Author: Javier Gonzalez VillarruelPublisher:
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Languages : fr
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Etude des structures differentielles a transistor a effet de champ sur arseniure de gallium dans la gamme microonde. Application
Author: Javier Gonzalez VillarruelPublisher:
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Languages : fr
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Étude des structures différentielles à transistor à effet de champ sur arséniure de Gallium dans la gamme microonde
Author: Javier Gonzalez VillarruelPublisher:
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Languages : fr
Pages : 19
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Les structures différentielles à transistor Mesfet dans la gamme microonde feront l'objet de ce mémoire. Nous analyserons l'influence de l'impédance de couplage dans la structure différentielle ainsi que dans le fonctionnement de l'amplificateur différentiel et des coupleurs actifs. Deux méthodes seront exposées pour la détermination de cette impédance. La première, graphique, permettra d'obtenir l'impédance de couplage et les paramètres du modèle électrique du Mesfet pour les différentes topologies utilisées. Pour montrer la faisabilité et l'application de ce type de circuits nous réaliserons deux coupleurs à 180 et 90 en technologie hybride, ainsi que trois autres coupleurs à 180 en technologie monolithique dans une bande plus large (1-10 GHz). D’autres applications des structures différentielles seront aussi exposées
Applications Des Transistors a Effet de Champ en Arseniure de Gallium
Author: R. SoaresContribution à la modélisation microonde des transistors à effet de champ sur Arseniure de Gallium soumis à un flux lumineux
Author: Jean-Luc GautierPublisher:
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Languages : fr
Pages : 218
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LES VARIATIONS DES ELEMENTS DU MODELE ELECTRIQUE EQUIVALENT EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE SONT PRESENTEES, ELLES MONTRENT QUE SEUL UN PETIT NOMBRE D'ENTRE EUX SUBISSENT UNE VARIATION SIGNIFICATIVE. LA POSSIBILITE DE COMMANDE DE LA FREQUENCE D'UN OSCILLATEUR PAR UN FLUX LUMINEUX EST MONTREE THEORIQUEMENT ET VERIFIEE EXPERIMENTALEMENT. L'ETUDE ET LA REALISATION DE DEUX AMPLIFICATEURS A BANDE ETROITE PERMETTENT DE METTRE EN EVIDENCE LA COMMANDE DU GAIN PAR LA LUMIERE AVEC UNE DYNAMIQUE POUVANT ATTEINDRE 20 DB
Analyse physique de transistors à effet de champ pour applications hyperfréquences, à l'aide de modèles macroscopiques bidimensionnels
Author: Michel RousseauPublisher:
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Languages : en
Pages : 50
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Ce mémoire présente une synthèse des résultats scientifiques obtenus au cours de quatre thèses co-dirigées. Ce travail a été réalisé à l'IEMN, dans le groupe de recherche 'Composants et dispositifs micro-ondes de puissance'. Ces travaux ont pour but de faire une analyse physique des transistors à effet de champ destinés à l'amplification microonde de puissance, à l'aide de modèles macroscopiques bidimensionnels. Différents modèles spécifiques ont été développés, chacun correspondant à un objectif précis. Tous ces modèles ont été validés, la plupart du temps par des comparaisons avec les résultats expérimentaux. Une fois validé, chaque modèle devient un outil permettant l'analyse physique de composants, très utile pour le technologue car capable d'aider à l'optimisation de structures. Le premier chapitre est consacré à l'élaboration d'un modèle hydrodynamique complet, prenant en compte les effets inertiels. Pour ce faire il faut inclure dans le modèle la résolution des équations du moment. Un certain nombre d'améliorations du modèle ont été effectuées à ce moment-là, comme par exemple la modélisation des interfaces que sont les hétérojonctions et la grille Schottky. Au cours de ce travail, nous avons montré que pour des transistors à effet de champ en arséniure de gallium il devient nécessaire d'utiliser un modèle hydrodynamique complet dès que la longueur de grille devient inférieure à 0,5 μm, sinon on surestime de façon importante le courant circulant entre drain et source, car on surestime le phénomène de survitesse. Le deuxième chapitre est consacré à l'analyse du claquage par avalanche dans les pHEMTs de la filière GaAs. Cette étude a demandé le développement d'un modèle bipolaire incluant la génération par impact. Différentes topologies du fossé de grille ont été étudiées, d'où il ressort que la topologie la plus intéressante est celle à double fossé de grille, et que l'optimisation du double fossé de grille dépend de la classe de fonctionnement. Nous avons également montré que pour réduire le courant de grille, il est préférable de n'utiliser qu'un seul plan de dopage. Le troisième chapitre décrit les travaux les plus récents, consacrés à la filière des matériaux à grande largeur de bande interdite. Une première analyse concerne les effets thermiques particulièrement marqués dans cette filière. Pour cela, un modèle électro-thermique a été mis au point. Nous avons ainsi expliqué la saturation du courant observée sur des motifs de type TLM réalisés sur des épitaxies de la filière nitrure de gallium; celle-ci est observée pour des champs électriques bien inférieurs au champ critique de ce matériau. L'influence du substrat sur la température de la zone active a également été étudiée. Cet outil est capable de prévoir quel sera l'échauffement de la structure pour un substrat donné, et d'évaluer quelles seront les pertes de performances du composant, du fait de cet échauffement. L'autre étude est consacrée à l'analyse des électrodes de champ plat, utilisées pour augmenter les tensions de claquage. Le mécanisme d'étalement du champ électrique a été mis en évidence ainsi que l'étalement de l'énergie. Les conséquences sur les éléments du schéma équivalent petits signaux ont également été étudiées. On a donc un modèle capable de permettre l'optimisation de ces électrodes de champ plat.
