Author: Claude Boemare
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 276
Book Description
NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DETAILLEE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES REALISEE EN EPITAXIE PAR DEPOT D'ORGANOMETALLIQUE. LES ARCHITECTURES DE CES HETEROSTRUCTURES REALISEES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS A GRANDS GAP VONT DE LA SIMPLE HETERO-EPITAXIE AUX SUPER RESEAUX EN PASSANT PAR LES PUITS QUANTIQUES. LE CONTROLE DE L'HOMOGENEITE DES DEPOTS EST MIS EN EVIDENCE A TRAVERS UNE APPROCHE ORIGINALE UTILISANT LA PHYSIQUE DES EXCITATIONS ELEMENTAIRES: NOUS METTONS EN EVIDENCE APRES UNE MODELISATION SEMICLASSIQUE DE LA REFLECTANCE AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES, LA QUANTIFICATION DES MODES PHOTONS DU POLARITON. DANS LE CAS DES STRUCTURES A CONFINEMENT SPATIAL DES PORTEURS DE CHARGE, UN MODELE COMPLET FAISANT APPEL AUX MECANISMES THERMO-INDUIT DE PIEGEAGE ET D'ECHAPPEMENT DES PORTEURS DE CHARGES NOUS PERMET DE RENDRE COMPTE QUANTITATIVEMENT DES MECANISMES PHYSIQUE REGISSANT L'EMISSION DE LUMIERE DANS CES MATERIAUX
Etude des propriétés optiques d'hétérostructures basées sur les semiconducteurs ZnSe, ZnSSe, ZnMgSSe élaborés par MOVPE
Author: Claude Boemare
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 276
Book Description
NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DETAILLEE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES REALISEE EN EPITAXIE PAR DEPOT D'ORGANOMETALLIQUE. LES ARCHITECTURES DE CES HETEROSTRUCTURES REALISEES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS A GRANDS GAP VONT DE LA SIMPLE HETERO-EPITAXIE AUX SUPER RESEAUX EN PASSANT PAR LES PUITS QUANTIQUES. LE CONTROLE DE L'HOMOGENEITE DES DEPOTS EST MIS EN EVIDENCE A TRAVERS UNE APPROCHE ORIGINALE UTILISANT LA PHYSIQUE DES EXCITATIONS ELEMENTAIRES: NOUS METTONS EN EVIDENCE APRES UNE MODELISATION SEMICLASSIQUE DE LA REFLECTANCE AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES, LA QUANTIFICATION DES MODES PHOTONS DU POLARITON. DANS LE CAS DES STRUCTURES A CONFINEMENT SPATIAL DES PORTEURS DE CHARGE, UN MODELE COMPLET FAISANT APPEL AUX MECANISMES THERMO-INDUIT DE PIEGEAGE ET D'ECHAPPEMENT DES PORTEURS DE CHARGES NOUS PERMET DE RENDRE COMPTE QUANTITATIVEMENT DES MECANISMES PHYSIQUE REGISSANT L'EMISSION DE LUMIERE DANS CES MATERIAUX
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 276
Book Description
NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DETAILLEE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES REALISEE EN EPITAXIE PAR DEPOT D'ORGANOMETALLIQUE. LES ARCHITECTURES DE CES HETEROSTRUCTURES REALISEES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS A GRANDS GAP VONT DE LA SIMPLE HETERO-EPITAXIE AUX SUPER RESEAUX EN PASSANT PAR LES PUITS QUANTIQUES. LE CONTROLE DE L'HOMOGENEITE DES DEPOTS EST MIS EN EVIDENCE A TRAVERS UNE APPROCHE ORIGINALE UTILISANT LA PHYSIQUE DES EXCITATIONS ELEMENTAIRES: NOUS METTONS EN EVIDENCE APRES UNE MODELISATION SEMICLASSIQUE DE LA REFLECTANCE AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES, LA QUANTIFICATION DES MODES PHOTONS DU POLARITON. DANS LE CAS DES STRUCTURES A CONFINEMENT SPATIAL DES PORTEURS DE CHARGE, UN MODELE COMPLET FAISANT APPEL AUX MECANISMES THERMO-INDUIT DE PIEGEAGE ET D'ECHAPPEMENT DES PORTEURS DE CHARGES NOUS PERMET DE RENDRE COMPTE QUANTITATIVEMENT DES MECANISMES PHYSIQUE REGISSANT L'EMISSION DE LUMIERE DANS CES MATERIAUX