Étude de la conduction et de l'effet de champ dans des couches de silicium polycristallin PDF Download

Author: Mohammed el- Koosy (auteur d'une thèse de sciences.)
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Languages : fr
Pages : 128

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Author: MOHAMMED.. EL KOOSY
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Languages : fr
Pages : 144

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ETUDE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES RESISTANCES, CAPACITE MOS ET TRANSISTORS MOS REALISES DANS UNE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEE PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE SOUS FAIBLE PRESSION ET DOPEE PAR IMPLANTATION D'IONS BORE ET PHOSPHORE

Author: DJILLALI.. MOSTEFA
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Languages : fr
Pages : 161

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CE MEMOIRE DECRIT UNE ETUDE DU COMPORTEMENT DE LA CONDUCTIVITE DE COUCHES DE SILICIUM AMORPHE ET POLYCRISTALLIN NON INTENTIONNELLEMENT DOPEES LPCVD (NATIVES OU GRAVEES PAR PLASMA) VIS-A-VIS DE L'ADSORPTION DE L'OXYGENE, OU PLUS PRECISEMENT DE L'IONOSORPTION. L'OXYGENE A UN COMPORTEMENT ACCEPTEUR VIS-A-VIS DU SILICIUM LPCVD (AMORPHE OU CRISTALLIN): LA DIMINUTION DE LA CONDUCTIVITE EN PRESENCE D'OXYGENE PEUT ATTEINDRE DEUX DECADES. CETTE VARIATION DEPEND DES CONDITIONS DE DEPOT ET DE TRAITEMENT DES COUCHES. LA VARIATION RELATIVE DE LA CONDUCTIVITE (CONDUCTANCE) DE LA COUCHE LORS D'UNE ADSORPTION ISOTHERME D'OXYGENE EST PROPORTIONNELLE A L'EPAISSEUR DE LA COUCHE. LA DENSITE SUPERFICIELLE DE MOLECULES (ATOMES) D'OXYGENE RESTANT EN ETATS IONOSORBES OBEIT A UNE LOI DE TYPE LANGMUIR. DEUX GRANDEURS LA CARACTERISENT: UNE ENERGIE D'ACTIVATION DE DESIONOSORPTION (W) ET UN FACTEUR DE FREQUENCE (V). LE COUPLE (W, V) DEPEND DE LA NATURE ET DES TRAITEMENTS DES COUCHES. CONTRAIREMENT AUX COUCHES POLYCRISTALLINES, NOUS AVONS OBSERVE SUR DEUX ANS UNE EVOLUTION IRREVERSIBLE DE LA RESISTANCE DE COUCHES AMORPHES

Author: Hervé Lhermite
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Languages : fr
Pages : 328

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L'OBJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DES PHENOMENES ELECTROSTATIQUES DANS LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AU MOYEN DE LA RESOLUTION NUMERIQUE DE L'EQUATION DE POISSON A UNE ET DEUX DIMENSIONS. A DEUX DIMENSIONS, ON ETUDIE COMMENT UN JOINT DE GRAIN PARALLELE A UNE STRUCTURE MOS POLYCRISTALLINE (MOSP) PEUT BLOQUER LES VARIATIONS DE POTENTIEL INDUITES PAR LA TENSION DE GRILLE. ON ETUDIE ENSUITE LES PARAMETRES DE LA SIMULATION (TAILLE DES GRAINS, DOPAGE, PIEGES A L'INTERFACE, ETC.) SUR LES VARIATIONS D'UNE CAPACITE MOSP EN VUE DE SIMULER LA CARACTERISTIQUE COURANT TENSION D'UNE STRUCTURE REELLE

Author: BOUZID.. HADJOUDJA
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Languages : fr
Pages : 225

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MESURES DE RESISTIVITE ET D'EFFET HALL. ON EN DEDUIT LA CONCENTRATION ET LA MOBILITE HALL POUR DIFFERENTES DOSES DE BORE ET D'ARSENIC. INTERPRETATION

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Category : Telecommunication
Languages : en
Pages : 372

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Author: Jumana Boussey
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Languages : fr
Pages : 157

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DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE

Author: Martine Le Berre
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Languages : fr
Pages : 128

