ETUDE DE PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE SEMICONDUCTEURS DANS DEUX CAS LIMITES PDF Download

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ETUDE DE PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE SEMICONDUCTEURS DANS DEUX CAS LIMITES

ETUDE DE PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE SEMICONDUCTEURS DANS DEUX CAS LIMITES PDF Author: JEROME.. TIGNON
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 207

Book Description
DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS AVONS ETUDIE LES PROPRIETES OPTIQUES D'UN ENSEMBLE DE PUITS QUANTIQUES AL#XGA#1#-#XAS/GAAS, PEU PROFONDS (X = 0.6 - 18 % D'AL), PAR DES MESURES DE PHOTOLUMINESCENCE, SOUS EXCITATION CONTINUE ET RESOLUE EN TEMPS, EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE ET DE LA TEMPERATURE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT ANALYSES A L'AIDE D'UN CALCUL UTILISANT L'APPROXIMATION DES FONCTIONS ENVELOPPES. NOUS AVONS MONTRE QUE SI L'EFFET DU CONFINEMENT 2D DES PORTEURS RESTE IMPORTANT, CEUX-CI SONT TRES RAPIDEMENT BALAYES SOUS CHAMP ELECTRIQUE. EN PARTICULIER, NOUS AVONS EVALUE LE TEMPS DE FUITE PAR EFFET TUNNEL. D'AUTRE PART, L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE CONDUIT A L'ECHAPPEMENT DES PORTEURS, AVEC D'AUTANT PLUS DE FACILITE QUE LE PUITS EST PEU PROFOND. ENFIN, NOUS AVONS MONTRE QU'EN ACCORD AVEC LA DIMINUTION DE LA FORCE D'OSCILLATEUR EXCITONIQUE, LE TEMPS DE RECOMBINAISON DES PORTEURS, A BASSE TEMPERATURE, EST PLUS LONG QUE DANS LES PUITS CONVENTIONNELS. PAR AILLEURS, LES PROCESSUS DE RELAXATION SONT RALENTIS. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS ETUDIE UNE MICROCAVITE DE SEMICONDUCTEURS QUI EST UN SYSTEME DANS LEQUEL UN CONFINEMENT EST REALISE A LA FOIS POUR LES PORTEURS ET POUR LES PHOTONS. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A UNE SITUATION PARTICULIERE OU UN ETAT DISCRET DU CHAMP ELECTROMAGNETIQUE EST COUPLE AVEC UN CONTINUUM D'ETATS DES EXCITATIONS ELECTRONIQUES. NOUS AVONS MONTRE QUE L'APPLICATION D'UN CHAMP MAGNETIQUE PERMET ALORS DE PASSER CONTINUMENT D'UNE SITUATION DE COUPLAGE FAIBLE DECRITE PAR LA REGLE D'OR DE FERMI A UNE SITUATION DE COUPLAGE FORT DECRITE PAR LE DEDOUBLEMENT DE RABI. UN CALCUL DES MAGNETOEXCITONS, VALABLE A TOUS LES CHAMP MAGNETIQUES, A ETE DEVELOPPE AFIN D'OBTENIR UNE COMPARAISON POUR LES ENERGIES ET LES FORCES D'OSCILLATEURS EXCITONIQUES.

ETUDE DE PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE SEMICONDUCTEURS DANS DEUX CAS LIMITES

ETUDE DE PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE SEMICONDUCTEURS DANS DEUX CAS LIMITES PDF Author: JEROME.. TIGNON
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 207