Contribution à l'étude des mécanismes de dégradation du transistor à effet de champ sur arséniure de galium
Author: Jean-Michel DumasANALYSE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME
Author: Jean-Louis CazauxPublisher:
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Languages : fr
Pages : 225
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UN NOUVEAU SIMULATEUR DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP METAL-SEMICONDUCTEUR (MESFET) EST PRESENTE DANS CE MEMOIRE. CE LOGICIEL, DENOMME SIMTEC, EST SPECIALEMENT CONCU POUR LES TRANSISTORS A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME. IL PERMET LA DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES STATIQUES, DE PRESQUE TOUS LES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES PRINCIPALES PERFORMANCES MICROONDES DU COMPOSANT
AMELIORATION DES PERFORMANCES DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM PAR L'OPTIMISATION DE LEURS ZONES D'ACCES
Author: FRANCOIS.. MURGADELLAPublisher:
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Languages : fr
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L'OBJET DE CETTE ETUDE EST L'OPTIMISATION DE LA GEOMETRIE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A GRILLE SCHOTTKY (MESFET), POUR UNE AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE EN CLASSE A. NOTRE OBJECTIF INITIAL, SOIT UNE PUISSANCE DE SORTIE DE 0,5 W/MM A 18 GHZ AVEC UN GAIN ASSOCIE SUPERIEUR A 10 DB, A ETE ATTEINT EN PROPOSANT UNE STRUCTURE DE GRILLE ENTERREE A ZONES D'ACCES SOURCE ET DRAIN DIFFERENCIEES. LA DEMARCHE QUI NOUS A CONDUIT A CE RESULTAT, CONSISTE, D'UNE PART A RECHERCHER LE MEILLEUR COMPROMIS POSSIBLE ENTRE UN COURANT DRAIN SOURCE MAXIMAL DISPONIBLE ELEVE, ET UNE FORTE TENSION DE CLAQUAGE GRILLE-DRAIN, ET D'AUTRE PART A MINIMISER LES ELEMENTS PARASITES AU DISPOSITIF INTRINSEQUE, AFIN D'OBTENIR UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION ELEVEE. AFIN DE DETERMINER LA CONTRIBUTION DES ELEMENTS EXTRINSEQUES (RESISTANCES ET CAPACITES), NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE DIFFERENTES STRUCTURES DE GRILLE ENTERREES SYMETRIQUES, EN BASANT NOTRE APPROCHE SUR LA DETERMINATION DE LA GEOMETRIE DE LA ZONE ACTIVE DE TRANSISTORS EFFECTIVEMENT REALISES, A L'AIDE D'UNE MICROSECTION TRANSVERSALE DE CEUX-CI. NOUS AVONS ALORS DETERMINE LES ELEMENTS DU SCHEMA PETIT SIGNAL DU TRANSISTOR INTRINSEQUE A L'AIDE D'UNE SIMULATION PARTICULAIRE MONTE-CARLO, PUIS LES ELEMENTS EXTRINSEQUES A L'AIDE DE CALCULS ALGORITHMIQUES. CES RESULTATS ONT ALORS ETE COMPARES AUX RESULTATS DE MESURES HYPERFREQUENCES. CETTE ETUDE NOUS A PERMIS DE DETERMINER UN OPTIMUM POUR UNE TOPOLOGIE SYMETRIQUE (0,5 W/MM AVEC UN GAIN DE 10 DB). AFIN D'AMELIORER CES PERFORMANCES, UNE STRUCTURE DISSYMETRIQUE ETAIT ALORS NECESSAIRE. LA TECHNOLOGIE A DOUBLE USINAGE DISSYMETRIQUE PROPOSEE NOUS PERMET D'OBTENIR UNE TENSION DE CLAQUAGE GRILLE-DRAIN ELEVEE (>30 V), AINSI QU'UN RENDEMENT AJOUTE PRES DE DEUX FOIS SUPERIEUR A CELUI DES MESFET A SIMPLE USINAGE SYMETRIQUE (42% CONTRE 26%). CETTE TOPOLOGIE PARAIT EGALEMENT PARTICULIEREMENT ADAPTEE A L'AMELIORATION DU RAPPORT D'ASPECT DES DISPOSITIFS, ET A UNE UTILISATION DANS UNE CHAINE D'AMPLIFICATION INTEGREE
Réalisation d'un transistor à effet de champ à grille isolée sur arséniure de gallium [microforme]
![Réalisation d'un transistor à effet de champ à grille isolée sur arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/KaEYQwAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Christian DubucPublisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612217485
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Languages : fr
Pages : 92
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Author: Marc-Yves Lienhart