ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS-GAALAS DANS LE DOMAINE DE L'INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE PDF Download

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ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS-GAALAS DANS LE DOMAINE DE L'INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE

ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS-GAALAS DANS LE DOMAINE DE L'INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE PDF Author: Nathalie Herschkorn
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Book Description
REALISATION DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. MODELISATION DE L'ABSORPTION INTRABANDE RESONNANTE EN PRENANT EN COMPTE LA DISPERSION DES DIFFERENTES SOUS-BANDES, LES EFFETS A N CORPS ET LE DOPAGE DES MATERIAUX. OPTIMISATION D'UN MODULATEUR D'AMPLITUDE A LA LONGUEUR D'ONDE 10,6 M COMMANDE ELECTRIQUEMENT GRACE A L'EFFET STRARK QUANTIQUE. ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS PAR DIFFRACTION RX ET PHOTOLUMINESCENCE. REALISATION D'UNE STRUCTURE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINEE A MODULER EN AMPLITUDE UN FAISCEAU DE LONGUEUR D'ONDE 10,6 M

ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS-GAALAS DANS LE DOMAINE DE L'INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE

ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS-GAALAS DANS LE DOMAINE DE L'INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE PDF Author: Nathalie Herschkorn
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REALISATION DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. MODELISATION DE L'ABSORPTION INTRABANDE RESONNANTE EN PRENANT EN COMPTE LA DISPERSION DES DIFFERENTES SOUS-BANDES, LES EFFETS A N CORPS ET LE DOPAGE DES MATERIAUX. OPTIMISATION D'UN MODULATEUR D'AMPLITUDE A LA LONGUEUR D'ONDE 10,6 M COMMANDE ELECTRIQUEMENT GRACE A L'EFFET STRARK QUANTIQUE. ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS PAR DIFFRACTION RX ET PHOTOLUMINESCENCE. REALISATION D'UNE STRUCTURE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINEE A MODULER EN AMPLITUDE UN FAISCEAU DE LONGUEUR D'ONDE 10,6 M

ETUDE PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES NON DOPEES ET DOPEES AU SILICIUM OU AU BERYLLIUM

ETUDE PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES NON DOPEES ET DOPEES AU SILICIUM OU AU BERYLLIUM PDF Author: DOMINIQUE.. BOFFETY
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Pages : 175

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DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES UNIQUES OU MULTIPLES, ELABOREES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES, SONT ETUDIEES PAR DEUX METHODES SPECTROSCOPIQUES CLASSIQUES, LA PHOTOLUMINESCENCE ET LA REFLECTIVITE, ET, POUR LA PREMIERE FOIS, PAR UNE TECHNIQUE ORIGINALE, L'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT). ELLES SONT NON DOPEES OU DOPEES AVEC DES ATOMES DONNEURS (SILICIUM) OU ACCEPTEURS (BERYLLIUM). POUR CE TYPE DE STRUCTURES SEMICONDUCTRICES, REALISEES SUR SUBSTRATS ABSORBANTS DANS LE DOMAINE D'ENERGIE DES TRANSITIONS DES PUITS, LA FORME INHABITUELLE DES SIGNAUX OBSERVES DANS LES SPECTRES D'AODT S'EXPLIQUE PRINCIPALEMENT PAR DES VARIATIONS DE L'INTENSITE LUMINEUSE REFLECHIE PAR LES INTERFACES AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES. LES SIGNAUX D'AODT SONT COMPLEMENTAIRES DE CEUX DE REFLECTIVITE. LA MODELISATION DES SPECTRES DE REFLECTIVITE A PERMIS DE DETERMINER LA POSITION EN ENERGIE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES. L'ALLURE DES SIGNAUX D'AODT ET DE REFLECTIVITE EST TRES SENSIBLE A L'EPAISSEUR DE LA COUCHE BARRIERE DE SURFACE. DES RECOMBINAISONS D'EXCITONS LIES A DES IMPURETES SUPERFICIELLES NEUTRES (DX, AX) ET NIVEAU D'IMPURETE-NIVEAU DE CONFINEMENT FONDAMENTAL DES PORTEURS (DH, EA) SONT IDENTIFIEES EN ANALYSANT LE COMPORTEMENT DES SPECTRES DE PHOTOLUMINESCENCE DES ECHANTILLONS DOPES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA PUISSANCE D'EXCITATION. L'ENERGIE DE LOCALISATION DE L'EXCITON SUR LE DONNEUR NEUTRE, SITUE AU CENTRE DES PUITS, PASSE PAR UN MAXIMUM, VERS 100A, LORSQUE LA LARGEUR DE PUITS DIMINUE TANDIS QU'UNE EVOLUTION STRICTEMENT MONOTONE EST OBSERVEE, ENTRE 300 ET 50A, POUR L'EXCITON PIEGE SUR L'ACCEPTEUR NEUTRE. ELLE DECROIT QUAND LA ZONE DE DOPAGE S'ELOIGNE DU CENTRE DES PUITS. LES VARIATIONS AVEC L'EPAISSEUR DES PUITS, ENTRE 28 ET 300A, DE L'ENERGIE DE LIAISON DE L'ATOME DE BERYLLIUM DANS SON ETAT FONDAMENTAL, DETERMINEE EXPERIMENTALEMENT, S'AVERENT ETRE EN EXCELLENT ACCORD AVEC LES THEORIES RECENTES, CONFIRMANT LA BONNE LOCALISATION DU DOPAGE AU CENTRE DES PUITS, MEME DANS CEUX DE PLUS FAIBLE EPAISSEUR (N0 MONOCOUCHES). DES TRANSITIONS DITES A DEUX TROUS IMPLIQUANT CETTE IMPURETE SONT DETECTEES, POUR LA PREMIERE FOIS PAR PHOTOLUMINESCENCE, DANS UN SYSTEME DE BASSE DIMENSIONALITE

ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS EN PROPAGATION GUIDEE

ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS EN PROPAGATION GUIDEE PDF Author: VASSILIKI.. VOLIOTIS
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Languages : fr
Pages : 110

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CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS DE COURTE PERIODE, PAR DES EXPERIENCES DE TRANSMISSION EN PROPAGATION GUIDEE, A BASSE TEMPERATURE. LA CARACTERISATION COMPLETE ET LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU GUIDE SONT ESSENTIELLES POUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ISOLES OU SUPER-RESEAUX IMMERGES DANS LES STRUCTURES GUIDANTES. DANS CETTE CONFIGURATION EXPERIMENTALE, NOUS DETERMINONS LES COEFFICIENTS D'ABSORPTION DANS LES DEUX DIRECTIONS DE POLARISATION, PARALLELE ET PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES ET NOUS EN DEDUISONS LES ENERGIES DE LIAISON ET LES FORCES D'OSCILLATEUR DES EXCITONS LOURDS ET LEGERS DES PUITS QUANTIQUES ETUDIES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LE FAIBLE COEFFICIENT D'ABSORPTION DES TRANSITIONS OPTIQUES ENTRE ELECTRONS CONFINES DANS DES VALLEES X D'ALAS ET DES TROUS SITUES SUR DES ETATS GAMMA DE GAAS, DANS DES SUPER-RESEAUX (GAAS) N (ALAS) M DE TYPE-II. LA COMPARAISON DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A UN CALCUL THEORIQUE DU COEFFICIENT D'ADSORPTION DANS UN SUPER-RESEAU DE TYPE-II A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DU PARAMETRE DE COUPLAGE ENTRE ETATS ELECTRONIQUES GAMMA DE GAAS ET X D'ALAS, RESPONSABLE DE LA FORCE D'OSCILLATEUR FINIE DES TRANSITIONS OPTIQUES

PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES INGAAS/GAAS ELABORES SOUS JETS MOLECULAIRES

PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES INGAAS/GAAS ELABORES SOUS JETS MOLECULAIRES PDF Author: CEDRIC.. MONIER
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Languages : fr
Pages : 180

