ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES SUPER-RESEAUX DE FILS QUANTIQUES DE GAAS DELTA-DOPES ET GAAS PDF Download
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LE DECALAGE PERIODIQUE ET CONTROLE DE DISLOCATIONS APPELE METHODE DE LA SCIE ATOMIQUE A ETE UTILISE SUR DES SUPER-RESEAUX PLANAIRES -DOPES DE GAAS ET A BASE D'HETEROSTRUCTURES GAAS/ALAS AFIN DE REALISER DES SUPER-RESEAUX DE FILS QUANTIQUES. UNE ANALYSE DETAILLEE DES STRUCTURES DE BANDES ET DES DENSITES D'ETATS A MONTRE UNE PROFONDE RESTRUCTURATION ENERGETIQUE DANS LES ECHANTILLONS PLANAIRES. CECI SE TRADUIT PAR LA FORMATION DE MINIBANDES ET MINIGAPS DANS UNE ZONE DE BRILLOUIN A DEUX DIMENSIONS. LES EXPERIENCES MENEES EN PHOTOLUMINESCENCE ONT CONFIRME QUE CETTE RESTRUCTURATION AVAIT BIEN EU LIEU. LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE CES SYSTEMES UNIQUES, ONT ETE ETUDIE EN TRANSPORT SOUS CHAMP MAGNETIQUE INTENSE ET ELECTRIQUE. LA PRESENCE D'OSCILLATIONS DE MAGNETOPHONONS A FOURNI UNE PREMIERE ESTIMATION DES MASSES EFFECTIVES AU BAS DE BANDE TANDIS QUE LES OSCILLATIONS DE SHUBNIKOV DE HAAS ET L'EFFET HALL QUANTIQUE NOUS ONT RENSEIGNE SUR LES PHENOMENES DE COLLISIONS ET LES ELARGISSEMENTS DES NIVEAUX DE LANDAU A BASSE TEMPERATURE. L'OBTENTION ENFIN DE RESISTANCES DIFFERENTIELLES NEGATIVES DONT L'ORIGINE DEPEND DU NIVEAU DE STRUCTURATION DES ECHANTILLONS MAIS EGALEMENT DE PHENOMENES DE BISTABILITE ET D'AMPLIFICATION D'HYPERFREQUENCES OUVRE LA VOIE A LA REALISATION DE GENERATEURS HYPERFREQUENCES A ETAT SOLIDE BASES SUR DES SUPER-RESEAUX DE FILS QUANTIQUES.
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LE DECALAGE PERIODIQUE ET CONTROLE DE DISLOCATIONS APPELE METHODE DE LA SCIE ATOMIQUE A ETE UTILISE SUR DES SUPER-RESEAUX PLANAIRES -DOPES DE GAAS ET A BASE D'HETEROSTRUCTURES GAAS/ALAS AFIN DE REALISER DES SUPER-RESEAUX DE FILS QUANTIQUES. UNE ANALYSE DETAILLEE DES STRUCTURES DE BANDES ET DES DENSITES D'ETATS A MONTRE UNE PROFONDE RESTRUCTURATION ENERGETIQUE DANS LES ECHANTILLONS PLANAIRES. CECI SE TRADUIT PAR LA FORMATION DE MINIBANDES ET MINIGAPS DANS UNE ZONE DE BRILLOUIN A DEUX DIMENSIONS. LES EXPERIENCES MENEES EN PHOTOLUMINESCENCE ONT CONFIRME QUE CETTE RESTRUCTURATION AVAIT BIEN EU LIEU. LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE CES SYSTEMES UNIQUES, ONT ETE ETUDIE EN TRANSPORT SOUS CHAMP MAGNETIQUE INTENSE ET ELECTRIQUE. LA PRESENCE D'OSCILLATIONS DE MAGNETOPHONONS A FOURNI UNE PREMIERE ESTIMATION DES MASSES EFFECTIVES AU BAS DE BANDE TANDIS QUE LES OSCILLATIONS DE SHUBNIKOV DE HAAS ET L'EFFET HALL QUANTIQUE NOUS ONT RENSEIGNE SUR LES PHENOMENES DE COLLISIONS ET LES ELARGISSEMENTS DES NIVEAUX DE LANDAU A BASSE TEMPERATURE. L'OBTENTION ENFIN DE RESISTANCES DIFFERENTIELLES NEGATIVES DONT L'ORIGINE DEPEND DU NIVEAU DE STRUCTURATION DES ECHANTILLONS MAIS EGALEMENT DE PHENOMENES DE BISTABILITE ET D'AMPLIFICATION D'HYPERFREQUENCES OUVRE LA VOIE A LA REALISATION DE GENERATEURS HYPERFREQUENCES A ETAT SOLIDE BASES SUR DES SUPER-RESEAUX DE FILS QUANTIQUES.
