Etude des proriétés électroniques de couches ultra minces de silice anodique PDF Download
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DES COUCHES ULTRA-MINCES DE SILICE ONT ETE PREPAREES PAR OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM DANS L'EAU PURE, A TEMPERATURE AMBIANTE. DES CAPACITES MOS METTANT EN JEU DE TELS OXYDES ONT ETE REALISEES EN UTILISANT LES TECHNIQUES CONVENTIONNELLES DE LA MICROELECTRONIQUE. AFIN D'ETUDIER LES PROPRIETES DE CES STRUCTURES ET L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE RECUIT, NOUS AVONS UTILISE LES DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION TELLES QUE L'ANALYSE DES COURBES C(V) QUASI STATIQUE OU LA METHODE DE LA CONDUCTANCE. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT DE FACON CONVAINCANTE QUE L'OXYDATION ANODIQUE PERMET D'OBTENIR DES OXYDES MINCES AYANT DE BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES A PARTIR DE 600#OC. AUX CHAMPS FORTS LA CONDUCTION EST DOMINEE PAR LE MECANISME TUNNEL DE FOWLER-NORDHEIM. LA VALEUR DE LA HAUTEUR DE BARRIERE A L'INTERFACE AL/SIO#2 OBTENUE APRES CORRECTION DE L'EFFET SCHOTTKY EST DE 3,1 EV. L'ETUDE DE LA VITESSE DE DISSOLUTION DE L'OXYDE ANODIQUE DANS HF A MIS EN EVIDENCE LA STRUCTURE POREUSE DES OXYDES ANODIQUES ET L'EFFET DE RESTRUCTURATION ET DENSIFICATION QUI ACCOMPAGNE LA PHASE DE RECUIT
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DES COUCHES ULTRA-MINCES DE SILICE ONT ETE PREPAREES PAR OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM DANS L'EAU PURE, A TEMPERATURE AMBIANTE. DES CAPACITES MOS METTANT EN JEU DE TELS OXYDES ONT ETE REALISEES EN UTILISANT LES TECHNIQUES CONVENTIONNELLES DE LA MICROELECTRONIQUE. AFIN D'ETUDIER LES PROPRIETES DE CES STRUCTURES ET L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE RECUIT, NOUS AVONS UTILISE LES DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION TELLES QUE L'ANALYSE DES COURBES C(V) QUASI STATIQUE OU LA METHODE DE LA CONDUCTANCE. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT DE FACON CONVAINCANTE QUE L'OXYDATION ANODIQUE PERMET D'OBTENIR DES OXYDES MINCES AYANT DE BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES A PARTIR DE 600#OC. AUX CHAMPS FORTS LA CONDUCTION EST DOMINEE PAR LE MECANISME TUNNEL DE FOWLER-NORDHEIM. LA VALEUR DE LA HAUTEUR DE BARRIERE A L'INTERFACE AL/SIO#2 OBTENUE APRES CORRECTION DE L'EFFET SCHOTTKY EST DE 3,1 EV. L'ETUDE DE LA VITESSE DE DISSOLUTION DE L'OXYDE ANODIQUE DANS HF A MIS EN EVIDENCE LA STRUCTURE POREUSE DES OXYDES ANODIQUES ET L'EFFET DE RESTRUCTURATION ET DENSIFICATION QUI ACCOMPAGNE LA PHASE DE RECUIT
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L'ETUDE EST FAITE SUR DES COUCHES D'EPAISSEUR INFERIEURE A 100 A. UNE SYNTHESE BIBLIOGRAPHIQUE FAIT APPARAITRE DE NOUVEAUX PROBLEMES POSES PAR LES COUCHES DE SILICES ULTRAMINCES ET LES INSUFFISANCES D'UNE MODELISATION MACROSCOPIQUE DES MECANISMES DE CROISSANCE OU DES PROPRIETES ELECTRIQUES. LES MECANISMES PHYSIQUES DE CONDUCTION ET DE DEGRADATION DANS CES MATERIAUX SONT TRAITES
Author: Zhiwen Sun Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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DES COUCHES MINCES DE SRRIO::(3) ET DE ITO ONT ETE ELABOREES PAR PULVERISATION CATHODIQUE R-F, ET CELLES DE TL::(2)O::(3) PAR OXYDATION ANODIQUE. ETUDE DE LEURS PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES. REALISATION DE CELLULES SOLAIRES A BASE DE CES JONCTIONS SILICIUM/OXYDE. PERFORMANCES ELECTRIQUES ET RENDEMENT DE CONVERSION
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ETUDE DU SYSTEME HYDROGENE-SILICIUM SUIVANT LES CONDITIONS DE PREPARATION PAR CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOCONDUCTIVITE, DIFFUSION RAMAN, RPE, TRANSMISSION DANS L'IR. ANALYSE DE LA TRANSITION AMORPHE-MICROCRISTAL, CONDITIONS DE PREPARATION DE COUCHES MICROCRISTALLINES POUR UNE OBTENTION A BASSE TEMPERATURE
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L'intégration de plus en plus importante des composants exige une diminution de l'épaisseur d'oxyde qui est à l'origine de courants de fuite de grille entraînant la dégradation des technologies CMOS. Nous touchons actuellement aux limites physiques des couches de silice, alors que les matériaux susceptibles de remplacer la silice ne sont toujours pas opérationnels, il est donc capital de mettre en évidence et de caractériser les processus de dégradation mis en jeu lors de l'utilisation même des composants. Sur des structures MOS d'épaisseur d'oxyde inférieure à 3nm, nous avons suivi la dégradation du courant de fuite de grille (LVSILC) et de l'interface Si/SiO2, sous différentes contraintes électriques. A partir de nos résultats, nous avons montré que l'augmentation du LVSILC n'était pas due simplement à l'augmentation des états d'interface mais qu'il pouvait y avoir une contribution de pièges dans l'oxyde, induit par la libération d'espèces hydrogénées dans le volume de l'oxyde.
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ETUDE DE LA CRISTALLISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE DEPOSEES SUR DE LA SILICE AMORPHE. ABSORPTION OPTIQUE DE CES POLYCRISTAUX DE FAIBLES DIMENSIONS ET COMPARAISON AVEC LE MATERIAU AMORPHE. CONDUCTIVITE ELECTRIQUE. EFFET DU SUPPORT SUR LA COUCHE DEPOSEE. ETUDE DE LA CRISTALLISATION PAR RPE ET DIFFUSION RAMAN. EFFETS SUR LA CRISTALLISATION DE LASERS DECLENCHES OU EN CONTINU. LES MATERIAUX OBTENUS SONT ADAPTES A LA CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE DE L'ENERGIE SOLAIRE DANS UNE CONFIGURATION DE DIODE SCHOTTKY
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ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES MINCES OBTENUES PAR EVAPORATION THERMIQUE DE LA POUDRE DE MONOXYDE DE SILICIUM DANS DES CONDITIONS PRECISES SOUS FORME DE STRUCTURES SYMETRIQUES AL-SIO-AL OU DISSYMETRIQUES AL-SIO-NI
Author: Bécharia Nadji
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