Author: Sylvie JarrixPublisher:
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Languages : fr
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Book Description
Etude du bruit de fond basse frequence dans des transistors bipolaires a heterojonction A10, 3Ga0, 7As/GaAs et dans les structures de test de type TLM associees
Author: Sylvie JarrixEtude du bruit de fond dans les transistors bipolaires hyperfréquences à hétérojonction GaInP/GaAs
Author: Jean-Philippe RouxPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 346
Book Description
LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE PORTE SUR L'ETUDE ET LA MODELISATION DU BRUIT DE FOND DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH) GAINP/GAAS. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS UN RAPPEL SUR LES PARTICULARITES PHYSIQUES DE L'HETEROJONCTION GAINP/GAAS EN LES COMPARANT AVEC CELLES D'UNE STRUCTURE PLUS CLASSIQUE: L'HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. APRES AVOIR PRESENTE LA STRUCTURE EPITAXIALE DU TBH GAINP/GAAS, NOUS EXPOSONS LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE NOS COMPOSANTS EN INSISTANT PLUS PARTICULIEREMENT SUR LES GRANDEURS INFLUANT SUR LE BRUIT ELECTRIQUE. LA SECONDE PARTIE DE NOTRE MEMOIRE PORTE SUR LES SOURCES DE BRUIT DANS LES QUADRIPOLES LINEAIRES. APRES AVOIR RAPPELE LES OUTILS MATHEMATIQUES NECESSAIRES A L'ETUDE DU BRUIT, NOUS DRESSONS LE PANORAMA DES DIFFERENTES SOURCES DE BRUIT PRESENTES DANS LES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS. NOUS RAPPELONS ENSUITE LES DIFFERENTES TECHNIQUES UTILISEES POUR LA MESURE DU BRUIT DE FOND DANS LES COMPOSANTS ACTIFS. LE TROISIEME CHAPITRE DE NOTRE TRAVAIL EST CONSACRE A LA MESURE DES SOURCES DE BRUIT DANS UNE BANDE DE FREQUENCE ALLANT DE 300 KHZ A PLUSIEURS DIZAINES DE MHZ. A CE PROPOS, NOUS DECRIVONS LE BANC DE CARACTERISATION DEVELOPPE PAR NOS SOINS EN DETAILLANT LA METHODOLOGIE MISE EN UVRE POUR ACCEDER AUX PARAMETRES DE BRUIT DU COMPOSANT. NOUS PRESENTONS ALORS LES RESULTATS DE CARACTERISATIONS ET DE MODELISATION EFFECTUEES DANS LA GAMME DES FREQUENCES RADIO SUR DES TBH GAINP/GAAS EN METTANT EN EVIDENCE L'INFLUENCE DES DIMENSIONS GEOMETRIQUES SUR LES PERFORMANCES EN BRUIT. LA DERNIERE PARTIE DE NOTRE MEMOIRE EST CONSACREE A L'ETUDE DES COMPOSANTS DANS LE DOMAINE DES FREQUENCES MICROONDES JUSQU'A 22 GHZ. UNE METHODE DE DETERMINATION ORIGINALE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU SCHEMA EQUIVALENT PETIT SIGNAL DU TBH EST PROPOSEE, QUI FAIT APPEL A LA FOIS A LA MESURE DES PARAMETRES DYNAMIQUES (PARAMETRES S) ET DES PARAMETRES DE BRUIT
Bruit Basse Fréquence dans les transistors bipolaires à hétérojonction
Author: Cyril ChayPublisher: Editions Universitaires Europeennes
ISBN: 9783838180113
Category :
Languages : fr
Pages : 140
Book Description
Resume: Ce travail a consiste a caracteriser des transistors bipolaires a heterojonction par des mesures de bruit basse frequence (BF). Cette etude a porte sur deux types de composants: des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancees. Les mesures de bruit basse frequence sont effectuees en fonction de la polarisation sur des transistors presentant differents parametres technologiques (surface d'emetteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modeliser le bruit en 1/f associe au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les parametres SPICE utilises dans les modeles de simulation electrique des circuits. Un facteur de merite reliant les performances frequentielles et les performances en bruit BF a ete propose. Une etude de l'influence du stress electrique sur des transistors Si/SiGe a ete effectuee pour localiser les defauts et les sources de bruit associees.