Author: François Laruelle Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 152
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ETUDE DES SUPERRESEAUS SEMICONDUCTEURS QUASI PERIODIQUES CONSTRUITS SUR LA SUITE DE FIBONACCI, QUI NE SONT PAS INVARIANTS PAR TRANSLATION ET POSSEDENT UN ORDRE A LONGUE DISTANCE ET UNE PROPRIETE PROCHE DE L'AUTOSIMILITUDE, ET DE LEURS PROPRIETES PHYSIQUES AVEC DES APPROXIMATIONS PERIODIQUES SUCCESSIVES. CALCUL DES FACTEURS DE STRUCTURE PAR LA METHODE DE PROJECTION ET REPERAGE DES PICS DE DIFFRACTION DE RAYONS X AVEC DEUX INDICES. CALCUL DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DANS LE CADRE DE LA FONCTION ENVELOPPE AVEC DES MATIERES DE TRANSFERT POUR SUIVRE L'EFFET DU CHAMP ELECTRIQUE ET DES DEFAUTS SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE: INFLUENCE DES CONDITIONS D'EPITAXIE PAR FAISCEAU MOLECULAIRE SUR LA LARGEUR DE RAIE DE PHOTOLUMINESCENCE ET LEVEE DE DEGENERESCENCE DE LA BANDE DE VALENCE; EVOLUTION DE LA STRUCTURE DE BANDE ET LOCALISATIONS DES FONCTIONS D'ONDE A L'AIDE D'UN INVARIANT MESURANT LE DEGRE DE NON-COMMUTGATIVITE DES CONSTITUANTS DU SUPERRESEAU; PREDOMINANCE EN PIEGEAGE DES EXCITONS (QUI MASQUE L'OBSERVATION DU REGIME DE LOCALISATION VARIABLE DANS UN TYPE PARTICULIER DE SUPERRESEAU PERIODIQUE) DANS LES EXPERIENCES DE TRANSPORT PAR DIFFUSION DES PORTEURS "PHOTOCREES.
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CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS DE COURTE PERIODE, PAR DES EXPERIENCES DE TRANSMISSION EN PROPAGATION GUIDEE, A BASSE TEMPERATURE. LA CARACTERISATION COMPLETE ET LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU GUIDE SONT ESSENTIELLES POUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ISOLES OU SUPER-RESEAUX IMMERGES DANS LES STRUCTURES GUIDANTES. DANS CETTE CONFIGURATION EXPERIMENTALE, NOUS DETERMINONS LES COEFFICIENTS D'ABSORPTION DANS LES DEUX DIRECTIONS DE POLARISATION, PARALLELE ET PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES ET NOUS EN DEDUISONS LES ENERGIES DE LIAISON ET LES FORCES D'OSCILLATEUR DES EXCITONS LOURDS ET LEGERS DES PUITS QUANTIQUES ETUDIES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LE FAIBLE COEFFICIENT D'ABSORPTION DES TRANSITIONS OPTIQUES ENTRE ELECTRONS CONFINES DANS DES VALLEES X D'ALAS ET DES TROUS SITUES SUR DES ETATS GAMMA DE GAAS, DANS DES SUPER-RESEAUX (GAAS) N (ALAS) M DE TYPE-II. LA COMPARAISON DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A UN CALCUL THEORIQUE DU COEFFICIENT D'ADSORPTION DANS UN SUPER-RESEAU DE TYPE-II A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DU PARAMETRE DE COUPLAGE ENTRE ETATS ELECTRONIQUES GAMMA DE GAAS ET X D'ALAS, RESPONSABLE DE LA FORCE D'OSCILLATEUR FINIE DES TRANSITIONS OPTIQUES