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LE BUT DE CE TRAVAIL ETAIT DE COMPARER LES PROPRIETES STRUCTURALES, ELECTRIQUES ET PIEZORESISTIVES DE DIFFERENTES STRUCTURES DE TYPE SOI (SILICON ON INSULATOR), D'EVALUER DANS QUELLE MESURE LES CONDITIONS D'ELABORATION ET LES TRAITEMENTS DE RECUITS ULTERIEURS INFLUAIENT SUR CES DIVERSES PROPRIETES, ET ENFIN DE MODELISER LA PIEZORESISTIVITE DE CE MATERIAU. L'EMPLOI DE TOUTE UNE SERIE DE MOYENS DE CARACTERISATION TELS QUE LA DIFFRACTION DES RAYONS X SOUS INCIDENCE RASANTE, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION, LE RAMAN, LA REFLECTIVITE IR, LA SPECTROMETRIE DE MASSE D'IONS SECONDAIRES (SIMS), LES MESURES PAR EFFET HALL ET LA MESURE DU FACTEUR DE JAUGE, NOUS A PERMIS DE CARACTERISER DES COUCHES LPCVD ET PECVD. POUR LES COUCHES LPCVD DEPOSEES POLYCRISTALLINES PUIS RECUITES PAR VOIE CONVENTIONNELLE OU PAR RECUIT RAPIDE, LES FACTEURS DE JAUGE SONT COMPRIS ENTRE 25 ET 40. LES PROPRIETES ELECTRIQUES SONT LEGEREMENT AMELIOREES PAR LE RECUIT RAPIDE. LES COUCHES PECVD DEPOSEES AMORPHES PUIS RECUITES PRESENTENT DES PROPRIETES ELECTRIQUES SENSIBLEMENT AMELIOREES PAR RAPPORT AUX COUCHES LPCVD (RESISTIVITE, DENSITE DE PIEGES). LES FACTEURS DE JAUGE RESTENT CEPENDANT INFERIEURS (20-27) EN LIAISON AVEC LA PLUS FAIBLE TAILLE DE GRAIN. LES COUCHES DIRECTEMENT DEPOSEES MICROCRISTALLINES PEUVENT AVOIR DES FACTEURS DE JAUGE ATTEIGNANT 28 A CONDITION DE PRESENTER UNE TEXTURE FAVORABLE. AU MOYEN D'HYPOTHESES DE CONTRAINTES OU DE DEFORMATIONS CONSTANTES, UNE MODELISATION ORIGINALE DE LA PIEZORESISTIVITE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN A ETE REALISEE ET A PERMIS UNE COMPARAISON JUSQU'ICI IMPOSSIBLE. ON CONSTATE QUE LES FACTEURS DE JAUGE CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE CONTRAINTES CONSTANTES SONT SYSTEMATIQUEMENT INFERIEURS A CEUX CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE DEFORMATIONS CONSTANTS. POUR LE CALCUL DES ELEMENTS DE TENSEURS MOYENNES, NOUS SOMMES PARVENUS, GRACE AUX PROPRIETES DES TENSEURS D'ORDRE 4, A DES EXPRESSIONS EXTREMEMENT SIMPLIFIEES. ENFIN, ON NOTE UN BON ACCORD ENTRE LES VALEURS MODELISEES DU FACTEUR DE JAUGE ET LES VALEURS EXPERIMENTALES

Author: Hervé Morel
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Languages : fr
Pages : 0

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MODELISATION DU POTENTIEL AU VOISINAGE D'UN JOINT DE GRAIN DANS UNE COUCHE D'INVERSION. ETUDE DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LE CADRE DE L'EQUATION CINETIQUE DE BOLTZMANN. MISE EN EVIDENCE DE TROIS REGIMES DE CONDUCTION : REGIME DE CONDUCTION LIMITEE PAR LES COLLISIONS, REGIMES DE DETENTE ET DE COMPRESSION. LA VALEUR NUMERIQUE DU COURANT TRAVERSANT LE JOINT DE GRAIN EST PLUS CONFORME A L'EXPERIENCE QUE NE LE SONT LES COURANTS PREVUS PAR LES APPROCHES TRADITIONNELLES.

Author: AHMED.. LIBA
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Languages : fr
Pages : 296

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CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE DES DEPOTS SUR SUBSTRAT DE VERRE DE SILICIUM DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PAR LA TECHNIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE A BASSE PRESSION OU LPCVD. L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST LA MAITRISE DU TAUX DE DOPAGE DE L'ELEMENT PHOSPHORE DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM ELABOREES A UNE TEMPERATURE N'EXCEDANT PAS 600C. NOUS AVONS CHERCHE LES PARAMETRES DE DEPOT (TEMPERATURE, PRESSION, RAPPORT PH#3/SIH#4) QUI CONDUISENT A DES FILMS PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS COUCHES MINCES