Author: Raphaël Fillon
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Languages : fr
Pages : 0
Book Description
Ces travaux de thèse ont pour but d'étudier les propriétés électroniques de cellules photovoltaïques à base de couches minces de CZTSSe. L'objectif principal est d'identifier les défauts cristallographiques et de déterminer leur influence sur le fonctionnement des cellules solaires afin de mettre en oeuvre des stratégies de synthèse du CZTSSe pour le rendre compétitif par rapport aux autres matériaux en couches minces du photovoltaïque. La première phase du travail a consisté à élaborer le matériau et à l?intégrer dans une cellule solaire. Le CZTSSe est synthétisé par un procédé en deux étapes: le dépôt des précurseurs sous vide suivi d'un recuit sous atmosphère de sélénium. La deuxième phase du travail a concerné la caractérisation électrique des cellules sous obscurité. Pour cela des mesures de capacité en fonction de la tension et des mesures d'admittance sont effectuées en température. Les interprétations brutes des mesures sont menées en assimilant la cellule à une jonction n+p. Ce modèle s'avère insuffisant pour expliquer complètement les mesures expérimentales, ce qui nous a conduit, dans une troisième phase à une analyse plus détaillée. Pour cela, un calcul de l'admittance à partir des équations de base des semi-conducteurs a été développé. De cette manière, il est possible de sélectionner les contributions au signal qui sont incorporées au modèle. Initialement seule la contribution des défauts est intégrée. La prise en compte de fluctuations de potentiel améliore l'ajustement entre les données expérimentales et calculées. Toutefois une troisième composante doit être incluse pour rendre compte de la réponse diélectrique du CZTSSe. Cette composante à l'origine d'une variation en puissance de la conductivité avec la fréquence est caractéristique d'un mécanisme de hopping. L'incorporation de cette contribution dans la modélisation de l'admittance met en évidence que la conductivité dans le CZTSSe est due à un transport par états localisés, expliquant ainsi sa faible valeur.
Etude des propriétés électroniques de couches minces de CZTSSe
Author: Raphaël Fillon
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Languages : fr
Pages : 0
Book Description
Ces travaux de thèse ont pour but d'étudier les propriétés électroniques de cellules photovoltaïques à base de couches minces de CZTSSe. L'objectif principal est d'identifier les défauts cristallographiques et de déterminer leur influence sur le fonctionnement des cellules solaires afin de mettre en oeuvre des stratégies de synthèse du CZTSSe pour le rendre compétitif par rapport aux autres matériaux en couches minces du photovoltaïque. La première phase du travail a consisté à élaborer le matériau et à l?intégrer dans une cellule solaire. Le CZTSSe est synthétisé par un procédé en deux étapes: le dépôt des précurseurs sous vide suivi d'un recuit sous atmosphère de sélénium. La deuxième phase du travail a concerné la caractérisation électrique des cellules sous obscurité. Pour cela des mesures de capacité en fonction de la tension et des mesures d'admittance sont effectuées en température. Les interprétations brutes des mesures sont menées en assimilant la cellule à une jonction n+p. Ce modèle s'avère insuffisant pour expliquer complètement les mesures expérimentales, ce qui nous a conduit, dans une troisième phase à une analyse plus détaillée. Pour cela, un calcul de l'admittance à partir des équations de base des semi-conducteurs a été développé. De cette manière, il est possible de sélectionner les contributions au signal qui sont incorporées au modèle. Initialement seule la contribution des défauts est intégrée. La prise en compte de fluctuations de potentiel améliore l'ajustement entre les données expérimentales et calculées. Toutefois une troisième composante doit être incluse pour rendre compte de la réponse diélectrique du CZTSSe. Cette composante à l'origine d'une variation en puissance de la conductivité avec la fréquence est caractéristique d'un mécanisme de hopping. L'incorporation de cette contribution dans la modélisation de l'admittance met en évidence que la conductivité dans le CZTSSe est due à un transport par états localisés, expliquant ainsi sa faible valeur.