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NOUS DECRIVONS L'ETUDE SYSTEMATIQUE, THEORIQUE ET EXPERIMENTALE, DES PROPRIETES OPTIQUES DE SUPER-RESEAUX LATERAUX GAALAS REALISES SUR DES SURFACES VICINALES. POUR DISTINGUER L'INFLUENCE EXACTE DE LA PERIODE LATERALE ET DE L'ANGLE D'INCLINAISON, NOUS AVONS CONCU UNE STRUCTURE D'ECHANTILLON QUI PERMET, PAR LA MESURE DE LA PHOTOLUMINESCENCE DE DEUX PUITS DE REFERENCE, D'EVALUER LES PARAMETRES DU SUPER-RESEAU. LE DECALAGE VERS LES BASSES ENERGIES MESURE EN PHOTOLUMINESCENCE DANS LES SUPER-RESEAUX CORRESPOND, D'APRES NOS CALCULS, A UNE MODULATION LATERALE DE POTENTIEL, RESPECTIVEMENT DE 50 ET 25 MEV DANS LA BANDE DE VALENCE ET DANS LA BANDE DE CONDUCTION. LE CALCUL ET LES EXPERIENCES MONTRENT LA TRANSITION GRADUELLE DE DIMENSIONNALITE, LORSQUE LA PERIODICITE LATERALE EST REDUITE DE 32 A 8 NM. POUR UNE PERIODE DE 32 NM, LE SYSTEME FORME UN RESEAU DE FILS QUANTIQUES. SON SPECTRE DE POLARISATION EST FINEMENT STRUCTURE EN ACCORD QUALITATIF AVEC NOS CALCULS. LES OSCILLATIONS PRONONCEES DE POLARISATION REVELENT DES TRANSITIONS, QUI NE SONT PAS RESOLUES DANS LES SPECTRES D'EXCITATION, ET QUI POURRAIENT ETRE ATTRIBUEES A DES SOUS-BANDES LATERALES. POUR UNE PERIODE DE 8 NM, EN REVANCHE, LE SYSTEME EST QUASI-BIDIMENSIONNEL ET LE TAUX DE POLARISATION LINEAIRE EST TRES FAIBLE. LE DECALAGE SPECTRAL DE LA PHOTOLUMINESCENCE ET LA POLARISATION LINEAIRE VARIENT LE LONG DE L'ECHANTILLON ET PRESENTENT LEUR MAXIMUM A L'ENDROIT OU LE SUPER-RESEAU EST VERTICAL. NOTRE EXPERIENCE PERMET DONC DE DETERMINER LA REGION OU LE TAUX DE COUVERTURE EST EGAL A 1, AVEC UNE PRECISION INFERIEURE AU POUR-CENT. LORSQUE LE TAUX DE COUVERTURE S'ECARTE DE 1, LE DECALAGE SPECTRAL ET LA POLARISATION DIMINUENT ET TENDENT VERS ZERO, REFLETANT AINSI, EN ACCORD AVEC LES CALCULS, LE CHANGEMENT DE DIMENSIONNALITE DE 1 A 2, LORSQUE LE SUPER-RESEAU EVOLUE D'UN SUPER-RESEAU VERTICAL A UN SUPER-RESEAU INCLINE
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MON TRAVAIL PRESENTE LES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRONIQUES DES FILS QUANTIQUES (110) ET DES SUPERRESEAUX (311). PREMIEREMENT, J'ETUDIE LA DENSITE DE PROBABILITE DU PREMIER NIVEAU DE CONDUCTION, DU PREMIER ET DU DEUXIEME NIVEAU DE VALENCE DE SIX ECHANTILLONS DE FILS QUANTIQUES (QUATRE FILS QUANTIQUES ORIENTES: Z648, Z671, Z682 ET Z694 ET DEUX FILS QUANTIQUES DESORIENTES: Z698 ET Z699). LA COMPARAISON AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX (CONFINEMENT DES NIVEAUX D'ENERGIES) EST SATISFAISANTE. DEUXIEMEMENT, J'ETUDIE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS (311) A L'INTERIEUR DE LA ZONE DE BRILLOUIN EN UTILISANT LES PARAMETRES TIGHT BINDING DE