Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène PDF Download

Author: Colonel Chomard
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Languages : fr
Pages : 132

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Author: Philippe Vendange (auteur en microélectronique).)
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Languages : fr
Pages : 0

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Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat

Author: Philippe Vendange
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Languages : fr
Pages : 220

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MISE EN EVIDENCE D'UN NOUVEL ENSEMBLE DE RAIES DANS LE SPECTRE DE PHOTOLUMINESCENCE DU SILICIUM RECUIT A 600**(O)C PENDANT UNE CENTAINE D'HEURES. OBSERVATION D'ENERGIE DE LOCALISATION FAIBLE ET D'UNE RAIE A ZERO PHONON. PROPOSITION D'UN MODELE PRENANT EN COMPTE LES VARIATIONS DE POTENTIEL AUX INTERFACES ENTRE LES PRECIPITES D'OXYGENE GENERES PAR LE RECUIT ET LE SUBSTRAT

Author: DANIEL.. BERTRAND
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Languages : fr
Pages : 86

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ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE

Author: Dirk Christoph Schmidt
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Languages : en
Pages : 208

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LES RECHERCHES CONCERNANT LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE D'UNIVERSITE ONT ETE EFFECTUEES DANS TROIS PAYS DIFFERENTS DE LA COMMUNAUTE EUROPEENNE ; AU LABORATOIRE DE METALLURGIE PHYSIQUE DE L'UNIVERSITE DE POITIERS, AU LABORATOIRE DU IV. PHYSIKALISCHES INSTITUT DE L'UNIVERSITE DE GOTTINGEN (ALLEMAGNE) ET AU LABORATOIRE D'ELECTRONIQUE DE L'ETAT SOLIDE A L'INSTITUT ROYAL DE TECHNOLOGIE DE STOCKHOLM (SUEDE). L'OR ET LE PLATINE SONT DES IMPURETES METALLIQUES COURAMMENT EMPLOYEES DANS L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE POUR CONTROLER LA DUREE DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES DANS LES DISPOSITIFS DE PUISSANCE A FAIBLE TEMPS DE COMMUTATION. RECEMMENT, L'IMPLANTATION AUX IONS LEGERS A MONTRE QU'ELLE POUVAIT ETRE UTILISEE COMME METHODE DE SUBSTITUTION A LA DIFFUSION DES IMPURETES EN RAISON DES DIVERS AVANTAGES QU'ELLE PRESENTE COMME PAR EXEMPLE LA REPRODUCTIBILITE, LA POSSIBILITE DE CHANGER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE LA DIODE A LA FIN DES DIFFERENTES ETAPES DE FABRICATION ET LE FAIT QUE LA TEMPERATURE DE LA DIODE EST BEAUCOUP PLUS BASSE DURANT L'IMPLANTATION QUE PENDANT LA DIFFUSION THERMIQUE. LA COMBINAISON IMPLANTATION-DIFFUSION EST EGALEMENT PROPOSEE COMME UNE METHODE ALTERNATIVE CAR ELLE PERMET DE REDUIRE DE FACON NOTABLE LA TEMPERATURE DE DIFFUSION DES IMPURETES ET DE CONTROLER PRECISEMENT LA POSITION ET LA CONCENTRATION DES CENTRES DE RECOMBINAISON. DANS CETTE THESE, L'INFLUENCE DES DEFAUTS, INTRODUITS PAR IMPLANTATION IONIQUE OU IRRADIATION AUX ELECTRONS, SUR LA DIFFUSION DU PLATINE A ETE ETUDIE. LA PRINCIPALE METHODE DE CARACTERISATION UTILISEE EST LA SPECTROSCOPIE TRANSITOIRE DES NIVEAUX PROFONDS OU DLTS (DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY). CETTE METHODE PERMET DE DETERMINER LES PROFILS DE CONCENTRATION DES DEFAUTS AINSI CREES ET DU PLATINE DIFFUSE. ON OBSERVE QUE LES DEFAUTS, PRODUITS PAR L'IRRADIATION AUX ELECTRONS OU PAR IMPLANTATION IONIQUE DE PROTONS OU DE PARTICULES ALPHA, SONT DECORES PAR LE PLATINE. CE RESULTAT PEUT ETRE EXPLIQUE EN INVOQUANT LES MECANISMES DE DIFFUSION DE TYPE KICK-OUT ET DE FRANK-TURNBULL. AU-DESSOUS D'UNE TEMPERATURE DE DIFFUSION DE 600C ON NE DETECTE AUCUN ATOME DE PLATINE DIFFUSE. CEPENDANT DE NOUVEAUX DEFAUTS, LIES A LA PRESENCE D'INTERSTITIELS, SURGISSENT DANS LE SPECTRE DLTS. ENFIN DES IMPLANTATIONS DE SILICIUM ET DES IRRADIATIONS AUX ELECTRONS DANS DES SUBSTRATS A TEMPERATURES ELEVES ONT ETE REALISEES AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LA NATURE DES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION/IRRADIATION.

