Author: Christelle Aupetit-BerthelemotPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 167
Book Description
Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique (HEMT) sur InP pour applications micro-optoélectroniques
Author: Christelle Aupetit-BerthelemotPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 167
Book Description
Annales des télécommunications
Author: Etude et simulation physique des effets parasites dans les HEMTs AlGaN/GaN
Author: Ludovic LachèzePublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Book Description
Le développement des systèmes de télécommunication et de transfert d'informations motive la mise au point de systèmes de transmission qui permettent des débits plus élevés sur des distances plus grandes. De ce fait, les transistors utilisés dans ces systèmes doivent fonctionner à des fréquences et des puissances plus élevées. Différents transistors sont apparus pour répondre au mieux aux contraintes des applications visées par ces systèmes. Les transistors à haute mobilité électronique, HEMT, en nitrure de gallium (GaN) répondent actuellement aux applications allant de 1GHz à 30GHz. Pour ces applications, les HEMT GaN concurrencent avantageusement les technologies bipolaires et BiCMOS basées sur SiGe, les LDMOS Si et SiC, ainsi que les PHEMT GaAs. Même si la filière technologique GaN est encore récente, les HEMT GaN semblent prometteurs. A l'image des autres technologies III-V (InP, GaAs), les procédés de fabrication utilisés pour les HEMT AlGaN/GaN sont complexes et entraînent la formation de nombreux défauts cristallins. Des effets parasites de fonctionnement sont induits par des mécanismes physiques qui pénalisent le transport des porteurs dans la structure. De ce fait, à l'heure actuelle, ces effets parasites ont une influence négative sur les performances de ce transistor. Ils sont principalement liés aux pièges à électrons induits par des impuretés présentes dans le matériau ou des défauts cristallins. Malgré cela, les performances sont très prometteuses et rivalisent déjà avec d'autres technologies hyperfréquences (InP, GaAs, SiC et Si) puisque les HEMTs AlGaN/GaN débitent des puissances de 4W/mm à 30GHz [ITRS08]. Les travaux présentés dans ce manuscrit sont consacrés à l'étude des phénomènes parasites dans les HEMTs AlGaN/GaN. Les composants étudiés dans ce travail proviennent du programme blanc ANR CARDYNAL et ont été fabriqués par III-V Lab Alcatel-Thales. Une méthodologie a été développer afin de permettre la simulation TCAD d'un HEMT GaN dans l'objectif de valider ou d'invalider les origines des mécanismes de dégradation ainsi que des effets parasites. Le courant de grille a été spécialement étudié et un modèle analytique permettant de le décrire en fonction de la température a été développé. Les mécanismes de transport à travers la grille ont aussi été étudiés par simulation TCAD afin de les localiser géographiquement dans la structure du transistor.
Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique
Author: Dissadama Ouro BodiPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 173
Book Description
CE TRAVAIL SE RAPPORTE A LA CARACTERISATION ET A L'INTERPRETATION DES EFFETS PARASITES DU TRANSISTOR A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (HEMT). NOUS MONTRONS QUE LES LIMITATIONS DE CES PERFORMANCES SONT LIEES AUX PROPRIETES INTRINSEQUES DES COUCHES ALGAAS ET GAAS. LA CORRELATION AVEC LE BRUIT BF DU CANAL ET LA FIABILITE DE CES COMPOSANTS (EVALUEE PAR UN VIEILLISSEMENT ACCELERE) METTENT EN EVIDENCE DES DEGRADATIONS DONT LES ORIGINES SONT PARTICULIEREMENT ATTRIBUEES AUX PROCEDES TECHNOLOGIQUES DES CONTACTS. LES RESULTATS OBTENUS FONT CEPENDANT APPARAITRE POUR LE HEMT UN NIVEAU DE FIABILITE EQUIVALENT AU MESFET
Etude des effets parasites dans les transistors à effet de champ à hétérojonction (HFET) sur substrat InP
Author: Bogdan Iulian GeorgescuPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 147
Book Description
Les communications par fibre optique sont un domaine en pleine expansion des nos jours. Leur développement est conditionné de l'existence de circuits et de dispositifs optoélectroniques et de haute performance. Les propriétés optiques des matériaux III-V a base de phospure d'indium, bien adaptes aux longueurs d'onde privilégiées de transmission par la fibre optique en silice ont fait de ces matériaux des très bons candidats pour la fabrication des circuits et dispositifs optoélectroniques. Cependant, l'intégration monolithique de composants optiques et de circuits sur la même puce est pénalisée par des effets parasites: effet de coude, commutation retardée de grille ou de drain, le bruit en excès dans les transistors. Ces comportements peuvent être induits par des pièges profonds qui sont en général des perturbations dans le réseau cristallin. Pour cette raison, notre travail s'est penche sur l'analyse du rôle des pièges sur les performances électriques des transistors afin de permettre la mise au point d'un transistor a effet de champ à hétérojonction pour les photo-detectors. Notre étude comporte deux grandes parties. L’analyse de défauts profonds, pour laquelle trois techniques ont été réalisées: spectroscopie de transitoire de défauts profonds, mesures de dispersion en fréquence de la conductance drain-source et les mesures de bruit basses fréquences. Les résultats ont montre que ces techniques de caractérisation sont bien adaptées pou l'étude sur le transistor a effet de champ et que nous pouvons les utiliser de f acon complémentaire. La deuxième partie est consacrée à une étude détaillée de l'effet de coude (kink). Nous analysons l'évolution de cet effet avec la température, avec la fréquence d'excitation et avec l'éclairage. Ces résultats ainsi que les mesures de photo capacité et l'évolution du courant de grille avec la température, nous ont permis de présenter un modèle qui explique l'effet de coude observe sur ces transistors.
