Author: Han-Kyu ParkPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 136
Book Description
Étude de la contre-réaction dans les amplificateurs hyperfréquences à transistors à effet de champ au Ga As
Author: Han-Kyu ParkEtude des non linéarités dans les amplificateurs hyperfréquences à transistor à effet de champs en régime faible et moyenne puissance
Author: Redouane YaquinePublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 122
Book Description
Introduction à l'analyse des systèmes non linéaires par la technique des séries de Volterra. Application à l'étude du comportement non linéaire du transistor à effet de champ. Modèle numérique. Aspect expérimental, mesure de la distorsion basse fréquence des paramètres aux fréquences fondamentale et harmoniques. Mesure des éléments non linéaires dans la gamme 01 a 1 GHz, détermination du schéma équivalent du transistor à effet de champ. Application de la technique des séries de Volterra au calcul de l'intermodulation : étude du nec 388, etude du t.e.c. De puissance Thomson 27 gpf. Mesure de l'intermodulation
Analyse et optimisations de transistors à effet de champ à hétérojonction pour l'amplification de puissance dans la bande Ka
Author: Christophe GaquièrePublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 293
Book Description
L'amélioration permanente des performances des transistors à effet de champ, en termes de fréquence, puissance ou rendement, a conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vide dans les amplificateurs hyperfréquences. De plus, depuis quelques années, l'extraordinaire explosion des applications grand public comprenant des circuits de puissance hyperfréquences (radiocommunication sans fil, télécommunications par satellite, systèmes d'anti-collision, d'auto-péage, et de surveillance de la circulation) a renforcé cette tendance. La première partie de ce travail développe une méthode de caractérisation spécifique en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants. Des solutions sont envisagées afin d'améliorer leurs performances. La suite du travail porte sur la caractérisation de ces transistors en fonctionnement grand signal dans la bande de fréquence 26-40 GHz à partir de bancs de mesures en puissance classiques. L'étude continue avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grille sur les comportements en puissance des composants. La dernière partie présente un système automatise de mesures grand signal dans la bande Ka qui permet d'effectuer des mesures en mode load pull à charge active ou en analyseur de réseau standard et d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques (gains, puissances, rendements). Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides ou monolithiques.
LE TRANSISTOR HYPERFREQUENCE A EFFET DE CHAMP A L'ARSENIURE DE GALLIUM DANS LES REGIMES D'AMPLIFICATION DE PUISSANCE ET DE MULTIPLICATION DE FREQUENCE
Author: RABAH.. MAIMOUNIPublisher:
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Languages : fr
Pages : 168
Book Description
PAR UTILISATION D'UN MODELE MATHEMATIQUE NON LINEAIRE DU TEC GAAS COMPATIBLE AVEC LA C.A.O. DES CIRCUITS, ON PRESENTE TOUT D'ABORD UNE METHODOLOGIE D'ETUDE THEORIQUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE EN REGIME TEMPOREL QUE L'ON VALIDE PAR L'EXPERIENCE DANS LA BANDE 2-8 GHZ. ON DETERMINE ENSUITE LES QUALITES POTENTIELLES THEORIQUES DU TEC POUR LA MULTIPLICATION DE FREQUENCE QUE L'ON CONFIRME PAR UNE ETUDE EXPERIMENTALE MENEE SUR DES DOUBLEURS DE FREQUENCE DANS LES BANDES 2-4 ET 4-8 GHZ
Analyse Et Optimisation de Transistors Pour Amplification de Puissance
Author: Christophe GaquierePublisher: Omniscriptum
ISBN: 9786131554520
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Languages : fr
Pages : 308
Book Description
L'amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d'améliorations. L'étude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l'aide d'un banc à charge active permettant d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques.
Optimisation théorique et expérimentale des transistors à effet de champ multicanaux à gaz bidimensionnel d'électrons AlGaAs/GaAs pour l'amplification de puissance en hyperfréquences
Author: Farid TemçamaniPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 134
Book Description
Le transistor à effet de champ à gaz bidimensionnel d'électrons (TEGFET) a montré une meilleure montée en fréquence que le transistor MESFET. Cependant, ses performances en puissance étaient soumises à des limitations physiques profondes. C'est ce problème qui a fait l'objet de ce travail. Une première étude théorique et expérimentale de la tension de claquage a permis d'en expliquer l'origine et d'aboutir à une structure spéciale ayant une bonne tenue en claquage. Ensuite une étude plus générale nous a permis par l'utilisation de TEGFET multicouches optimaux d'aboutir à des performances intéressantes de puissance. La suite du travail a concerné les corrélations entre les paramètres technologiques et électriques avec les performances de puissance. Enfin, l'étude a été complétée par une investigation des problèmes relatifs à la résistance de source et à l'impédance de sortie. Nous avons mis ainsi en évidence un des problèmes essentiels posés par le comportement des transistors à effet de champs millimétriques de puissance.