Author: OLUSEYI.. ADEKOYA
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Languages : fr
Pages : 290

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ETUDE DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES DOPANTS (DONNEUR P; ACCEPTEUR B) ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS DANS SI MONOCRISTALLIN PAR RECRISTALLISATION EPITAXIQUE DES COUCHES, AMORPHISEES PAR IMPLANTATION IONIQUE, ET PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES PAR RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS PAR LA METHODE DLTS (NIVEAU PROFOND A 0,55 EV DE LA BANDE DE VALENCE). CONFIRMATION DE CETTE ELIMINATION DES DEFAUTS PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE APRES FUSION LASER DE SI, AVANT ET APRES IMPLANTATION IONIQUE. ANALYSE DU ROLE ELECTRIQUE DES DEFAUTS (CONTRAINTES THERMOELASTIQUES, ASSOCIATION IMPURETE-DEFAUT PRIMAIRE) DANS SI N, NON IMPLANTE, PAR DES MESURES DLTS, CAPACITE TENSION ET COURANT-TENSION; REDUCTION DE LEUR CONCENTRATION PAR DEPOT D'UNE FINE COUCHE D'OXYDE

Author: Mohamed Kechouane
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Languages : fr
Pages : 109

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ETUDE DES DEFAUTS PRESENTS DANS LE SILICIUM VIERGE ET IMPLANTE-RECUIT PAR LASER CONTINU, PAR DLTS. DANS SI VIERGE, LE RECUIT CREE DEUX CENTRES PROFONDS E(0,45) ET E(0,22) ASSOCIES RESPECTIVEMENT AU COMPLEXE LACUNE-PHOSPHORE ET AU CHROME INTERSTITIEL. L'ETUDE DES JONCTIONS IMPLANTEES RECUITES PAR LASER CONTINU, REVELE LA PRESENCE DE DEUX DEFAUTS PRINCIPAUX H(0,1) ET H(0,44) ATTRIBUES RESPECTIVEMENT AU FER INTERSTITIEL ET AUX PAIRES D'IONS FE::(1)**(+)-B::(5)**(-). L'ETUDE DE SI DE TYPE P RECUIT PAR LASER MONTRE QUE LES DEFAUTS RESIDUELS DANS LES JONCTIONS IMPLANTEES RECUITES SONT CEUX QUI SONT INTRODUITS PAR LE LASER

Author: Yassine Bensalah
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Languages : fr
Pages : 140

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ETUDE DES FACES VICINALES DE SI(100) DESORIENTEES DANS LA DIRECTION 011 POUR LES ANGLES COMPRIS ENTRE 0 ET 14 NON=, DE LEUR OXYDATION ET DE LA NATURE DES INTERFACES SIO::(2)/SI. CARACTERISATION DES SURFACES PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS. COMPARAISON ENTRE L'OXYDATION THERMIQUE SOUS PRESSION ATMOSPHERIQUE, L'OXYDATION SOUS FAIBLE PRESSION D'OXYGENE ET L'OXYDATION ASSISTEE PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE. CARACTERE ABRUPT DE L'INTERFACE SIO::(2)/SI MEME DANS LE CAS DES SURFACES VICINALES

Author: MOURAD.. OMRI
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Languages : fr
Pages : 182