Etude des effets parasites du transistor à effet de champ à hétérojonction et canal dopé (HFET) sur InP
Author: Astrid Gautier-LevinePublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 195
Book Description
LES BESOINS CROISSANTS HAUTS DEBITS DE TRANSMISSION EN TELECOMMUNICATION OPTIQUE, AINSI QUE LA GRANDE COMPLEXITE DE DISTRIBUTION DES RESEAUX, NECESSITENT L'UTILISATION DE MATERIAUX TRES PERFORMANTS DANS LA FABRICATION DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DE PLUS EN PLUS RAPIDES. LE MATERIAU INP ET SES DERIVES CONDUISENT A DES PERFORMANCES ELECTRIQUES RECORDS PARMI LES COMPOSANTS UTILISES EN MICRO-ELECTRONIQUE. DES PROGRES SONT ENCORE POSSIBLES SI LES EFFETS PARASITES OBSERVES PEUVENT ETRE REDUITS LORS DE LA FABRICATION DE CES DISPOSITIFS. DANS CE TRAVAIL, L'ACCENT EST MIS SUR LES EFFETS PARASITES. EN PARTICULIER : L'EFFET COUDE (KINK), L'EFFET DE RETARD DE GRILLE GATE LAG, LE RETARD SUR LE DRAIN DRAIN LAG, LA DISPERSION EN FREQUENCE DE LA TRANSCONDUCTANCE ET DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE, LE COURANT DE FUITE, ET LE BRUIT SONT ANALYSES. PAR LE BIAIS DE LA CARACTERISATION DES COMPOSANTS, IL EST POSSIBLE DE MIEUX COMPRENDRE LE LIEN ENTRE LA DETERIORATION DES PERFORMANCES ELECTRIQUES ET LES EFFETS PARASITES, ET DONC DE PROPOSER DES ELEMENTS DE SOLUTION AUX EPITAXIEURS ET AUX TECHNOLOGUES. UNE COMPARAISON EST FAITE ENTRE TRANSISTORS HFET A CANAL SIMPLE ET DOUBLE EN INP OU GAINAS/INP, AVEC POUR FIL DIRECTEUR : LES PIEGES DE SURFACE ET D'INTERFACE. UN MODELE SIMPLE PERMET LE PASSAGE DE LA SIMULATION A LA MESURE. LES PIEGES SONT LA SOURCE PREMIERE DE DRAIN LAG ET DE DISPERSION EN FREQUENCE DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE. SUIVANT LE MATERIAU UTILISE ET SUIVANT LE POINT DE FONCTIONNEMENT NOMINAL, LES PIEGES SONT MODELISES SOIT PAR UNE SIMPLE CELLULE RC OU PAR UNE CELLULE RC ASSOCIEE A UNE SOURCE DE COURANT POUR TENIR COMPTE DE LA COMPOSANTE IONISATION PAR IMPACT. LES COMPORTEMENTS LIES AUX PIEGES SONT DIFFERENTS SELON LE MATERIAU ET LA GEOMETRIE DU COMPOSANT.
