Etude de rugosité de surface par microscopie à sonde locale PDF Download
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LA MINIATURISATION DES CIRCUITS INTEGRES IMPOSE UNE DIMINUTION CONSTANTE DE LA TAILLE DES COMPOSANTS ET DE L'EPAISSEUR DES DIFFERENTES COUCHES. CECI EXIGE UN CONTROLE ET UNE ANALYSE FINE DE LA RUGOSITE DE SURFACE. DANS LE DOMAINE NANOMETRIQUE, LES MICROSCOPIES A EFFET TUNNEL (STM) ET A FORCE ATOMIQUE (AFM) SONT DES OUTILS TOUT A FAIT ADAPTES A CE TYPE DE CARACTERISATION DANS UN ENVIRONNEMENT DE RECHERCHE ET DE DEVELOPPEMENT. DES ETUDES STATISTIQUES ONT ETE MENEES, LA MORPHOLOGIE DE SURFACE A ETE DETERMINEE EN DEVELOPPANT DES PROGRAMMES PERMETTANT D'ACCEDER A LA DENSITE SPECTRALE DE PUISSANCE. CETTE TECHNIQUE A ETE UTILISEE POUR CARACTERISER DIFFERENTES SURFACES: 1) DEPOT DE POLYSILICIUM A 620C: DIFFERENTS TEMPS DE DEPOT ONT ETE ETUDIES DANS UNE GAMME DE TEMPS COMPRISE ENTRE 10S ET 45MN. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE DEUX REGIMES DIFFERENTS CORRESPONDANTS A LA CROISSANCE DE GRAINS ISOLES ET LA CROISSANCE PAR COALESCENCE. POUR LE SECOND MODE CROISSANCE, LE CARACTERE AUTO-SIMILAIRE DE LA SURFACE NOUS A PERMIS DE DEDUIRE UNE LOI D'ECHELLE DYNAMIQUE. 2) ATTAQUE PAR PLASMA DE SF6 DE SILICIUM (100): NOUS AVONS ETUDIE LES MODIFICATIONS STRUCTURELLES DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM EXPOSE A UN PLASMA SF6. NOUS AVONS ANALYSE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DE L'ATTAQUE PLASMA (PRESSION, PUISSANCE, FLUX, ENERGIE DES IONS OU ENCORE, TEMPS DE GRAVURE)
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LA MINIATURISATION DES CIRCUITS INTEGRES IMPOSE UNE DIMINUTION CONSTANTE DE LA TAILLE DES COMPOSANTS ET DE L'EPAISSEUR DES DIFFERENTES COUCHES. CECI EXIGE UN CONTROLE ET UNE ANALYSE FINE DE LA RUGOSITE DE SURFACE. DANS LE DOMAINE NANOMETRIQUE, LES MICROSCOPIES A EFFET TUNNEL (STM) ET A FORCE ATOMIQUE (AFM) SONT DES OUTILS TOUT A FAIT ADAPTES A CE TYPE DE CARACTERISATION DANS UN ENVIRONNEMENT DE RECHERCHE ET DE DEVELOPPEMENT. DES ETUDES STATISTIQUES ONT ETE MENEES, LA MORPHOLOGIE DE SURFACE A ETE DETERMINEE EN DEVELOPPANT DES PROGRAMMES PERMETTANT D'ACCEDER A LA DENSITE SPECTRALE DE PUISSANCE. CETTE TECHNIQUE A ETE UTILISEE POUR CARACTERISER DIFFERENTES SURFACES: 1) DEPOT DE POLYSILICIUM A 620C: DIFFERENTS TEMPS DE DEPOT ONT ETE ETUDIES DANS UNE GAMME DE TEMPS COMPRISE ENTRE 10S ET 45MN. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE DEUX REGIMES DIFFERENTS CORRESPONDANTS A LA CROISSANCE DE GRAINS ISOLES ET LA CROISSANCE PAR COALESCENCE. POUR LE SECOND MODE CROISSANCE, LE CARACTERE AUTO-SIMILAIRE DE LA SURFACE NOUS A PERMIS DE DEDUIRE UNE LOI D'ECHELLE DYNAMIQUE. 2) ATTAQUE PAR PLASMA DE SF6 DE SILICIUM (100): NOUS AVONS ETUDIE LES MODIFICATIONS STRUCTURELLES DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM EXPOSE A UN PLASMA SF6. NOUS AVONS ANALYSE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DE L'ATTAQUE PLASMA (PRESSION, PUISSANCE, FLUX, ENERGIE DES IONS OU ENCORE, TEMPS DE GRAVURE)
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FACE A LA DIMINUTION CONTINUE DES DIMENSIONS DES COMPOSANTS, LA RUGOSITE AUX INTERFACES DES SYSTEMES MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTRONIQUES DEVIENT UN FACTEUR LIMITANT. IL CONVIENT DONC DE SAVOIR CARACTERISER LA RUGOSITE LE PLUS COMPLETEMENT POSSIBLE, AFIN D'EN QUANTIFIER ET COMPRENDRE LES EFFETS. CE TRAVAIL DE THESE MONTRE L'INTERET, DANS LE CAS D'UNE TOPOGRAPHIE RUGUEUSE, DE SEPARER LES CARACTERISTIQUES DE REPARTITION HORIZONTALE DE MATIERE, DE SES CARACTERISTIQUES VERTICALES. L'ETUDE MATHEMATIQUE ET LA PROGRAMMATION