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Languages : fr
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Ces travaux de thèse ont pour but d'étudier les propriétés électroniques de cellules photovoltaïques à base de couches minces de CZTSSe. L'objectif principal est d'identifier les défauts cristallographiques et de déterminer leur influence sur le fonctionnement des cellules solaires afin de mettre en oeuvre des stratégies de synthèse du CZTSSe pour le rendre compétitif par rapport aux autres matériaux en couches minces du photovoltaïque. La première phase du travail a consisté à élaborer le matériau et à l?intégrer dans une cellule solaire. Le CZTSSe est synthétisé par un procédé en deux étapes: le dépôt des précurseurs sous vide suivi d'un recuit sous atmosphère de sélénium. La deuxième phase du travail a concerné la caractérisation électrique des cellules sous obscurité. Pour cela des mesures de capacité en fonction de la tension et des mesures d'admittance sont effectuées en température. Les interprétations brutes des mesures sont menées en assimilant la cellule à une jonction n+p. Ce modèle s'avère insuffisant pour expliquer complètement les mesures expérimentales, ce qui nous a conduit, dans une troisième phase à une analyse plus détaillée. Pour cela, un calcul de l'admittance à partir des équations de base des semi-conducteurs a été développé. De cette manière, il est possible de sélectionner les contributions au signal qui sont incorporées au modèle. Initialement seule la contribution des défauts est intégrée. La prise en compte de fluctuations de potentiel améliore l'ajustement entre les données expérimentales et calculées. Toutefois une troisième composante doit être incluse pour rendre compte de la réponse diélectrique du CZTSSe. Cette composante à l'origine d'une variation en puissance de la conductivité avec la fréquence est caractéristique d'un mécanisme de hopping. L'incorporation de cette contribution dans la modélisation de l'admittance met en évidence que la conductivité dans le CZTSSe est due à un transport par états localisés, expliquant ainsi sa faible valeur.
Etude des propriétés électroniques de couches minces d'or discontinues
Author: Abdelouahab El Hamichi (maître ès sciences)
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Languages : fr
Pages : 150
Book Description
Rappels théoriques généraux et mécanismes de transport électronique envisageables dans les structures granulaires. Dispositif expérimental et caractéristiques courant-tension des dépôts. Etude des émissions de lumière visible et d'électrons dans le vide à partir d'un échantillon polarisé. Détermination de l'influence de la tension de polarisation sur la position du seuil photoélectrique par des mesures d'effet photoélectrique sur une structure électroformée
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Category :
Languages : fr
Pages : 150
Book Description
Rappels théoriques généraux et mécanismes de transport électronique envisageables dans les structures granulaires. Dispositif expérimental et caractéristiques courant-tension des dépôts. Etude des émissions de lumière visible et d'électrons dans le vide à partir d'un échantillon polarisé. Détermination de l'influence de la tension de polarisation sur la position du seuil photoélectrique par des mesures d'effet photoélectrique sur une structure électroformée
Etude de propriétés électroniques des porteurs et des pièges dans les couches minces polycristallines de CdS
PROPRIETES ELECTRIQUES DE COUCHES MINCES ISOLANTES; INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION
Author: Y.. DANTO
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Languages : fr
Pages : 63
Book Description
CETTE ETUDE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE COUCHES MINCES ISOLANTES (MGF::(2), ALF::(3) ET PB::(2)NB::(2)O::(7)), EFFECTUEE EN ASSURANT UN CONTROLE RIGOUREUX DES CONDITIONS DE PREPARATION A PERMIS D'APPORTER DES ELEMENTS DE REPONSE A DEUX QUESTIONS FONDAMENTALES: QUELLE EST L'INFLUENCE DES IMPURETES ET DE L'ETAT CRISTALLOGRAPHIQUE SUR LES MECANISMES DE CONDUCTION. QUELLE EST LEUR CORRELATION AVEC LES ETATS ELECTRONIQUES LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DE CES MATERIAUX.
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Languages : fr
Pages : 63
Book Description
CETTE ETUDE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DE COUCHES MINCES ISOLANTES (MGF::(2), ALF::(3) ET PB::(2)NB::(2)O::(7)), EFFECTUEE EN ASSURANT UN CONTROLE RIGOUREUX DES CONDITIONS DE PREPARATION A PERMIS D'APPORTER DES ELEMENTS DE REPONSE A DEUX QUESTIONS FONDAMENTALES: QUELLE EST L'INFLUENCE DES IMPURETES ET DE L'ETAT CRISTALLOGRAPHIQUE SUR LES MECANISMES DE CONDUCTION. QUELLE EST LEUR CORRELATION AVEC LES ETATS ELECTRONIQUES LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DE CES MATERIAUX.