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LA REALISATION DES JONCTIONS P#+N DE PROFONDEURS INFERIEURES A 100 NM, COMPATIBLES AVEC L'ARCHITECTURE 0,18 M DES COMPOSANTS CMOS, NECESSITE UNE IMPLANTATION DE DOPANT, LE BORE, A DES ENERGIES DE QUELQUES KEV DANS UN SUBSTRAT PREALABLEMENT AMORPHISE, SUIVIE D'UNE ETAPE DE RECUIT THERMIQUE RAPIDE. PENDANT CE PROCEDE, DE NOMBREUX EFFETS TYPIQUES DE SITUATIONS HORS-EQUILIBRE APPARAISSENT TELS LA FORMATION DE DEFAUTS DITS END-OF-RANGE (EOR) ET LA DIFFUSION ACCELEREE ET TRANSITOIRE DU DOPANT, QUI DOIT ETRE COMPRISE AFIN DE SIMULER CORRECTEMENT L'EVOLUTION, AU COURS DES RECUITS, D'ACTIVATION DES PROFILS DE DOPANTS. OR, CES DEUX EFFETS SONT LES RESULTATS D'UNE MEME CAUSE, L'EVOLUTION AU COURS DU RECUIT D'UNE SURSATURATION DE DEFAUTS PONCTUELS : LES ATOMES DE SILICIUM INTERSTITIELS. LA SIMULATION DE LA DIFFUSION ANORMALE DU DOPANT NECESSITE DONC LA CONNAISSANCE DE L'EVOLUTION SPATIO-TEMPORELLE DE CETTE SURSATURATION. CETTE EVOLUTION DEPEND DU TYPE DE DEFAUTS QUI SE FORMENT A L'INTERFACE AMORPHE/CRISTAL ET DE L'EFFICACITE DE LA SURFACE DE LA PLAQUETTE A PIEGER LES INTERSTITIELS. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS CONSACRE UNE PREMIERE PARTIE A EVALUER L'EFFICACITE DE PIEGEAGE DE LA SURFACE AU COURS D'UN RECUIT SOUS ATMOSPHERE NEUTRE (ARGON) ET REDUCTRICE (AZOTE), ET, CE, EN ETUDIANT L'EVOLUTION DES BOUCLES DE DISLOCATIONS QUI PRESENTE UN COMPORTEMENT DIFFERENT SELON L'ATMOSPHERE DU RECUIT. UNE ETUDE QUANTITATIVE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION MONTRE QUE, APRES RECUIT SOUS AZOTE, LE NOMBRE D'ATOMES PRIS DANS LES BOUCLES DEPEND DE LA DISTANCE BOUCLES/SURFACE. LES CINETIQUES DE DISSOLUTION DE CES DEFAUTS ONT ETE ETUDIEES ET MODELISEES EN DECRIVANT MATHEMATIQUEMENT UN PROCESSUS DE CROISSANCE DE TYPE OSTWALD RIPENING NON-CONSERVATIF. NOUS AVONS PU MONTRER QUE LA SURFACE EST UN PIEGE PARFAIT LORS D'UN RECUIT SOUS AZOTE. CEPENDANT, LORS D'UN RECUIT SOUS ARGON, L'EFFICACITE DE RECOMBINAISON EST LARGEMENT REDUITE. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS AVONS ETUDIE LE TYPE ET LA STABILITE DES DEFAUTS EOR POUR DES FAIBLES BILANS THERMIQUES. IL RESSORT DE CETTE ETUDE QU'IL EXISTE PLUSIEURS TYPES DE DEFAUTS QUI EVOLUENT EN PRESENCE D'UNE SURSATURATION PLUS FORTE QUE LEURS SURSATURATIONS D'EQUILIBRE. ENFIN, DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS PROPOSONS LE PRINCIPE D'UN NOUVEAU MODELE CAPABLE DE SIMULER LA DIFFUSION ANORMALE DU BORE DANS LE SILICIUM PREAMORPHISE.

Author: Mohammed-Salah Doghmane
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Languages : fr
Pages : 204

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ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS SI PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAUX PROFONDS. EFFET DE LA FLUENCE ET DE L'ENERGIE DES ELECTRONS. ETUDE DU RECUIT SOUS ATMOSPHERE D'HYDROGENE. L'EFFET DE L'IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR LES NIVEAUX D'IMPURETES EST ETUDIE