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CE TRAVAIL A PORTE SUR UNE ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS IN#XGA#1#-#XAS/GAAS. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, DE REFLECTIVITE ET D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ONT ETE EFFECTUEES, AUX TEMPERATURES DE L'HELIUM LIQUIDE, SUR DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ELABORES RESPECTIVEMENT PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES (EJM) ET PAR EJM A PARTIR D'ORGANO-METALLIQUES (EJMOM). L'ANALYSE SPECTRALE (ENERGIES ET LARGEURS DES SIGNAUX) DES ECHANTILLONS EJM CONFIRME CLAIREMENT QUE LA TRANSITION 2D/3D DU MODE DE CROISSANCE, PAR FORMATION D'ILOTS COHERENTS (SANS DISLOCATIONS), EST REPOUSSEE ET QUE LES PHENOMENES DE SEGREGATION DES ATOMES D'INDIUM CONNAISSENT UNE LIMITATION LORSQU'ON ELOIGNE LE SYSTEME DE L'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE, EN REDUISANT LA TEMPERATURE DE CROISSANCE OU EN AUGMENTANT LA VITESSE DE CROISSANCE. LES RESULTATS OBTENUS SUR LES ECHANTILLONS EJMOM REVELENT UN EXCELLENT CONTROLE DE L'EPAISSEUR DES PUITS ; L'OBSERVATION DE RAIES DISCRETES DE PHOTOLUMINESCENCE, ATTRIBUEES A DES FLUCTUATIONS D'EPAISSEURS DES PUITS D'UNE MONOCOUCHE (MC), TEMOIGNE DE LA BONNE QUALITE DES INTERFACES (LARGES ETENDUES DES TERRASSES DANS LE PLAN DE CROISSANCE). DES MECANISMES DE TRANSFERTS INTERPUITS, PAR ACTIVATION THERMIQUE DES EXCITONS, SONT MIS EN EVIDENCE ET MODELISES. DANS LA GAMME D'EPAISSEUR DES PUITS (3-16 MC), UNE COMPARAISON ENTRE LES ENERGIES DES DIFFERENTES TRANSITIONS EXCITONIQUES OBSERVEES EN AODT ET CELLES CALCULEES EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE CONTRAINTE ET DE SEGREGATION A PERMIS DE FIXER, POUR LES DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ETUDIES, UNE VALEUR COMMUNE DU DECALAGE DE BANDES RELATIF Q#C DE 0,640,01 DANS LE DOMAINE DE COMPOSITION 0,2

PROPRIETES ELECTROOPTIQUES DES TRANSITIONS INTRABANDES DANS LES MULTIPUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS. APPLICATION A LA DETECTION INFRAROUGE

PROPRIETES ELECTROOPTIQUES DES TRANSITIONS INTRABANDES DANS LES MULTIPUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS. APPLICATION A LA DETECTION INFRAROUGE PDF Author: Éric Martinet
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Languages : fr
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Book Description
APRES UNE BREVE PRESENTATION DES DETECTEURS INFRAROUGE EN MODE PHOTOEMISSIF, L'EXPRESSION DE L'ABSORPTION INTERSOUSBANDE (ISB) ENTRE DEUX NIVEAUX CONFINES DANS LE PUITS EST DEVELOPPEE. LA PREMIERE PARTIE DU TRAVAIL CONCERNE LA POLARISABILITE ELECTRIQUE STATIQUE INDUITE PAR UNE EXCITATION OPTIQUE INTERSOUSBANDE. LE PHENOMENE NONLINEAIRE DE RECTIFICATION OPTIQUE EST MESURE DANS DES PUITS ASYMETRIQUES. UNE STRUCTURE DE DEUX PUITS COUPLES CONSTITUANT UN SYSTEME ASYMETRIQUE A TROIS NIVEAUX EST ENSUITE ETUDIEE, POUR LAQUELLE CET EFFET EST AUGMENTE DU FAIT DE LA PRESENCE D'UN NIVEAU METASTABLE. LA SECONDE PARTIE EST CONSACREE A LA PHOTOEMISSION DES ELECTRONS HORS DES PUITS QUANTIQUES DANS LES STRUCTURES POLARISEES ELECTRIQUEMENT. L'EXPRESSION DE L'EXCITATION OPTIQUE DIRECTE VERS DES NIVEAUX NON CONFINES EST OBTENUE. LE SPECTRE D'EMISSION DES PORTEURS PHOTOEXCITES DEPUIS UN NIVEAU QUASI-CONFINE EST COMPARE AU SPECTRE D'ABSORPTION. SOUS CHAMP ELECTRIQUE, LE DEPLACEMENT DIFFERENT DES SPECTRES DU PHOTOCOURANT ET D'ABSORPTION METTENT EN EVIDENCE LE CARACTERE SEQUENTIEL ABSORPTION PUIS TRANSFERT TUNNEL DE L'EMISSION DES PORTEURS PHOTOEXCITES DEPUIS UN NIVEAU QUASI-CONFINE. LA TROISIEME PARTIE PRESENTE LE TAUX DE TRANSFERT TUNNEL DES ELECTRONS HORS D'UN PUITS QUANTIQUE MESURE DIRECTEMENT EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE APPLIQUE. LA VARIATION DE CE TAUX DE TRANSFERT AVEC LE CHAMP ELECTRIQUE APPLIQUE EST EXPLIQUEE PAR L'AUGMENTATION DE LA TRANSPARENCE DE LA BARRIERE DE CONFINEMENT. TOUS CES CONCEPTS SONT ENFIN MIS A PROFIT POUR CONCEVOIR DES DETECTEURS DONT LA REPONSE SPECTRALE EST CONTROLEE ELECTRIQUEMENT, PAR EXEMPLE L'ACCORD SPECTRAL PAR EFFET STARK OU LA COMMUTATION BICOLORE

ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE

ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE PDF Author: PIERRE.. DISSEIX
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Languages : fr
Pages : 196

Book Description
CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS. LES PARTICULARITES DE CES DEUX SYSTEMES SONT, D'UNE PART, LE FORT DESACCORD DE MAILLE (-3,2% POUR INAS/INP ET -7,2% POUR INAS/GAAS), ET D'AUTRE PART, LES FAIBLES VALEURS DE L'ENERGIE DE BANDE INTERDITE ET DU COUPLAGE SPIN-ORBITE D'INAS CONDUISANT A DES MASSES EFFECTIVES PEU ELEVEES ET A UN COUPLAGE INTER-BANDES IMPORTANT. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ET DE REFLECTIVITE ONT ETE EFFECTUEES SUR DES PUITS QUANTIQUES SIMPLES INAS/INP D'UNE A TROIS MONOCOUCHES D'EPAISSEUR, ELABORES PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES, ET SUR DES MULTI-PUITS QUANTIQUES INAS/GAAS D'ENVIRON UNE MONOCOUCHE D'EPAISSEUR, REALISES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES. DIFFERENTES TRANSITIONS LIEES AUX PUITS D'INAS ONT ETE OBSERVEES ET LA SPECTROSCOPIE D'AODT A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE, POUR LA PREMIERE FOIS DANS LE SYSTEME INAS/INP, LA TRANSITION EXCITONIQUE IMPLIQUANT LES TROUS LEGERS. L'AJUSTEMENT DES ESTIMATIONS THEORIQUES AUX ENERGIES DES TRANSITIONS OBSERVEES A CONDUIT A LA DETERMINATION PRECISE DES DECALAGES DE BANDES AUX INTERFACES INAS/INP ET INAS/GAAS ET A L'OBTENTION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION LIE A LA REPARTITION DE L'INDIUM DANS LES MULTI-PUITS D'INAS/GAAS. LA MODELISATION NUMERIQUE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A NECESSITE LA MISE EN UVRE DE MODELES INCLUANT DE FACON SATISFAISANTE LES EFFETS CONJUGUES DES FORTES CONTRAINTES ET DES COUPLAGES ENTRE BANDES. EN PARTICULIER, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE PROCEDURE DE CALCUL PERMETTANT LA DETERMINATION CORRECTE DES ETATS DE VALENCE DANS UN PUITS QUANTIQUE CONTRAINT ET INCLUANT LE COUPLAGE ENTRE LA BANDE DES TROUS LEGERS ET LA BANDE SPIN-ORBITE QUI INTERVIENT PAR INTERACTION #K.#P VIA D'AUTRES BANDES ELOIGNEES

Propriétés optiques de puits quantiques GaInAsN/GaAs

Propriétés optiques de puits quantiques GaInAsN/GaAs PDF Author: Tarik Bouragba
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Languages : fr
Pages : 232

Book Description
Ce travail porte sur une étude expérimentale et théorique des propriétés optiques de puits quantiques contraints GaInAsN/GaAs élaborés par épitaxie sous jets moléculaires. Les transitions interbandes du puit GaInAsN sont étudiés par photoluminescence et absorption optique traitée thermiquement. Les énergies correspodantes sont calculées grâce à un modèle k.p. à 10 bandes traitant simultanément la contrainte et le couplage entre états électroniques de l'azote et de la bande de conduction de GaInAs. Le décalage des bandes de conduction contraint GaInAsN/GaAs et de la masse effective des porteurs sont déterminés. La force d'oscillateur et l'élargissement inhomogène des excitons ainsi que le coefficient d'absorption des puits sont extraits des spectres. Un recuit provoque un décalage vers le bleu des énergies de transition, qui résulte de l'interdiffusion In/Ga et du réarrangement local autour de l'azote.Cette réorganisation atomique conduit à une diminution du couplage de l'azote avec la bande de conduction