L'HAMILTONIEN. LA NATURE ET LA LOCALISATION DU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION POUR CES STRUCTURES DE FAIBLE SYMETRIE EST ETUDIEE ET LEUR ORIGINE EST AUSSI ETUDIE EN FONCTION DU NOMBRE DE COUCHES. LA TRANSITION DU GAP DIRECT VERS LE GAP INDIRECT A LIEU POUR L = 3 NM QUI EST EGALE A L'EPAISSEUR POUR LAQUELLE LE CROISEMENT DES ETATS -X A LIEU DANS LES SUPERRESEAUX (100). TROISIEMEMENT, JE DECRIS L'ANISOTROPIE DANS LE PLAN (311) DES TRANSITIONS OPTIQUES ET L'INTENSITE RELATIVE DEPEND DU NOMBRE DE COUCHES ET DE LA NATURE DES ETATS QUI CONTRIBUENT A LA TRANSITION. LA COMPARAISON AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX EST AUSSI SATISFAISANTE
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CE TRAVAIL COMPORTE DEUX PARTIES: LA PREMIERE EST UNE MISE AU POINT DE LA TECHNIQUE BRIDGMAN HORIZONTALE DE CROISSANCE DES CRISTAUX DE GaAs. NOUS AVONS DETERMINE LES CONDITIONS QUI CONDUISENT A DES MONOCRISTAUX STCHIOMETRIQUES DE BONNE QUALITE CRISTALLINE ET DE HAUTE PURETE. CES DERNIERES SONT ANALYSEES PAR LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE, PAR LA TECHNIQUE DE PIQURES D'ATTAQUE ET PAR L'ANALYSE IONIQUE. NOUS AVONS ENFIN INTRODUIT DES ELEMENTS DE TRANSITIONS ET DES TERRES RARES DANS CE MATERIAU. LA DEUXIEME EST L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES SYSTEMES GaAs/Ga1-x AlxAs PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOCOURANT. NOUS AVONS ETUDIE LA TRANSITION TYPE 1/TYPE 2 (DIRECTE/INDIRECTE) DANS LES SUPER-RESEAUX DE COURTES PERIODES GaAs/AlAs. LA COMPARAISON DES INTENSITES DES TRANSITIONS AINSI QUE LES ETUDES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE REVELENT UN FAIBLE COUPLAGE ENTRE LES ETATS ELECTRONIQUES DE CENTRE DE ZONE DE BRILLOUIN ET LES ETATS ELECTRONIQUES ISSUS DU MINIMUM X. NOUS AVONS MONTRE QUE L'APPLICATION D'UN CHAMP ELECTRIQUE AU SUPER-RESEAU LOCALISE LES FONCTIONS D'ONDE. CE PHENOMENE LIE A LA SUPER-PERIODICITE DANS CES STRUCTURES N'A JAMAIS ETE OBSERVE DANS LES CRISTAUX MASSIFS. DES MODELES SIMPLES ONT PERMIS D'INTERPRETER LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. ENFIN, NOUS AVONS EXAMINE LES EFFETS DU CHAMP ELECTRIQUE SUR LES SUPER-RESEAUX DE FIBONACCI
Author: Philippe Sellitto Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 338
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LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A COURTE PERIODE (P=37A) DOPES SILICIUM, EST CONTROLEE PRINCIPALEMENT PAR LES CENTRES DX DONT LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS RESULTENT DE L'ENVIRONNEMENT IMMEDIAT DE L'ATOME DE SILICIUM. LES SUPERRESEAUX ETUDIES PRESENTENT LA MEME PERIODE MAIS DIFFERENT PAR LE TAUX D'ALUMINIUM (X=35%, X=23%) ET LE