, LES TECHNIQUES D'EXTRACTION PROPOSEES POUR L'OBTENTION DES PARAMETRES DE BRUIT ONT DES LIMITATIONS. AINSI, LES METHODES DE MESURE DE BRUIT SOUS 50 OHMS POUR LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP NE SONT PAS UTILISEES DANS LE CAS DES COMPOSANTS BIPOLAIRES. PAR AILLEURS, LES METHODES EXISTANTES SONT DIFFICILEMENT APPLICABLES A LA MESURE DE DISPOSITIFS REFROIDIS SITUES DANS UN ENVIRONNEMENT CRYOGENIQUE. LA NOUVELLE APPROCHE PROPOSEE ET DEVELOPPEE DANS CETTE THESE EST UNE ALTERNATIVE AUX METHODES STANDARDS PUISQU'ELLE AUTORISE L'ETUDE DE TOUS TYPE DE COMPOSANT ET QUE LES PRINCIPES ET LE BANC SUR LESQUELS ELLE EST BASEE PERMETTENT DES MESURES DE BRUIT A BASSE TEMPERATURE. NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE (QUI SE VEUT ETRE AUSSI UN OUTIL DE TRAVAIL), LES PRINCIPES ET LE DEVELOPPEMENT DE CETTE NOUVELLE METHODE DE CARACTERISATION EN BRUIT DE COMPOSANTS ACTIFS. IL CONTIENT DONC LES BASES NECESSAIRES A LA COMPREHENSION DES MESURES DES 4 PARAMETRES DE BRUIT, EXPOSE LA METHODOLOGIE ASSOCIEE, DONNE LA PROCEDURE A SUIVRE POUR LA MISE EN PLACE D'UN BANC DE MESURE DE BRUIT ET SA VALIDATION A TRAVERS DES MESURES COMPARATIVES ET UNE MODELISATION DU BANC. ENFIN, CETTE NOUVELLE METHODE EST APPLIQUEE A UNE ETUDE EXTENSIVE DU BRUIT DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS SUR INP DU CNET BAGNEUX.
Bruit de fond , basse fréquence dans les transistors bipolaires à hétérojonction sur GaAs
Author: Robert PlanaEtude du bruit de fond HF dans les composants
Author: Abdelkébir ElamriPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 336
Book Description
LA PREMIERE PARTIE A ETE CONSACREE A L'EVALUATION DU COEFFICIENT DE DIFFUSION D(E) DANS L'ASGA-N PAR L'INTERMEDIAIRE DE LA MESURE DES TEMPERATURES DE BRUIT EN REGIME DE PORTEURS CHAUDS. NOUS AVONS ENSUITE, DEVELOPPE UNE NOUVELLE VERSION DE LA METHODE DU CHAMP D'IMPEDANCE QUI A ETE APPLIQUEE A DES DIODES N#+NN#+ ASGA. LES RESULTATS THEORIQUES ONT ETE CONFRONTES A L'EXPERIENCE A T=300K. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS AVONS DONNE UNE PRESENTATION DU SIMULATEUR ELECTRIQUE SPICE 2G. A L'AIDE DE CE LOGICIEL NOUS AVONS ENSUITE, FAIT UNE SIMULATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES SI, LES RESULTATS DE LA SIMULATION ONT ETE COMPARES A L'EXPERIENCE. POUR FINIR CETTE PARTIE, UNE ETUDE EXPERIMENTALE POUR DETERMINER LES QUATRE PARAMETRES DE BRUIT A ETE FAITE