Structure électronique et propriétés optiques des hétérostructures InGaAs-GaAs

Structure électronique et propriétés optiques des hétérostructures InGaAs-GaAs PDF Author: Gérald Arnaud
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Languages : fr
Pages : 197

Book Description
CE TRAVAIL TRAITE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS ET MULTI-PUITS QUANTIQUES IN#XGA#1##XAS-GAAS POUR DIFFERENTES VALEURS DE LA COMPOSITION X ET DE DIFFERENTES LARGEURS DE PUITS. DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS AVONS DEVELOPPE LE FORMALISME NECESSAIRE AFIN D'OBTENIR LES ETATS PROPRES RELATIFS AUX FONCTIONS PROPRES DES ETATS LIES ET QUASI LIES DANS CES STRUCTURES. ENSUITE, NOUS AVONS TENTE D'ESTIMER LA VALEUR DE L'OFFSET DE BANDE MAL CONNU DANS CES SYSTEMES. ENFIN, DANS LA DERNIERE PARTIE NOUS AVONS EMPLOYE LA CONTRAINTE UNIAXIALE QUI NOUS A PERMIS D'IDENTIFIER SANS AMBIGUITE LE CARACTERE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES OBSERVEES. CELA APPORTE DES INFORMATIONS UTILES A PROPOS DE LA LOCALISATION DES TROUS LEGERS DANS CES SYSTEMES, PUISQUE LA QUESTION DE SAVOIR SI LA TRANSITION ELECTRON-TROU LEGER DE TYPE UN OU DE TYPE DEUX EST ENCORE OUVERTE

TRANSITIONS INTERSOUSBANDES PHOTO-INDUITES DANS LES PUITS QUANTIQUES ET SUPER-RESEAUX GAAS/(AL, GA) AS

TRANSITIONS INTERSOUSBANDES PHOTO-INDUITES DANS LES PUITS QUANTIQUES ET SUPER-RESEAUX GAAS/(AL, GA) AS PDF Author: PEDRO PEGUERO.. TRINDADE VAGOS
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Languages : fr
Pages : 217

Book Description
CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE DES TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS NON DOPES INDUITES PAR LE POMPAGE OPTIQUE DES TRANSITIONS INTERBANDES. APRES UNE BREVE DESCRIPTION THEORIQUE DES PROPRIETES DE CES TRANSITIONS, NOUS NOUS INTERESSONS A LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INTERSOUSBANDE PHOTO-INDUITE. CETTE TECHNIQUE NOUVELLE PERMET D'OBTENIR A LA FOIS DES SPECTRES INTERSOUSBANDES ET INTERBANDES AVEC UNE GRANDE SENSIBILITE ET RESOLUTION. ELLE PERMET AUSSI UNE ANALYSE DES MECANISMES MONO-MOLECULAIRES ET BI-MOLECULAIRES DE RELAXATION INTERBANDES. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE UNE APPLICATION DE L'ABSORPTION INTERSOUSBANDE PHOTO-INDUITE PORTANT SUR LA MODULATION TOUT-OPTIQUE. L'INSERTION DES PUITS QUANTIQUES DANS UNE STRUCTURE GUIDE D'ONDE PERMET DE REALISER DES MODULATEURS TOUT-OPTIQUE PERFORMANTS AVEC DES TAUX DE MODULATION PROCHE DE 100% POUR DES PUISSANCES POMPES DE QUELQUES MILLIWATTS. LEUR BANDE PASSANTE EST LIMITEE PAR LE TEMPS DE RELAXATION INTERBANDE ET PEUT ETRE AMELIOREE PAR UNE IMPLANTATION DE PROTONS. NOUS AVONS MONTRE QU'IL EST POSSIBLE D'INDUIRE UNE LUMINESCENCE INTERBANDE A HAUTE ENERGIE SOUS EXCITATION INTERSOUSBANDE. L'INTENSITE DE CETTE LUMINESCENCE INDUITE PERMET DE REMONTER AUX TEMPS DE RELAXATION INTERSOUSBANDES SANS AVOIR RECOURS A DES TECHNIQUES DE RESOLUTION TEMPORELLE SUBPICOSECONDE. L'ABSORPTION DES PHOTONS INFRAROUGES SE TRADUISANT PAR UNE EMISSION SE TRADUISANT PAR UNE EMISSION DE PHOTONS VISIBLES (OU PROCHE VISIBLE) CE PROCESSUS PEUT ETRE CONSIDERE COMME UN MECANISME DE UP-CONVERSION. MALGRE LA FAIBLE VALEUR DU RENDEMENT DE CETTE CONVERSION, CE NOUVEAU PROCESSUS PEUT ETRE MIS A PROFIT POUR LA CONCEPTION DE DETECTEURS INFRAROUGES. NOUS AVONS MONTRE QU'UN TEL DETECTEUR, BASE SUR LA CONVERSION DE PHOTONS, EST CARACTERISE PAR UNE DETECTIVITE AU MOINS SIMILAIRE A CELLE DES DETECTEURS CONVENTIONNELS A PUITS QUANTIQUES (QWIP'S). IL DEVRAIT PRESENTER UNE GRANDE SENSIBILITE ET LE PRINCIPE SE PRETE FACILEMENT A DES APPLICATIONS D'IMAGERIE. ENFIN, NOUS NOUS INTERESSONS AUX TRANSITIONS INTERSOUSBANDE X- EN BANDE DE CONDUCTION DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS. LE COUPLAGE X- EST INTRODUIT DANS UN MODELE DE KRONIG-PENNEY PAR BIAIS DES CONDITIONS DE RACCORDEMENT DES FONCTIONS ENVELOPPES AUX INTERFACES. L'EXPRESSION DU MOMENT DIPOLAIRE AINSI QUE LES REGLES DE SELECTION ASSOCIEES SONT ETABLIES. NOUS DISCUTONS ENSUITE UN CERTAIN NOMBRE D'EXPERIENCES AYANT POUR OBJECTIF LA MISE EN EVIDENCE DE CES TRANSITIONS