DOPAGE. AFIN D'ISOLER LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS DU CENTRE DX, LE DOPANT A ETE INTRODUIT DE MANIERE SELECTIVE ET PLANAIRE DANS GAAS, ALAS OU A L'INTERFACE. GRACE A UNE METHODE D'INVESTIGATION ORIGINALE COUPLANT LES TECHNIQUES DE TRANSPORT (EFFET HALL, PHOTOHALL, PHOTOCONDUCTIVITE), AUX TECHNIQUES DE HAUTES PRESSIONS HYDROSTATIQUES ENTRE 0 ET 15 KBAR, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE L'INTERDIFFUSION DU DOPANT ET EFFECTUER UNE SPECTROSCOPIE ENERGETIQUE DES DIFFERENTES CONFIGURATIONS DU CENTRE DX. PAR AILLEURS, UNE MODELISATION DE L'EFFET HALL A ETE REALISEE EN SE PLACANT DANS LE MODELE DU DOUBLE DONNEUR A U-NEGATIF, CE QUI NOUS A PERMIS D'UNE PART DE QUANTIFIER L'INTERDIFFUSION, ET D'AUTRE PART D'ATTEINDRE LA POSITION ENERGETIQUE DES NIVEAUX DX. UN AUTRE ASPECT DE CE TRAVAIL CONSISTE EN UNE ETUDE SPECIFIQUE DES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS EN VUE D'UNE APPLICATION CAPTEUR DE PRESSION
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NOUS DECRIVONS DANS CE MEMOIRE LES PROPRIETES OPTIQUES DE RESEAUX PERIODIQUES DE FILS QUANTIQUES REALISES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DE SEMICONDUCTEURS III-V ALAS/GAAS SUR SUBSTRATS VICINAUX. NOUS REALISONS UNE ETUDE SYSTEMATIQUE EN FONCTION DE LEUR INCLINAISON, QUI PERMET DE CONTROLER L'AMPLITUDE DU CONFINEMENT UNIDIMENSIONNEL AINSI QUE SES SYMETRIES. LES SPECTRES D'ABSORPTION DE RESEAUX DE FILS NON DOPES PRESENTENT DE NOUVELLES TRANSITIONS EXCITONIQUES QUI ATTESTENT DE LA FORMATION DE MINIBANDES 1D ET DE L'OUVERTURE DE MINIGAPS EN BANDES DE CONDUCTION ET DE VALENCE. ENFIN, DE FORTES INTERACTIONS EXCITON-EXCITON SONT MESUREES, QUI S'EXPLIQUENT EN TERMES DE MELANGE EN BANDE DE VALENCE ET DU CONFINEMENT PERIODIQUE 1D, DANS UN REGIME OU L'EXTENSION DES MINIZONES DE BRILLOUIN LATERALES /L#X EST DE L'ORDRE DU RAYON DE BOHR EXCITONIQUE INVERSE 1/A#B. LES STRUCTURES DOPEES SELECTIVEMENT MONTRENT QUANT A ELLES DES PROPRIETES GOUVERNEES A LA FOIS PAR LE CONFINEMENT 1D PERIODIQUE (COUPLAGES INTER-SOUS-BANDES) ET PAR LA LOCALISATION ANISOTROPE DES TROUS PHOTOCREES EN BANDE DE VALENCE (PROPRIETES DE POLARISATION LINEAIRE, REGLES DE SELECTION OPTIQUE EN (MAGNETO)-PHOTOLUMINESCENCE). ENFIN, NOUS DISCUTONS DES SINGULARITES AU NIVEAU DE FERMI, PHENOMENE TRADITIONNELLEMENT ATTRIBUE A L'INTERACTION COULOMBIENNE ENTRE PORTEURS PHOTOCREES DE VALENCE ET LE GAZ DEGENERE D'ELECTRONS DE CONDUCTION. NOUS EN PROPOSONS UNE EXPLICATION ALTERNATIVE DANS UN FORMALISME DE RESONANCE DE FANO, QUI EXPLIQUE QUANTITATIVEMENT LES SINGULARITES OBSERVEES DANS DES GAZ 2D (GOUVERNEES PAR LE DESORDRE D'ALLIAGE) ET CELLES DES GAZ 2D MODULES (GOUVERNEES PAR LES COUPLAGES INTER-SOUS-BANDES).