Book Description
DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS AVONS ETUDIE LES PROPRIETES OPTIQUES D'UN ENSEMBLE DE PUITS QUANTIQUES AL#XGA#1#-#XAS/GAAS, PEU PROFONDS (X = 0.6 - 18 % D'AL), PAR DES MESURES DE PHOTOLUMINESCENCE, SOUS EXCITATION CONTINUE ET RESOLUE EN TEMPS, EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE ET DE LA TEMPERATURE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT ANALYSES A L'AIDE D'UN CALCUL UTILISANT L'APPROXIMATION DES FONCTIONS ENVELOPPES. NOUS AVONS MONTRE QUE SI L'EFFET DU CONFINEMENT 2D DES PORTEURS RESTE IMPORTANT, CEUX-CI SONT TRES RAPIDEMENT BALAYES SOUS CHAMP ELECTRIQUE. EN PARTICULIER, NOUS AVONS EVALUE LE TEMPS DE FUITE PAR EFFET TUNNEL. D'AUTRE PART, L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE CONDUIT A L'ECHAPPEMENT DES PORTEURS, AVEC D'AUTANT PLUS DE FACILITE QUE LE PUITS EST PEU PROFOND. ENFIN, NOUS AVONS MONTRE QU'EN ACCORD AVEC LA DIMINUTION DE LA FORCE D'OSCILLATEUR EXCITONIQUE, LE TEMPS DE RECOMBINAISON DES PORTEURS, A BASSE TEMPERATURE, EST PLUS LONG QUE DANS LES PUITS CONVENTIONNELS. PAR AILLEURS, LES PROCESSUS DE RELAXATION SONT RALENTIS. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS ETUDIE UNE MICROCAVITE DE SEMICONDUCTEURS QUI EST UN SYSTEME DANS LEQUEL UN CONFINEMENT EST REALISE A LA FOIS POUR LES PORTEURS ET POUR LES PHOTONS. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A UNE SITUATION PARTICULIERE OU UN ETAT DISCRET DU CHAMP ELECTROMAGNETIQUE EST COUPLE AVEC UN CONTINUUM D'ETATS DES EXCITATIONS ELECTRONIQUES. NOUS AVONS MONTRE QUE L'APPLICATION D'UN CHAMP MAGNETIQUE PERMET ALORS DE PASSER CONTINUMENT D'UNE SITUATION DE COUPLAGE FAIBLE DECRITE PAR LA REGLE D'OR DE FERMI A UNE SITUATION DE COUPLAGE FORT DECRITE PAR LE DEDOUBLEMENT DE RABI. UN CALCUL DES MAGNETOEXCITONS, VALABLE A TOUS LES CHAMP MAGNETIQUES, A ETE DEVELOPPE AFIN D'OBTENIR UNE COMPARAISON POUR LES ENERGIES ET LES FORCES D'OSCILLATEURS EXCITONIQUES.

ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DE SEMI-CONDUCTEURS COMPOSES III-V ET DE PUITS QUANTIQUES PAR PHOTOLUMINESCENCE ET EXCITATION DE LA PHOTOLUMINESCENCE

ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DE SEMI-CONDUCTEURS COMPOSES III-V ET DE PUITS QUANTIQUES PAR PHOTOLUMINESCENCE ET EXCITATION DE LA PHOTOLUMINESCENCE PDF Author: Didier Moroni
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 180

Book Description
IDENTIFICATION DES TYPES DE RECOMBINAISON ENTRE 2 ET 300K DANS LES COUCHES EPAISSES DE GAINAS ET GAINP EPITAXIEES SUR LEUR SUPPORT RESPECTIF INP ET GAAS. ETUDE DE L'ORIGINE DE LA LUMINESCENCE ET VARIATION EN FONCTION DE L'EPAISSEUR DU TAUX DE CAPTURE DES PORTEURS DE LA BARRIERE DANS LES PUITS QUANTIQUES INGAAS/INP. DETERMINATION DU COEFFICIENT D'INTERDIFFUSION DE AL ET GA AUX INTERFACES DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS

Propriétés électroniques de puits quantiques, superréseaux et hétérojonctions de semiconducteurs

Propriétés électroniques de puits quantiques, superréseaux et hétérojonctions de semiconducteurs PDF Author: Catherine Priester
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 228

Book Description
Dans les structures à puits quantiques sont calculés les niveaux d'impuretés et les niveaux excitoniques. Pour ce faire, après une étude de l'approximation de masse effective à trois dimensions (couramment utilisée pour décrire des superréseaux) et de ses limites de validité, est proposée une équation de masse effective à deux dimensions, mieux adaptée à l'étude de systèmes bidimensionnels.

