Author: Publisher:
ISBN:
Category : Physics
Languages : fr
Pages : 632
Book Description
JP III
Author: Contribution a l'etude de la croissance de GaSb et d'InAs par epitaxie par jets moleculaires
Author: Nicolas BertruMise en oeuvre d'un système d'épitaxie par jets moléculaires en vue de l'obtention de couches dopées de Ga As
Author: Norbert FabreMise en oeuvre d'un dispositif d'épitaxie par jets moléculaires
Author: Bernard DelhommePublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 25
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L'épitaxie par jets moleculaires: avantages et dispositif experimental. Etude "systeme" du procédé: analyse du procédé d'évaporation (calcul théorique de la vitesse de dépôt, analyse de l'influence des paramètres géométriques), cas particulier de couches gaas et ga::(x)al::(1-x)as sur support gaas. Conception et réalisation des sources d'évaporation. Mesure optique de la température et préparation du support. Etude des couches épitaxiques réalisées, en liaison avec les travaux expérimentaux et théoriques antérieurs. Objectifs actuels et conclusions.
Colloque International Sur L'epitaxie Des Semiconducteurs
Author: Colloque International Sur L'epitaxie de Semiconducteurs, 30 Août-ler Septembre 1982, Perpignan (France)
Author: Acta electronica
Author: Optoelectronics in telecommunications and measurement systems
Author: Publisher:
ISBN:
Category : Electronics
Languages : en
Pages : 392
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Optique intégrée, fibre optique, capteur optique, holographie, phototransistor, diode laser, indice de réfraction, communication à large bande, transmission vidéo analogique, transmission PCM.
Comptes rendus de l'Académie des sciences
Author: First Canadian Semiconductor Technology Conference
Author: National Research Council CanadaPublisher:
ISBN:
Category : Integrated circuits
Languages : en
Pages : 284
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