Author: JEAN LUC.. GUIZOTPublisher:
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Book Description
LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR ULTRAVIOLET CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (UVCVD) CONSTITUE UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE AUX DEPOTS ASSISTES PAR PLASMAS QUI SONT, A CE JOUR, UTILISES PAR LA PASSIVATION DE CIRCUITS ELECTRONIQUES REALISES SUR DES SUBSTRATS D'ARSENIURE DE GALLIUM. CETTE TECHNIQUE DE DEPOT EST BASEE SUR LA PHOTOLYSE DE MOLECULES D'AMMONIAC PAR UN RAYONNEMENT ULTRAVIOLET PROVENANT D'UNE LAMPE A MERCURE BASSE PRESSION EN PRESENCE DE MOLECULES DE SILANE. L'ENSEMBLE DES REACTIONS CHIMIQUES AYANT LIEU EN PHASE GAZEUSE, ENTRE LES RADICAUX ISSUS DE LA PHOTODISSOCIATION DE NH#3 ET LES MOLECULES DE SIH#4, PERMETTENT DE CREER LES RADICAUX SIH#2, SIH#3, NH#2 ET H RESPONSABLES DE LA CROISSANCE DU FILM DE NITRURE DE SILICIUM. UNE DES SPECIFICITES DES REACTEURS UVCVD RESIDE DANS L'ABSENCE D'IONS DANS LA PHASE GAZEUSE CE QUI SUPPRIME AINSI LE BOMBARDEMENT IONIQUE DE LA SURFACE DE GAAS (001) ET DONC SON AMORPHISATION PENDANT LA CROISSANCE DE LA COUCHE ISOLANTE COMME CELA EST LE CAS DANS DES REACTEURS ASSISTES PLASMAS. LA QUALITE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS MESFETS OBTENUS SDUR GAAS DEPEND FORTEMENT DE LA COMPOSITION CHIMIQUE DE L'INTERFACE ISOLANT-SEMICONDUCTEUR AINSI QUE DE LA QUALITE CRYSTALLOGRAPHIQUE DE LA SURFACE DE GAAS. UN PRE-TRAITEMENT DE LA SURFACE DE GAAS AU SEIN DU REACTEUR DE DEPOT, PAR INTERACTION DE CELLE-CI AVEC DES HYDRURES OU DE L'HYDROGENE MOLECULAIRES, PEUT ETRE ENVISAGE POUR AMELIORER LES CARACTERISTIQUES DE CETTE INTERFACE. DANS LE CAS DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR UVCVD UN PRE-TRAITEMENT DE LA SURFACE DE GAAS (001) PAR PHOTOLYSE DE NH#3 PERMET D'ATTEINDRE UN DOUBLE OBJECTIF: SUPPRIMER LES OXYDES DE GALLIUM ET D'ARSENIC AINSI QUE LES IMPURETES TELLES QUE LE CARBONE PRESENTES A LA SURFACE DE GAAS AU MOMENT DE SON INTRODUCTION DANS LE REACTEUR UVCVD, ET CECI, SANS CREER DE DOMMAGES STRUCTURELS A LA SURFACE DE GAAS; FORMER UNE COUCHE DE NITRURE DE GALLIUM QUI MIN