Etude des propriétés électriques et optiques des couches minces de molybdene
PROPRIETES ELECTRIQUES DES STRUCTURES EN COUCHES MINCES METAL-SIO-METAL
Author: Marc Jourdain
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Category :
Languages : fr
Pages : 292
Book Description
ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES STRUCTURES METAL-SIO-METAL EN ESSAYANT DE SEPARER LES DIFFERENTS PROCESSUS EN JEU. ETUDE DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INTERNE. RAPPEL DES DIFFERENTES THEORIES CONCERNANT LA CONDUCTION EN COURANT CONTINU DANS LES MATERIAUX NON CRISTALLISES ET RESULTATS EXPERIMENTAUX (ROLE JOUE PAR LE VOLUME ET LES INTERFACES). ETUDE DES BARRIERES SCHOTTKY EVENTUELLES AUX INTERFACES METAL-ISOLANT. EXPOSE DES DIFFERENTES THEORIES DE HOPPING (SAUTS D'ELECTRONS) EN COURANT ALTERNATIF POUVANT EXPLIQUER LA LOI DELTA ::(AC)ALPHA OMEGA **(N), OBSERVEE GENERALEMENT ET CONFRONTATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DES THEORIES
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Languages : fr
Pages : 292
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ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES STRUCTURES METAL-SIO-METAL EN ESSAYANT DE SEPARER LES DIFFERENTS PROCESSUS EN JEU. ETUDE DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INTERNE. RAPPEL DES DIFFERENTES THEORIES CONCERNANT LA CONDUCTION EN COURANT CONTINU DANS LES MATERIAUX NON CRISTALLISES ET RESULTATS EXPERIMENTAUX (ROLE JOUE PAR LE VOLUME ET LES INTERFACES). ETUDE DES BARRIERES SCHOTTKY EVENTUELLES AUX INTERFACES METAL-ISOLANT. EXPOSE DES DIFFERENTES THEORIES DE HOPPING (SAUTS D'ELECTRONS) EN COURANT ALTERNATIF POUVANT EXPLIQUER LA LOI DELTA ::(AC)ALPHA OMEGA **(N), OBSERVEE GENERALEMENT ET CONFRONTATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DES THEORIES
Elaboration, Caractérisation Et Propriétés Électroniques de Couches Minces de Nitrure de Niobium Et D'oxyde de Niobium
Author: Régis Cabanel
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Category :
Languages : fr
Pages : 182
Book Description
ETUDE, ENTRE 1 ET 300 K, DE LA CONDUCTIVITE DE COUCHES MINCES GRANULAIRES. MISE EN EVIDENCE D'UNE SUPRACONDUCTIVITE DANS DES FILMS AVEC COEFFICIENT DE TEMPERATURE NEGATIF. MESURES DE REFLEXION OPTIQUE DANS LE VISIBLE; LA CORRELATION AVEC LES MESURES DE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE
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Languages : fr
Pages : 182
Book Description
ETUDE, ENTRE 1 ET 300 K, DE LA CONDUCTIVITE DE COUCHES MINCES GRANULAIRES. MISE EN EVIDENCE D'UNE SUPRACONDUCTIVITE DANS DES FILMS AVEC COEFFICIENT DE TEMPERATURE NEGATIF. MESURES DE REFLEXION OPTIQUE DANS LE VISIBLE; LA CORRELATION AVEC LES MESURES DE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE
Etude des propriétés électriques et de l'effet de scintillation de certaines couches minces métalliques ou semiconductrices
Les Propriétés électroniques des couches minces
PROPRIETES OPTIQUES, PHOTOELECTRIQUES ET STRUCTURE ELECTRONIQUE DE SNSE EN COUCHES MINCES
Author: AMIN.. BENNOUNA
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Category :
Languages : fr
Pages : 81
Book Description
FABRICATION ET CARACTERISATION DES COUCHES MINCES. ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE PAR EMISSION PHOTOELECTRONIQUE RX ET AUGER, ET PAR REFLEXION VISIBLE ET UV. ON N'OBSERVE PAS DE DIFFERENCES ENTRE LES MESURES EFFECTUEES SUR DES COUCHES MINCES ET CELLES EFFECTUEES SUR DES MONOCRISTAUX. OBSERVATION DE NOUVELLES STRUCTURES DANS LA BANDE DE CONDUCTION
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Languages : fr
Pages : 81
Book Description
FABRICATION ET CARACTERISATION DES COUCHES MINCES. ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE PAR EMISSION PHOTOELECTRONIQUE RX ET AUGER, ET PAR REFLEXION VISIBLE ET UV. ON N'OBSERVE PAS DE DIFFERENCES ENTRE LES MESURES EFFECTUEES SUR DES COUCHES MINCES ET CELLES EFFECTUEES SUR DES MONOCRISTAUX. OBSERVATION DE NOUVELLES STRUCTURES DANS LA BANDE DE CONDUCTION