ETUDE DU BRUIT DE FOND DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION Ga1-xAlxAs/GaAs
Author: Chusak LimsakulCaractérisation et bruit de fond de transistors bipolaires
Author: Yannick MourierPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 172
Book Description
L'OBJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DES SOURCES DE BRUIT BASSE FREQUENCE RESPONSABLES DES LIMITATIONS ELECTRIQUES DU COMPOSANT AINSI QUE L'EXTRACTION D'ELEMENTS D'UN SCHEMA EQUIVALENT PETIT SIGNAL A PARTIR DES MESURES HYPERFREQUENCES ET DE BRUIT BASSE FREQUENCE. NOUS AVONS ETUDIE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES POLYSILICIUM ISSUS D'UNE TECHNOLOGIE BICMOS 0.5 M ET DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION III-V MONTES SUR SUBSTRAT GAAS ET SUR SUBSTRAT INP. EN PARTICULIER, UNE MODELISATION DU BRUIT BASSE FREQUENCE EST PROPOSEE. LA LOCALISATION DES DIFFERENTS ETATS PIEGES RESPONSABLES DU BRUIT EN EXCES AU SEIN DE LA STRUCTURE EST ETUDIEE. UNE ETUDE DE LA CORRELATION ENTRE LES DIFFERENTES SOURCES DE BRUIT EST EFFECTUEE EN FONCTION DE LA RESISTANCE DE SOURCE. DE FACON GENERALE, LA SOURCE DE BRUIT EN COURANT ASSOCIEE AU COURANT BASE EST CONSIDEREE DOMINANTE DANS UN MONTAGE DIT HAUTE IMPEDANCE A SAVOIR UNE RESISTANCE DE SOURCE TRES SUPERIEURE A LA RESISTANCE D'ENTREE DYNAMIQUE DU COMPOSANT MONTE EN EMETTEUR COMMUN. LES MESURES DE COHERENCE ONT MIS EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DE LA SOURCE DE BRUIT EN EXCES ASSOCIEE AU COURANT COLLECTEUR DANS UN MONTAGE DIT BASSE IMPEDANCE A SAVOIR UNE RESISTANCE DE SOURCE FAIBLE DEVANT LA RESISTANCE D'ENTREE DYNAMIQUE. DES METHODES D'EXTRACTION DE RESISTANCE D'EMETTEUR ET DE RESISTANCE DE BASE BASEES SUR DES MESURES DE BRUIT BLANC, SUR L'EXTRACTION DES DIFFERENTES DENSITES SPECTRALES ET SUR DES MESURES DE PARAMETRES S SONT PROPOSEES. UNE BONNE COMPATIBILITE ENTRE CES DIFFERENTES METHODES EST OBSERVEE CE QUI PERMET DE VALIDER LES METHODES DE BRUIT BASSE FREQUENCE EMPLOYEES.
Etude du bruit basse fréquence dans les transistors bipolaires à hétérojonction issus de technologies avancées sur filières Si/SiGe et Si/SiGeC
Author: Cyril ChayBruit de fond , basse fréquence dans les transistors bipolaires à hétérojonction sur GaAs
Author: Robert PlanaEtude des phénomènes de bruit électrique dans les transistors bipolaires micro-ondes à hétérojonction Si/SiGe/Si
Author: Bart Van HaarenEtude du bruit de fond BF et HF dans les transistors bipolaires double polysilicium et dans les transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe et InP/GaInAs
Author: Annick PenarierBruit de fond dans les transistors à effet de champ et bipolaires pour micro-ondes
Author: Robert PlanaPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 390
Book Description
LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE A POUR OBJET L'ETUDE DES PHENOMENES DE BRUIT DE FOND ELECTRIQUE DANS LES TRANSISTORS POUR MICRO-ONDES DE TYPE EFFET DE CHAMP (MESFET, HEMT ET UNE NOUVELLE GENERATION LE HEMT PSEUDOMORPHIQUE PHEMT) ET DE TYPE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SUR GAAS (TBH). CE MEMOIRE EST DIVISE EN DEUX PARTIES: LA PREMIERE TRAITE DES PHENOMENES DE BRUIT EN EXCES QUI, DANS LA GAMME DES BASSES FREQUENCES, JOUENT UN ROLE IMPORTANT POUR LES PERFORMANCES DE FONCTIONS ANALOGIQUES NON LINEAIRES (OSCILLATEURS, MELANGEURS) ET LA SECONDE TRAITE DU BRUIT AUX FREQUENCES NORMALES D'UTILISATION QU'IL EST NECESSAIRE DE BIEN CONNAITRE SI L'ON VEUT REALISER DES FONCTIONS MICRO-ONDES LINEAIRES (AMPLIFICATEUR, FILTRE ACTIF). APRES DES RAPPELS CONCERNANT LES SOURCES DE BRUIT EN EXCES, NOUS PRESENTONS UNE ETUDE COMPLETE DE L'EVOLUTION DES SOURCES DE BRUIT EN FONCTION DE TEC GAAS AINSI QUE SUR DEUX FAMILLES DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SUR GAAS (GAALAS/GAAS ET GAINP/GAAS). CECI NOUS A PERMIS D'IDENTIFIER LES DIVERSES SOURCES DE BRUIT EN EXCES EXISTANTES DANS CES COMPOSANTS (1/F, G-R) ET DE DETERMINER LES FREQUENCES D'INTERCEPTION DU BRUIT EN EXCES AVEC LE BRUIT BLANC. DES VALEURS DE L'ORDRE DE 100 KHZ ONT ETE OBTENUES SUR DES TBH GAINP/GAAS CE QUI CONSTITUE UNE PERFORMANCE TRES INTERESSANTE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE MEMOIRE EST PLUS PARTICULIEREMENT CONSACREE A L'ANALYSE DU BRUIT AUX FREQUENCES MICRO-ONDES D'UNE PART DANS LES TEC GAAS OU UNE ETUDE EXPERIMENTALE EN FONCTION DE LA POLARISATION NOUS A PERMIS DE REMARQUER ENCORE LES EXCELLENTES PERFORMANCES DES COMPOSANTS PHEMT ET D'AUTRE PART DANS LES TBH SUR GAAS OU NOUS AVONS OBTENU SUR DES STRUCTURES GAINP/GAAS DES FACTEURS DE BRUIT MINIMUM INFERIEURS A 3 DB A 20 GHZ CE QUI CONSTITUE LE MEILLEUR RESULTAT RAPPORTE JUSQU'A PRESENT SUR DES TRANSISTORS BIPOLAIRES