Author: Pierre RosselPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 197
Book Description
Étude des évolutions temporelles des caractéristiques des transistors à effet de champ à grille isolée
Author: Pierre RosselScientific and Technical Aerospace Reports
Author: U. S. Government Research and Development Reports
Author: Étude de la modification, contrôlée par grille isolée, de la vitesse de recombinaison en surface des transistors bipolaires, après avalanche de la jonction base-émetteur
Author: Jean-Paul DomPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 197
Book Description
ETUDE DE L'EVOLUTION DES PHENOMENES DE SURFACE QUI APPARAISSENT DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE DE CONTROLE APRES CONTRAINTE D'AVALANCHE. RAPPEL DES PHENOMENES DE SURFACE ET IMPORTANCE DE L'INTERFACE SI-SIO::(2). ETUDE DE L'EVOLUTION DES CARACTERISTIQUES DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE DE CONTROLE LORSQUE CES COMPOSANTS SONT SOUMIS A UNE CONTRAINTE PAR AVALANCHE DE LA JONCTION BASE-EMETTEUR. MODELE DE LA DEGRADATION RESULTANTE DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET DE SON CONTROLE PAR LE POTENTIEL DE GRILLE. APPLICABILITE DE CE PHENOMENE REVERSIBLE DE "DEGRADATION-RESTAURATION" DU GAIN DE CE TYPE DE COMPOSANT A LA REALISATION DE CELLULES MEMOIRES NON VOLATILES, REPROGRAMMABLES ELECTRIQUEMENT
U.S. Government Research & Development Reports
Author: Government Reports Announcements
Author: Étude des propriétés physiques et des performances potentielles à hautes températures ds transistors à effet de champ (TEC) à grille submicronique
Author: Yannick GobertPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 162
Book Description
L'objectif essentiel du travail effectué consistait en une étude comparative des évolutions en température des propriétés, des caractéristiques et des performances des TEC en régime petit signal. En effet, une forte dégradation de leurs caractéristiques était à craindre lors d'un échauffement du composant. L'approche a surtout été expérimentale bien qu'une étude théorique a été effectuée. L'approche expérimentale a résidé dans l'extension méthodologique de mesure au domaine des températures élevées et à la conception de composantes typiques. Il apparaît que certaines caractéristiques physiques et électriques ainsi que certaines performances présentaient des dégradations importantes à hautes températures qui pouvaient avoir des conséquences significatives lors de l'utilisation du composant. Toutefois, dans l'ensemble, l'ampleur des effets n'était pas véritablement plus importante pour les TEGFET que pour les MESFET. L'approche théorique a permis de mieux comprendre les mécanismes physiques mis en jeu et d'apprécier leurs conséquences sur les évolutions des caractéristiques et performances des TEC. Elle nous a donné l'occasion de mieux appréhender la physique des matériaux III-V ce qui permit de mieux concevoir la perspective de l'utilisation à hautes températures de certaines structures
Propriétés statiques et dynamiques du transistor à effet de champ à grille isolée
Author: Pierre RosselPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 285
Book Description
ETUDE DES PROPRIETES STATISTIQUES DU TRANSISTOR MOS DANS LES DEUX MODES DE FONCTIONNEMENT CORRESPONDANT RESPECTIVEMENT AU REGIME NON PINCE, OU LA CONDITION D'UNIDIMENSIONNALITE EST RESPECTEE, ET AU REGIME DE SATURATION OU DE PINCEMENT, OU UNE ANALYSE BIDIMENSIONNELLE EST A PRIORI INDISPENSABLE. ETUDE DU COMPORTEMENT EN HAUTES FREQUENCES DU TRANSISTOR MOS: ANALYSE THEORIQUE DE LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT EN VUE DE DETERMINER LES ELEMENTS DE LA MATRICE ADMITTANCE "INTRINSEQUE", IDENTIFICATION ET CARACTERISATION DES ELEMENTS PARASITES ET SCHEMA EQUIVALENT GLOBAL. ANALYSE DE DIVERS CRITERES DE PERFORMANCE DU TRANSISTOR, EN PARTICULIER LE GAIN EN PUISSANCE AFIN DE DEFINIR LES METHODES D'UTILISATION OU DE CONCEPTION DES COMPOSANTS MOS DESTINES A L'AMPLIFICATION EN HAUTES FREQUENCES
Etude de la faisabilite de transistors a effet de champ a heterojonction et a grille isolee (HIGFET)
Author: Philippe DollfusÉtude de la faisabilité de transistors à effet de champ à hétérojonction et a grille isolée, HIGFET
Author: Philippe DollfusPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 156
Book Description
Ce travail porte sur l'étude d'un transistor appelé HIGFET (Heterojunction Insulated Gate FET) qui offre les avantages des hautes mobilités du TEGFET (ou HEMT) tout en adoptant le principe d'une grille isolée. Le HIGFET exploite un canal d'électrons accumulés contre une hétéro-interface épitaxiée en accord de maille. Le matériau grand gap sur lequel est déposé l'isolant n'a ici qu'un rôle d'espaceur : il s'interpose entre les électrons de conduction et les défauts de l'interface isolant amorphe-semiconducteur qui affectent le transport des électrons froids dans la zone de commande (entrée du canal) du MISFET à accumulation. Le premier chapitre commence par un bref rappel sur le principe des différentes structures comparables au HIGFET (HEMT, SISFET, MISFET). Nous faisons ensuite la synthèse se des données expérimentales concernant les paramètres physiques et technologiques importants pour l'élaboration et le fonctionnement du transistor. Le second chapitre consiste en une première approche du fonctionnement du HIGFET sous l'aspect du contrôle du canal par la grille en fonction des paramètres physiques des matériaux envisagés et en tenant compte de l'état de l'art technologique; à cet effet, un logiciel de simulation du comportement capacitif de diodes MISS (métal-isolant-semiconducteurs) unidimensionnelles a été mis au point. Le troisième chapitre rend compte de simulations Monte-Carlo de structures HIGFET Si02/lnA1As/GaInAs et Si02/lnP/GalnAs sur substrat InP. Ces modélisations ont permis décrire le transport des électrons dans le canal et d'évaluer les performances intrinsèques du composant.