Author: Cristina GonçalvesPublisher:
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Languages : fr
Pages : 145
Book Description
Etude de couches minces de silicium microcristallin hydrogénées déposées par pulvérisation cathodique magnétron radiofréquence
Author: Cristina GonçalvesETUDE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU A PARTIR DE SILICIUM AMORPHE DEPOSE PAR PULVERISATION RADIO-FREQUENCE MAGNETRON. APPLICATION A LA REALISATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES
Author: ERIC.. BARDETPublisher:
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Languages : fr
Pages : 166
Book Description
L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST D'ELABORER DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES EN COUCHE MINCE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN, A PARTIR DE COUCHES AMORPHES DEPOSEES DANS UN REACTEUR DE PULVERISATION R. F. MAGNETRON ET CRISTALLISEES THERMIQUEMENT EN PHASE SOLIDE. LES PROPRIETES DES COUCHES AMORPHES EN FONCTION DES PARAMETRES DE DEPOT SONT DISCUTEES. LA TECHNIQUE DE DEPOT PAR PULVERISATION PERMET DE FAIRE VARIER LA VITESSE DE DEPOT ET LE GAP OPTIQUE DANS DES GAMMES TRES ETENDUES. LA CRISTALLISATION DES COUCHES INTRINSEQUES EN PHASE SOLIDE EST ENSUITE ETUDIEE DANS LE BUT D'OBTENIR DE GRANDES TAILLES DE CRISTALLITES FAVORABLES AUX PHENOMENES DE TRANSPORT. NOUS DETERMINONS UNE METHODE DE MESURE DE LA TAILLE DES CRISTALLITES PAR DIFFRACTION DES RAYONS X, CORRELEE PAR DES MESURES DE REFLECTIVITE ET D'AFM, QUI CORRESPOND A LA TAILLE PERTINENTE POUR LES PROPRIETES DE TRANSPORT. NOUS MONTRONS QUE LE DESORDRE DE LA COUCHE AMORPHE DETERMINE PAR DIFFRACTION DES RAYONS X ET PAR PROFILOMETRIE, AINSI QUE SON CONTENU EN HYDROGENE, JOUENT UN ROLE IMPORTANT DANS LES PROCESSUS DE CRISTALLISATION. PLUS LE DESORDRE EST IMPORTANT ET/OU MOINS LE CONTENU EN HYDROGENE EST ELEVE, PLUS LA TAILLE DES CRISTALLITES APRES RECUIT EST GRANDE. PUIS NOUS ETUDIONS LE DOPAGE DES COUCHES AMORPHE ET POLYCRISTALLINE. LA CONCENTRATION DE DOPANTS INTRODUIT DANS LES COUCHES DIMINUE AVEC LE TAUX D'HYDROGENE PRESENT DANS LE PLASMA LORS DU DEPOT. L'EFFICACITE DE DOPAGE DE TYPE P CHUTE AVEC LA TEMPERATURE DE RECUIT LORS DE LA CRISTALLISATION MAIS RESTE TRES SUPERIEURE A CELLE DE TYPE N. ENFIN DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES SONT REALISES ET LEURS CARACTERISTIQUES DISCUTEES.
