ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D'OXYGENE DANS LE SILICIUM PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D'OXYGENE DANS LE SILICIUM PDF full book. Access full book title ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D'OXYGENE DANS LE SILICIUM by Philippe Thevenin. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Philippe Thevenin Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 134
Book Description
CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE
Author: Philippe Thevenin Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 134
Book Description
CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE
Book Description
LE BUT DE CETTE THESE EST D'ETUDIER LES ASPECTS STRUCTURAUX ET ELECTRIQUES DE L'IMPLANTATION IONIQUE DE BORE DANS DES COUCHES DE DIAMANT. LA THESE DEBUTE PAR LA PRESENTATION DES TECHNIQUES D'ELABORATIONS DES COUCHES ET PAR L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE QUELQUES PARAMETRES EXPERIMENTAUX. LES NOTIONS DE BASE DE L'IMPLANTATION IONIQUE ET UN RAPIDE HISTORIQUE DE L'APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE AU DIAMANT FONT L'OBJET DU SECOND CHAPITRE. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, LES CARACTERISATIONS STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DES COUCHES NON RECUITES DANS UN PREMIER TEMPS, PUIS RECUITES DANS UN DEUXIEME TEMPS, MONTRENT LA STABILITE DE LEURS PROPRIETES INTRINSEQUES. L'INFLUENCE DE L'IMPLANTATION IONIQUE DE BORE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE COUCHES NON RECUITES EST ETUDIEE AU QUATRIEME CHAPITRE. NOUS MONTRONS QU'IL EXISTE UNE DOSE D'IMPLANTATION SEUIL, AU DELA DE LAQUELLE LA ZONE IMPLANTEE SUBIT UNE TRANSFORMATION DE PHASE, DU DIAMANT VERS LE CARBONE AMORPHE. LE SIGNAL RPE ETROIT PROVIENT DE DEFAUTS SITUES DANS LE VOLUME DES CRISTALLITES ET LE SIGNAL RPE LARGE PROVIENT DE DEFAUTS SITUES AUX JOINTS DE GRAINS. LA METHODE DE RECUIT PAR ENCAPSULATION DE NITRURE DE SILICIUM EST PRESENTEE AU CINQUIEME CHAPITRE. CETTE TECHNIQUE PERMET DE RECUIRE LES COUCHES DE DIAMANT SOUS ARGON A 1300C PENDANT AU MOINS 6 HEURES, TOUT EN CONSERVANT L'INTEGRITE DE LA COUCHE. DANS LE DERNIER CHAPITRE, NOUS MENONS L'ETUDE DE L'INFLUENCE DU RECUIT SUR LES COUCHES IMPLANTEES. NOUS MONTRONS QUE LES ATOMES DE BORE NE DIFFUSENT PAS, PUIS QUE LA GUERISON DES DEFAUTS D'IMPLANTATION EST SUFFISANTE POUR PERMETTRE LE DOPAGE DES COUCHES DE DIAMANT. NOUS TERMINONS EN DEVELOPPANT UN MODELE DE LA COMPENSATION PRENANT EN COMPTE L'IONISATION PARTIELLE DE NIVEAU COMPENSATEUR AINSI QUE L'EXISTENCE D'UN FACTEUR DE DEGENERESCENCE NETTEMENT PLUS ELEVE QUE SA VALEUR CLASSIQUE
Book Description
L'augmentation de l'espérance de vie des populations des pays développés conduit à la pose de plus en plus fréquente d'éléments prothétiques ostéo-articulaires ou dentaires. En fonction du patient et de sa pathologie, leur remplacement peut être nécessaire plus ou moins prématurément en raison de la nécrose de l'os en contact avec la surface de l'implant. L'application de biocéramiques spécifiques à la surface de l'implant sous la forme de couche mince, suivie d'un traitement ionique à haute énergie, peut réduire sensiblement le remplacement des éléments prothétiques. Dans ce travail de thèse, nous cherchons à améliorer les propriétés mécaniques et l'adhésion des couches d'hydroxyapatite à la suite d'un traitement de surface employant un faisceau de particules à haute énergie. Trois différentes doses ont été implantées : 5'1015 1016 et 2.1016 ions·cm-2. L'amélioration des propriétés mécaniques des couches a été vérifiée à l'aide de techniques de nanoindentation et nanorayure; la modification des propriétés physico-chimiques a été mesurée grâce aux techniques RBS, NRA, DRIFTS, GXRD et EDX ; et la morphologie de surface a été abordée par des techniques AFM et MEB. À la fin de cette étude, des essais de dissolution en milieu biologique ont été mis en oeuvre. L'implantation ionique à haute énergie, appliquée avec une dose optimale et à une énergie d'accélération adaptée aux espèces implantées, conduit à des changements de topographie, à l'augmentation des propriétés mécaniques et à des modifications microstructurales des couches. L'ensemble de ces changements favorise le développement cellulaire lors des essais de dissolution in vitro.
Book Description
Cette thèse a pour but d'étudier le dopage par implantation ionique pour la réalisation des différentes zones dopées des cellules solaires en silicium cristallin (émetteur, champ arrière...). L'avantage de l'implantation ionique, par rapport à la diffusion gazeuse, est de pouvoir contrôler le profil des dopants implantés ainsi que de simplifier les procédés de fabrication des cellules. Deux techniques d'implantation ionique ont été utilisées dans ces travaux, l'implantation classique par faisceau d'ions et l'implantation par immersion plasma. Des dopages au phosphore, au bore et à l'arsenic ont été réalisés par cette technique d'implantation avec une activation par recuit thermique. L'importance de la température de recuit, des doses d'implantation et des couches de passivation sur la qualité électrique des jonctions formées a été mise en évidence. Des jonctions à faible courant de saturation ont pu être obtenues pour les différentes sources dopantes. Ces dopages par implantation ont ensuite été appliqués à la réalisation de cellules solaires en silicium sur substrat de type p (avec un émetteur dopé au phosphore) et sur substrat de type n (avec un émetteur dopé au bore et un champ arrière dopé au phosphore). L'utilisation de l'implantation ionique a permis d'atteindre un rendement de 19,1 % sur les cellules de type p soit un gain de 0,6 %abs par rapport au dopage par diffusion gazeuse, ainsi qu'un rendement de 20,2 % sur les cellules de type n.
Author: Philippe Thevenin
Author: Philippe Thevenin
Author: Kamel Touhouche
Author: 
Author: 
Author: Frederic Fontaine
Author: Leandro Jacomine
Author: Adeline Lanterne
Author: Bernard Netange
Author: Stuart Hill
Author: Nasser Ennih