Etude des propriétés optiques d'hétérostructures basées sur les semiconducteurs ZnSe, ZnSSe, ZnMgSSe élaborés par MOVPE

Etude des propriétés optiques d'hétérostructures basées sur les semiconducteurs ZnSe, ZnSSe, ZnMgSSe élaborés par MOVPE PDF Author: Claude Boemare
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 276

Book Description
NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DETAILLEE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES REALISEE EN EPITAXIE PAR DEPOT D'ORGANOMETALLIQUE. LES ARCHITECTURES DE CES HETEROSTRUCTURES REALISEES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS A GRANDS GAP VONT DE LA SIMPLE HETERO-EPITAXIE AUX SUPER RESEAUX EN PASSANT PAR LES PUITS QUANTIQUES. LE CONTROLE DE L'HOMOGENEITE DES DEPOTS EST MIS EN EVIDENCE A TRAVERS UNE APPROCHE ORIGINALE UTILISANT LA PHYSIQUE DES EXCITATIONS ELEMENTAIRES: NOUS METTONS EN EVIDENCE APRES UNE MODELISATION SEMICLASSIQUE DE LA REFLECTANCE AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES, LA QUANTIFICATION DES MODES PHOTONS DU POLARITON. DANS LE CAS DES STRUCTURES A CONFINEMENT SPATIAL DES PORTEURS DE CHARGE, UN MODELE COMPLET FAISANT APPEL AUX MECANISMES THERMO-INDUIT DE PIEGEAGE ET D'ECHAPPEMENT DES PORTEURS DE CHARGES NOUS PERMET DE RENDRE COMPTE QUANTITATIVEMENT DES MECANISMES PHYSIQUE REGISSANT L'EMISSION DE LUMIERE DANS CES MATERIAUX

Etude des états excitoniques dans les nanostructures cylindriques de semi-conducteurs

Etude des états excitoniques dans les nanostructures cylindriques de semi-conducteurs PDF Author: Serge Le Goff
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 208

Book Description
Les boîtes quantiques de semi-conducteurs sont des hétérostructures qui, pour des dimensions de l'ordre du rayon excitonique, conduisent à une quantification totale de l'énergie de l'exciton. Leur intérêt pratique réside surtout dans leurs propriétés optiques non linéaires et la perspective de réalisation de microlasers. Tandis que la géométrie sphérique décrit assez bien les microcristallites obtenues par voie chimique dans une matrice de verre, la géométrie cylindrique est mieux adaptée aux boites de petites dimensions obtenues par dépôt moléculaire suivi d'une microgravure. Nous présentons les résultats du premier calcul variationnel de l'énergie de l'état fondamental d'un exciton dans un puits quantique cylindrique fini. Nous nous sommes placés dans l'approximation de la fonction enveloppe, qui conduit à une équation de Schrodinger effective à deux particules, où entrent en compétition les potentiels de confinement de l'électron et du trou et le potentiel coulombien décrivant leur interaction. Le confinement a d'abord été modélisé par des puits carrés infinis et ensuite par des puits carrés finis. Le comportement est qualitativement différent pour les très petites dimensions : dans le premier modèle, les effets de confinement l'emportent sur l'interaction coulombienne, tandis qu'en puits fini, le rôle du potentiel de confinement n'est plus prédominant pour des dimensions de boîtes tendant vers zéro, mais pour des dimensions de boîtes de l'ordre du rayon excitonique

ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE

ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE PDF Author: PIERRE.. DISSEIX
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 196