Etude structurale, optique et électrique de couches minces d'oxynitrure de silicium déposées par pulvérisation cathodique radiofréquence réactive
Author: Farida RebibPublisher:
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Languages : fr
Pages : 195
Book Description
Cette étude concerne les propriétés structurales, optiques et électriques des couches minces d'oxynitrure de silicium ( SiOxNy) élaborées par pulvérisarion cathodique radiofréquence d'une cible de silicium dans un plasma argon-oxygène-azote. La zone d'instabilité de ce procédé réactif a été précisée par spectroscopie d'émission optique et par le suivi de la pression totale et du potentiel d'autopolarisation. Les conditions adéquates d'élaboration qui ont été définies, ont permis de déposer des films dont la composition varie presque linéairement, entre celles du nitrure et de l'oxyde de silicium. Ces couches sont formées par un mélange de nanophases de type SiO2 et Si3N4 incorporées dans une phase de SiOxNy amorphe. Des liaisons pendantes ont aussi été détectées sur les atomes de silicium. Les dépôts présentent des propriétés optiques (indice de réfraction, gap optique) et des propriétés diélectriques très intéressantes et variables en fonction de leur composition et de leur structure
Etude et réalisation par pulvérisation cathodique et résistances miniatures en couches minces sur silicium oxyde
Author: Marie-Hélène JACQEtude des oxynitrures de silicium en couches minces déposées par pulvérisation en vue d'applications optiques
Author: Laurent PinardCONTRIBUTION A L'ETUDE DU SILICIUM NANOCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE
Author: ABDELLATIF.. ACHIQPublisher:
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Languages : fr
Pages : 173
Book Description
DEUX CATEGORIES DE COUCHES DE SILICIUM NANOCRISTALLIN OBTENUES PAR PULVERISATION RF ONT FAIT L'OBJET DE CET ETUDE. L'UNE A ETE THERMIQUEMENT CRISTALLISEE APRES DEPOT A DIFFERENTES PRESSIONS PARTIELLES D'HYDROGENE, ALORS QUE LA DEUXIEME CONSISTE EN DES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES SOUS PLASMA D'HYDROGENE PUR POUR DIFFERENTES VALEURS DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT (T#S). LES CARACTERISATIONS STRUCTURALES ET PHYSIQUES DE CES COUCHES ONT ETE REALISEES A L'AIDE D'UNE PANOPLIE DE TECHNIQUES EXPERIMENTALES TELLES QUE IR, RAMAN, DRX, MET, ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOLUMINESCENCE. LES MECANISMES DE CRISTALLISATION DANS LES COUCHES SE SONT REVELES TRIBUTAIRES, POUR UNE LARGE PART, DE LA PRESENCE ET DE LA CONCENTRATION DES ESPECES OU DES RADICAUX D'HYDRURE SIH#2, SOIT DANS LES FILMS DE BASE POUR LES COUCHES THERMIQUEMENT CRISTALLISEES, SOIT DANS LE PLASMA POUR LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES. DANS LA PREMIERE CATEGORIE DE COUCHES, LES EFFETS DE SIH#2 SE TRADUISENT PAR LA RELAXATION AU COURS DU RECUIT DE LA STRUCTURE CRISTALLISEE. CELLE-CI A ETE MISE EN EVIDENCE PAR LE COMPORTEMENT DE LA CONTRAINTE ET CONFORTEE PAR LA VARIATION DES QUEUES DE BANDES OU ENERGIE D'URBACH LAQUELLE REFLETE LE DESORDRE DANS LE MATERIAU. LE DEGRE DE CE DESORDRE SEMBLE DETERMINER LA LARGEUR DU GAP OPTIQUE ET LES ETENDUES DES DOMAINES DE VALIDITE DES MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE. CONCERNANT LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES, LA FRACTION CRISTALLINE F#C ET LA TAILLE DES GRAINS MONTRENT UNE AUGMENTATION GRADUELLE AVEC T#S. L'ORIGINE DE CE COMPORTEMENT RESIDE DANS LES MECANISMES REACTIONNELS ENTRE LES RADICAUX SIH#2 ET LA SURFACE DE LA COUCHE QUI RESULTE EN UN PROCESSUS DE GRAVURE SELECTIVE DES LIAISONS FAIBLES OU SOUS CONTRAINTE CONDUISANT A LA RELAXATION DE LA STRUCTURE VERS L'ETAT CRISTALLIN. LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET LE GAP OPTIQUE E#O ONT MONTRE DES VARIATIONS SPECTACULAIRES EN FONCTION DE T#S DUES PRINCIPALEMENT A L'ACCROISSEMENT DE F#C : ACCUSE UN GAIN DE 7 ORDRES DE GRANDEUR ET E#O DECROIT DE 2,40 EV A 1,95 EV. LA FORMATION D'UNE COUCHE TAMPON AMORPHE POUR LES BASSES T#S A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SPECIFIQUE QUI A MONTRE LA POSSIBILITE DE SA RECRISTALLISATION SUITE A UN SIMPLE RECUIT A UNE TEMPERATURE RELATIVEMENT BASSE (150C) QUI IMPLIQUE LE ROLE CRITIQUE DES ESPECES SIH#2.