Etude des effets parasites et des mecanismes de degradation du transistor a effet de champ a haute mobilite electronique
Author: Abdenabi BelhadjETUDE ET REALISATION DE J FET GAINAS/INP POUR APPLICATIONS MICROOPTOELECTRONIQUES
Author: LIAN.. NGUYEN NGOCPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 228
Book Description
DES TRANSISTORS ONT ETE REALISES SUR DES COUCHES EPITAXIEES PAR JETS MOLECULAIRES. LA JONCTION DE GRILLE EST OBTENUE PAR DIFFUSION THERMIQUE DE ZN A TRAVERS UN MASQUE DE NITRURE DE SILICIUM. LA TECHNOLOGIE A ETE CHOISIE AFIN DE MINIMISER LE COURANT INVERSE DE GRILLE ET LES ELEMENTS PARASITES DU FET. LES DISPOSITIFS ONT ETE CARACTERISES ET LEUR COMPORTEMENT SIMULE EN STATIQUE SUIVANT UNE PROCEDURE AUTOMATISEE SUR MICROCALCULATEUR. DES TRANSISTORS MONTES EN BOITIERS ONT ETE MESURES EN DYNAMIQUE ET LEUR SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT IDENTIFIE. UN PHOTORECEPTEUR PINFET A ETE CONCU A LA SUITE DE CETTE MODELISATION
Etude des effets parasites et des mécanismes de dégradation du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique
Author: Abdenabi BelhadjPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 266
Book Description
LES AVANTAGES EN TERMES DE PERFORMANCES MICROONDES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE SONT PREALABLEMENT ETUDIES. PUIS UNE INVESTIGATION DES PRINCIPAUX EFFETS PARASITES PENALISANT L'INTEGRATION MONOLITHIQUE EST MENEE ET LE ROLE DU RESIDUEL ACCEPTEUR DE LA COUCHE TAMPON DE GAAS EST IDENTIFIE. UNE SOLUTION TECHNOLOGIQUE ATTENUANT LES EFFETS A BASSE TEMPERATURE DU PIEGE DX EST EGALEMENT VALIDEE. ENFIN UNE ETUDE DE FIABILITE MONTRE QUE LES DUREES DE VIE OBTENUES SE SITUENT AU NIVEAU DE L'ETAT-DE-L'ART ACTUEL DU MESFET GAAS
ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS HEMT ALINAS/GAINAS/INP POUR CIRCUITS OPTO-ELECTRONIQUES A HAUTS DEBITS
Author: RAMIRO.. PALLAPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 211
Book Description
CE TRAVAIL DE CETTE THESE S'INSERAIT DANS LA MISE EN PLACE, AU LABORATOIRE DE BAGNEUX DU CNET, D'UNE TECHNOLOGIE PERMETTANT DE REALISER DES CIRCUITS, A BASE DE TRANSISTORS HEMT SUR INP, POUR COMMUNICATIONS OPTIQUES A HAUTS DEBITS. LA MISE AU POINT DE LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS, AXEE SUR LA REPRODUCTIBILITE ET LA FAIBLE DISPERSION DES RESULTATS A PORTE SUR PLUSIEURS POINTS: REDUCTION DES FUITES DE GRILLE PARASITES, CONTROLE DU RECESS DE GRILLE, UTILISATION DE LA GRAVURE PAR PLASMA. NOUS AVONS MENE UNE ETUDE DE FOND SUR LA MISE AU POINT DES CONTACTS OHMIQUES, QUI A PERMIS D'EN COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATION ET DE DEGAGER UNE SEQUENCE DE REALISATION ADEQUATE. IL EST CEPENDANT RAPIDEMENT APPARU QUE L'AMELIORATION DES PERFORMANCES DES TRANSISTORS AINSI QUE LE CONTROLE DES CARACTERISTIQUES OBTENUES RENDAIENT INDISPENSABLES UN CERTAIN NOMBRE D'OPTIMISATIONS. AVEC L'AIDE DE SIMULATIONS NUMERIQUES, LES DIFFERENTS PARAMETRES DE LA STRUCTURE DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES ONT ETE EXPLORES. CETTE ETUDE A PERMIS DE MIEUX COMPRENDRE LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR ET D'EN AMELIORER LA CONCEPTION. NOUS AVONS INSERE DANS LA STRUCTURE UNE COUCHE D'ALINP QUI REDUIT L'EXCES DE COURANT DE GRILLE LIE AU PHENOMENE D'IONISATION PAR IMPACT DANS LE CANAL. ELLE PERMET UNE GRAVURE SELECTIVE DE LA COUCHE DE CONTACT LORS DU RECESS DE GRILLE, AMELIORANT AINSI L'HOMOGENEITE DE LA TENSION DE PINCEMENT DES TRANSISTORS. NOUS AVONS ENFIN DEMONTRE L'INTERET DES STRUCTURES A DOPAGE PLANAIRE POUR LA REALISATION DE TRANSISTORS A GRILLES COURTES. L'ENSEMBLE DES RESULTATS OBTENUS SE SITUE AU MEILLEUR NIVEAU DE L'ETAT DE L'ART. CETTE ETUDE EST VALIDEE PAR LA REALISATION D'UN PREAMPLIFICATEUR DE PHOTORECEPTION FONCTIONNANT A 10 GBIT/S AVEC UN GAIN TRANSIMPEDANCE IMPORTANT