ETUDES DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES INGAAS/GAAS ET DE SUPERRESEAUX GAAS/ALAS ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS

ETUDES DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES INGAAS/GAAS ET DE SUPERRESEAUX GAAS/ALAS ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS PDF Author: MOHAMED.. REZKI
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Languages : fr
Pages : 193

Book Description
CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE, PAR PHOTOLUMINESCENCE, REFLECTIVITE ET ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT), DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INGAAS/GAAS ET DE SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A TRES COURTES PERIODES ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS. L'ANALYSE DES LARGEURS DES RAIES DE LUMINESCENCE ET DES DECALAGES DE STOKES, POUR UNE SERIE D'ECHANTILLONS DE COMPOSITION D'INDIUM VOISINE DE 12%, MONTRE QUE L'ARRET DE CROISSANCE EST INEFFICACE POUR DES PUITS RELATIVEMENT LARGES. LE MEME TYPE D'ANALYSE MET EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE TRANSITION 2D/3D DU MODE DE CROISSANCE AU-DELA D'UNE EPAISSEUR DE PUITS DE 6 MC POUR DES ECHANTILLONS A 35% D'INDIUM. L'AJUSTEMENT DES ENERGIES DES DIFFERENTES TRANSITIONS EXCITONIQUES OBSERVEES EN AODT, GRACE AU MODELE THEORIQUE INCLUANT LES EFFETS DE LA CONTRAINTE ET DE LA SEGREGATION D'INDIUM, A PERMIS DE DETERMINER AVEC UNE BONNE PRECISION LE DECALAGE RELATIF DE BANDE DE CONDUCTION Q#C (0,640,01). LA CROISSANCE DE SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A TRES COURTES PERIODES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS EST UNE IDEE ORIGINALE. ELLE UTILISE LES EFFETS DE CONTRAINTES INDUITES PAR LE DESACCORD ENTRE GAAS/ALAS ET INGAAS, POUR MODIFIER L'ORDONNANCEMENT DES NIVEAUX D'ENERGIE DANS LE SYSTEME GAAS/ALAS. SI LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A TRES COURTES PERIODES (2 A 6 MC) SONT INDIRECTS (X#X#Y) LORSQU'ILS SONT EPITAXIES SUR SUBSTRAT GAAS, ILS DEVIENNENT PSEUDODIRECTS (X#Z) LORSQU'ILS SONT ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS. LA SPECTROSCOPIE DE PIEZOMODULATION, SELECTIVE DANS LA SEPARATION TROUS LOURDS-TROUS LEGERS, A ETE DECISIVE POUR L'IDENTIFICATION DE LA TRANSITION FONDAMENTALE (ELECTRONS X#Z-TROUS LEGERS) DANS LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS ETUDIES. LE CALCUL DE L'ENERGIE DE CETTE TRANSITION A NECESSITE L'INCLUSION DU COUPLAGE ENTRE LA BANDE DES TROUS LEGERS ET LA BANDE SPIN-ORBITE.