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NOUS AVONS APPLIQUE DES MESURES DE SPECTROSCOPIE CAPACITIVE (DLTS) ET OPTIQUE A LA CARACTERISATION DU CENTRE DX DANS DES SUPER-RESEAUX (SR) GAAS-ALAS ET DANS DES ALLIAGES GAALAS DOPES SILICIUM ET EPITAXIES PAR JETS MOLECULAIRES. NOUS MONTRONS QUE LE DX QUI APPARAIT SUR LES SR GAAS-ALAS EST DU A LA PRESENCE DE SILICIUM DANS LES COUCHES ALAS, LEQUEL FORME LE NIVEAU DX DE PLUS BASSE ENERGIE RELATIVEMENT AU MINIMUM DE LA BANDE DE CONDUCTION DE GAAS. IL EST POSSIBLE DE REDUIRE LA CONCENTRATION DE CE CENTRE EN DOPANT SELECTIVEMENT LES SR DANS GAAS, EN LIMITANT LA DIFFUSION DE SILICIUM DANS LES BARRIERES ALAS, ET EN CHOISISSANT LES EPAISSEURS DES PUITS ET BARRIERES TELLES QUE LE CENTRE DX DEVIENNE RESONNANT DANS LA MINIBANDE. DANS LA SECONDE PARTIE NOUS AVONS ETUDIE L'EMISSION D'ELECTRONS A PARTIR DE PUITS QUANTIQUE GAAS CONFINE SOIT PAR UN ALLIAGE GAALAS SOIT PAR UN SUPER-RESEAU GAAS-GAALAS. LE PUITS AGIT TEL UN PIEGE GEANT EN CAPTURANT ET EN EMETTANT DES PORTEURS PAR DESSUS LA BARRIERE DEFINIE PAR LA DISCONTINUITE DE BANDES. LES PICS DLTS TRAITEES DE FACON CLASSIQUE NE PERMETTENT PAS DE TIRER UNE VALEUR DE LA DISCONTINUITE DE BANDE. CETTE DERNIERE PEUT ETRE DETERMINEE A PARTIR DE MESURES DE SPECTROSCOPIE D'ADMITTANCE ET UNE REPARTITION DE LA DISCONTINUITE DE BANDE EST TROUVEE EN BON ACCORD AVEC LA VALEUR ADMISE ACTUELLEMENT. NOUS AVONS AUSSI CARACTERISE DES DEFAUTS DANS DES SUPER-RESEAUX GAAS-GAALAS DE DIFFERENTES PERIODES EPITAXIES EN PHASE VAPEUR A PARTIR D'ORGANO-METALLIQUE. LES RESULTATS SONT INTERPRETES SUIVANT QU'IL EXISTE DANS LA STRUCTURE UNE MINIBANDE OU QUE LES PUITS SONT DECOUPLES
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Dans les structures à puits quantiques sont calculés les niveaux d'impuretés et les niveaux excitoniques. Pour ce faire, après une étude de l'approximation de masse effective à trois dimensions (couramment utilisée pour décrire des superréseaux) et de ses limites de validité, est proposée une équation de masse effective à deux dimensions, mieux adaptée à l'étude de systèmes bidimensionnels.
Author: THIERRY.. FERRUS
Author: THIERRY.. FERRUS
Author: François Laruelle
Author: VASSILIKI.. VOLIOTIS
Author: JACQUELINE.. BLOCH
Author: Abdelaziz Hallaoui
Author: Kamel Khirouni
Author: Philippe Sellitto
Author: Thierry Mélin
Author: SORAYA.. ABADOU
Author: Catherine Priester