Analyse de transistors à effet de champ pour l'amplification de puissance et le mélange à partir d'une modélisation quasi-bidimensionnelle
Author: François DuhamelPublisher:
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Languages : fr
Pages : 222
Book Description
La modélisation quasi-bidimensionnelle de transistors à effet de champ offre une grande souplesse d'emploi qui est mise à profit dans le cadre de ce travail pour traiter trois types différents de structures en vue d'établir leurs potentialités en tant qu'amplificateur de puissance ou de mélangeur. Après avoir mis en perspective les composants que nous avons étudiés, nous décrivons les principes de notre modèle et développons les méthodes utilisées en particulier pour déterminer les caractéristiques physiques et électriques des différents transistors. Nous avons, ainsi, pu étudier les potentialités du hemt pseudomorphique sur gaas pour l'amplification de puissance à 60 ghz et souligner l'importance de la longueur et du fosse de grille sur les performances des composants. D'autre part, le même type d'analyse, menée sur le hemt bigrille, a permis de déterminer les conditions de polarisation et la topologie à utiliser dans le cadre d'une utilisation en mélangeur de type faible bruit en bande v. Enfin, une méthode de traitement du misfet gaas basse température reposant sur l'introduction d'une commande de charge spécifique a été mise en oeuvre. Elle permet notamment d'expliquer la dispersion des caractéristiques dynamiques entre le régime statique et le régime dynamique. Les différents résultats obtenus sont confrontés aux données expérimentales et à d'autres types de modèles plus précis afin de valider la méthodologie mise en oeuvre
Etude en vue de l'amélioration du rendement d'un amplificateur hyperfréquences de puissance à transistor à effet de champ en arséniure de gallium par contrôle des impédances harmoniques
Author: Thierry DECAESTEKEAnalyse de fonctionnement en amplification de puissance en bande Ka des transistors HEMT des filières AsGa et InP
Author: Eric BourcierPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Book Description
L'amelioration permanente des performances des transistors a effet de champ, en termes de frequence, puissance ou rendement, conduit ces composants a remplacer progressivement les tubes a ondes progressives dans les amplificateurs hyperfrequences de puissance pour applications militaires, aeronautiques et spatiales. De plus, depuis quelques annees, l'extraordinaire explosion des applications grand public integrant des circuits de puissance hyperfrequences (telephone mobile, badges d'identification, systemes d'anti-collision, d'autopeage, et de surveillance de la circulation) a accelere cette evolution. Dans ce contexte, les outils d'aide a l'utilisation des transistors a effet de champ de puissance sont d'un besoin imperieux. C'est a ce besoin que s'adresse le present travail. Sa premiere partie explique le fonctionnement du systeme de mesure de puissance que nous avons developpe selon le principe de la charge active, dans la bande de frequence de 26 a 40 ghz. Ce systeme permet de mesurer de facon automatique des transistors a effet de champ dont le developpement totale de grille peut atteindre un millimetre et utilise un logiciel de pilotage mis au point pour preserver le composant dans les conditions d'impedances dangereuses en terme de courant de grille. De plus les calibrages vectoriels en impedance et en puissance mis en uvre permettent une grande precision de mesure. Enfin le systeme permet des investigations de transistors prevus pour des applications soit en circuit hybride, soit en technologie mmic. Dans la deuxieme partie, une etude est effectuee sur la difference de comportement d'un transistor selon que celui-ci est soumis a une puissance d'entree injectee constante ou a une puissance d'entree absorbee constante. Ensuite l'effet de l'instabilite des transistors sur leur comportement est analyse.
Le Transistor hyperfréquence à effet de champ à grille métallique sur arséniure de gallium
Author: Jacques GraffeuilPublisher:
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Languages : fr
Pages : 231
Book Description
ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES PETITS SIGNAUX DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A BARRIERE DE SCHOTTKY SUR GAAS. ANALYSE DES PROPRIETES EN BRUITS DE CE DISPOSITIF ET DE LA COUCHE EPITAXIALE QUI EN REPRESENTE LE CONSTITUANT ESSENTIEL. LES RESULTATS OBTENUS REPONDENT A LA PLUPART DES BESOINS QUI AVAIENT MOTIVE CETTE ETUDE EN PARTICULIER: ETABLISSEMENT DES MODELES PERMETTANT DE SIMULER LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DYNAMIQUES ET EN BRUIT DE FOND DES TRANSISTORS MESFET, DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE MESURE ADAPTEES A LA DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISANT LES PROPRIETES DES TRANSISTORS, APPLICATION DE CES RESULTATS A LA CONCEPTION ASSISTEE DES MESFET.