ETUDE DES FACES VICINALES DU SILICIUM (100) ET DE LEUR OXYDATION PDF Download
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ETUDE DES FACES VICINALES DE SI(100) DESORIENTEES DANS LA DIRECTION 011 POUR LES ANGLES COMPRIS ENTRE 0 ET 14 NON=, DE LEUR OXYDATION ET DE LA NATURE DES INTERFACES SIO::(2)/SI. CARACTERISATION DES SURFACES PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS. COMPARAISON ENTRE L'OXYDATION THERMIQUE SOUS PRESSION ATMOSPHERIQUE, L'OXYDATION SOUS FAIBLE PRESSION D'OXYGENE ET L'OXYDATION ASSISTEE PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE. CARACTERE ABRUPT DE L'INTERFACE SIO::(2)/SI MEME DANS LE CAS DES SURFACES VICINALES
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ETUDE DES FACES VICINALES DE SI(100) DESORIENTEES DANS LA DIRECTION 011 POUR LES ANGLES COMPRIS ENTRE 0 ET 14 NON=, DE LEUR OXYDATION ET DE LA NATURE DES INTERFACES SIO::(2)/SI. CARACTERISATION DES SURFACES PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS. COMPARAISON ENTRE L'OXYDATION THERMIQUE SOUS PRESSION ATMOSPHERIQUE, L'OXYDATION SOUS FAIBLE PRESSION D'OXYGENE ET L'OXYDATION ASSISTEE PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE. CARACTERE ABRUPT DE L'INTERFACE SIO::(2)/SI MEME DANS LE CAS DES SURFACES VICINALES
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CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE GENERAL DES RECHERCHES RELATIVES A LA PHYSICOCHIMIE DES SURFACES ET INTERFACES DU SILICIUM. L'APPROCHE PRIVILEGIEES EST D'ACCEDER A UNE NOUVELLE CONNAISSANCE DE LEUR STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DES LIAISONS CHIMIQUES MISES EN JEU. L'OBJECTIF DE L'ETUDE PLUS SPECIFIQUEMENT, PAR ANALYSE AUGER ET SPECTROSCOPIE DE PERTES, L'INFLUENCE DU BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE SUR L'OXYDATION DE LA FACE (100) DU SILICIUM MONOCRISTALLIN, A TEMPERATURE AMBIANTE. AU-DELA LA CARACTERISATION DU MODE DE FORMATION DE L'INTERFACE SI-SIO#2, LA QUESTION PRINCIPALE CONCERNE LA POSSIBILITE D'UTILISER DE TELS OXYDES ULTRA-MINCES DANS L'ELABORATION DE STRUCTURES DU TYPE POS. PLUSIEURS CONCLUSIONS SE DEGAGENT DE CE TRAVAIL. LA PREMIERE EST UNE CONFIRMATION DE L'EFFICACITE DES ELECTRONS DANS LE PROCESSUS D'OXYDATION ET DU ROLE DETERMINANT DES SECONDAIRES. APRES QUE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES EXPERIMENTAUX AIT ETE ANALYSEE, LA MISE EN UVRE CONJOINTE DE L'AES ET DE L'ELS PERMET DE DECRIRE L'OXYDE FORME EN SURFACE DE SI (100) COMME UNE SILICE PROBABLEMENT DESORDONNEE AVEC UNE COUCHE D'INTERFACE FORMEE D'UN MELANGE D'ENTITES SIO#X SOUS-STOECHIOMETRIQUES EN CONFORMITE AVEC UN MODELE RBM (RANDOM BONDING MODEL). ENFIN, L'ETUDE DE LA CROISSANCE DU COBALT, A TEMPERATURE AMBIANTE, SUR CET OXYDE ELECTRONIQUE ET EN MODE THERMIQUE D'EPAISSEUR EQUIVALENTE MET EN EVIDENCE UNE MOINS BONNE TENUE DE L'OXYDE ELECTRONIQUE DEVANT LA POSSIBILITE DE DIFFUSION DU METAL
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ETUDE DES PROPRIETES D'INTERFACE DE LA FACE (100) DE SI: (1) PROPRIETES ATOMIQUES (CRISTALLOGRAPHIE DE SURFACE), (2) PROPRIETES ELECTRONIQUES (ETATS DE SURFACE...). LA PREMIERE PARTIE CONCERNE LA SURFACE "PROPRE": ETUDE DE L'EFFET DE LA TEMPERATURE DE CHAUFFAGE DE LA SURFACE. LA SECONDE PARTIE CONCERNE L'ETUDE DE L'ADSORPTION DE L'OXYGENE SUR SI(100). LA DERNIERE PARTIE TRAITE DE L'ADSORPTION METALLIQUE SUR SI(100): ETUDE DES SYSTEMES GA/SI(100), IR/SI(100) ET SN/SI(100)
Author: Yassine Bensalah
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