Book Description
CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS. LES PARTICULARITES DE CES DEUX SYSTEMES SONT, D'UNE PART, LE FORT DESACCORD DE MAILLE (-3,2% POUR INAS/INP ET -7,2% POUR INAS/GAAS), ET D'AUTRE PART, LES FAIBLES VALEURS DE L'ENERGIE DE BANDE INTERDITE ET DU COUPLAGE SPIN-ORBITE D'INAS CONDUISANT A DES MASSES EFFECTIVES PEU ELEVEES ET A UN COUPLAGE INTER-BANDES IMPORTANT. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ET DE REFLECTIVITE ONT ETE EFFECTUEES SUR DES PUITS QUANTIQUES SIMPLES INAS/INP D'UNE A TROIS MONOCOUCHES D'EPAISSEUR, ELABORES PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES, ET SUR DES MULTI-PUITS QUANTIQUES INAS/GAAS D'ENVIRON UNE MONOCOUCHE D'EPAISSEUR, REALISES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES. DIFFERENTES TRANSITIONS LIEES AUX PUITS D'INAS ONT ETE OBSERVEES ET LA SPECTROSCOPIE D'AODT A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE, POUR LA PREMIERE FOIS DANS LE SYSTEME INAS/INP, LA TRANSITION EXCITONIQUE IMPLIQUANT LES TROUS LEGERS. L'AJUSTEMENT DES ESTIMATIONS THEORIQUES AUX ENERGIES DES TRANSITIONS OBSERVEES A CONDUIT A LA DETERMINATION PRECISE DES DECALAGES DE BANDES AUX INTERFACES INAS/INP ET INAS/GAAS ET A L'OBTENTION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION LIE A LA REPARTITION DE L'INDIUM DANS LES MULTI-PUITS D'INAS/GAAS. LA MODELISATION NUMERIQUE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A NECESSITE LA MISE EN UVRE DE MODELES INCLUANT DE FACON SATISFAISANTE LES EFFETS CONJUGUES DES FORTES CONTRAINTES ET DES COUPLAGES ENTRE BANDES. EN PARTICULIER, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE PROCEDURE DE CALCUL PERMETTANT LA DETERMINATION CORRECTE DES ETATS DE VALENCE DANS UN PUITS QUANTIQUE CONTRAINT ET INCLUANT LE COUPLAGE ENTRE LA BANDE DES TROUS LEGERS ET LA BANDE SPIN-ORBITE QUI INTERVIENT PAR INTERACTION #K.#P VIA D'AUTRES BANDES ELOIGNEES

ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS EN PROPAGATION GUIDEE

ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS EN PROPAGATION GUIDEE PDF Author: VASSILIKI.. VOLIOTIS
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 110

Book Description
CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS DE COURTE PERIODE, PAR DES EXPERIENCES DE TRANSMISSION EN PROPAGATION GUIDEE, A BASSE TEMPERATURE. LA CARACTERISATION COMPLETE ET LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU GUIDE SONT ESSENTIELLES POUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ISOLES OU SUPER-RESEAUX IMMERGES DANS LES STRUCTURES GUIDANTES. DANS CETTE CONFIGURATION EXPERIMENTALE, NOUS DETERMINONS LES COEFFICIENTS D'ABSORPTION DANS LES DEUX DIRECTIONS DE POLARISATION, PARALLELE ET PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES ET NOUS EN DEDUISONS LES ENERGIES DE LIAISON ET LES FORCES D'OSCILLATEUR DES EXCITONS LOURDS ET LEGERS DES PUITS QUANTIQUES ETUDIES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LE FAIBLE COEFFICIENT D'ABSORPTION DES TRANSITIONS OPTIQUES ENTRE ELECTRONS CONFINES DANS DES VALLEES X D'ALAS ET DES TROUS SITUES SUR DES ETATS GAMMA DE GAAS, DANS DES SUPER-RESEAUX (GAAS) N (ALAS) M DE TYPE-II. LA COMPARAISON DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A UN CALCUL THEORIQUE DU COEFFICIENT D'ADSORPTION DANS UN SUPER-RESEAU DE TYPE-II A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DU PARAMETRE DE COUPLAGE ENTRE ETATS ELECTRONIQUES GAMMA DE GAAS ET X D'ALAS, RESPONSABLE DE LA FORCE D'OSCILLATEUR FINIE DES TRANSITIONS OPTIQUES

Canadian Journal of Physics

Canadian Journal of Physics PDF Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Physics
Languages : en
Pages : 840

Book Description


ICREEC 2019

ICREEC 2019 PDF Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659

Book Description
This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

L'industrie des télécommunications

L'industrie des télécommunications PDF Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Telecommunication
Languages : en
Pages : 296

Book Description