D'UNE METHODE BASEE SUR LE FORMALISME DES DENSITES SPECTRALES DE PUISSANCE (DSP), ONT PERMIS LA CARACTERISATION ET LA COMPARAISON QUANTITATIVE - AVEC RECOUPEMENT DES DIFFERENTES GAMMES SPECTRALES - DES MESURES DE RUGOSITES PROVENANT DE DEUX TYPES D'APPAREILS : INTERFEROMETRE HETERODYNE ET MICROSCOPE A FORCE ATOMIQUE (AFM). CETTE TECHNIQUE A ETE ILLUSTREE EXPERIMENTALEMENT SUR DES COUCHES MINCES D'ALUMINIUM OU ENCORE DE NITRURE DE TITANE. NOUS METTONS EN EVIDENCE UNE FORME DE SPECTRE QUI SEMBLE ASSEZ TYPIQUE DU PROCEDE DE DEPOT, AVEC, POUR L'EVAPORATION D'ALUMINIUM, UN CREUX DANS LA DSP AUTOUR DE 5*10-4 NM-1 SUIVIE D'UN LARGE MAXIMUM AUTOUR DE 5*10-3 NM-1. PAR AILLEURS, NOUS ETENDONS LE CONCEPT DE DSP DE TOPOGRAPHIE A CELUI DE DENSITE SPECTRALE DE PUISSANCE DE RUGOSITE ELECTRIQUE. D'AUTRE PART, LA MODELISATION ET LA SIMULATION DES EFFETS D'UN GRADIENT VERTICAL DE COMPOSITION DANS UN SUBSTRAT, ONT ETE APPLIQUEES A SA DETECTION PAR REFLECTIVITE SPECULAIRE DE RAYONS X RASANTS NOTAMMENT SUR VERRE B16. ENFIN, L'ETUDE DE FILMS DE TIO2 DEPOSES PAR PULVERISATION PAR FAISCEAU D'IONS (IBS), A MONTRE QUE LEUR SURFACE TRES FAIBLEMENT RUGUEUSE PERMET UN ETALONNAGE VERTICAL ABSOLU POUR MICROSCOPE DE FORCE ATOMIQUE, UTILISANT LA MESURE DE HAUTEUR DE MARCHES PAR REFLECTIVITE DE RAYONS X-RASANTS.
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ETUDE DE LA RUGOSITE DE SURFACES METALLIQUES PAR DENSITOMETRIE DES REPLIQUES DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. RECONSTITUTION DU RELIEF SUR DES REVETEMENTS RUGUEUX D'ARGENT, D'OR ET DE CUIVRE ET SUR DU MAGNESIUM
Author: Mustafa Kerem Unal Publisher: ISBN: Category : Languages : en Pages : 155
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L'étude des propriétés de surface des biomatériaux à l'échelle nanométrique est cruciale à la compréhension de leur biocompatibilité. Le travail présenté dans cette thèse concerne la caractérisation des propriétés de transfert de charges à la surface des biomatériaux et notamment du Titane par des méthodes de microscopie à balayage à sonde locale (SMP). Dans ce but, l'oxydation de films de Titane avec une rugosité à l'échelle atomique a été effectuée au moyen de la pointe d'un microscope à force atomique (AFM). Il a été montré que les charges d'espace ont un effet primordial dan la cinétique d'oxydation du Titane. Ensuite, le travail de sortie électronique de biomatériaux recouverts de films de carbone a été mesuré à l'aide d'un microscope à force électrostatique (EFM). Finalement, nous avons analysé des films Langmuir-Blodgett modélisant la structure de la peau ainsi que des molécules d'acide Galacturonique composant des membranes cellulaires à l'aide d'un AFM.
Author: Matthew Pelliccione Publisher: Springer Science & Business Media ISBN: 0387751092 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 206
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The focus of this book is on modeling and simulations used in research on the morphological evolution during film growth. The authors emphasize the detailed mathematical formulation of the problem. The book will enable readers themselves to set up a computational program to investigate specific topics of interest in thin film deposition. It will benefit those working in any discipline that requires an understanding of thin film growth processes.
Author: Olivier Vatel
Author: Olivier Vatel
Author: BERTRAND.. HIRRIEN
Author: Françoise Varnier
Author: Mustafa Kerem Unal
Author: Jean-François Gautheron
Author: Jean-François Gautheron
Author: Jean-François Gautheron
Author: Matthew Pelliccione
Author: Monique Rasigni
Author: ERIC.. BONNEL