Epitaxie d'hétérostructures combinant oxydes fonctionnels et semiconducteurs III-V pour la réalisation de nouvelles fonctions photoniques PDF Download
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Author: Benjamin Meunier Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 173
Book Description
La diversification des fonctionnalités intégrées dans les systèmes micro-optoélectroniques est l'un point clé du développement de ces filières. Combiner sur une même puce des matériaux ayant des propriétés différentes doit permettre de faire émerger de nouveaux concepts de composants basés sur de nouveaux effets physiques ou sur la combinaison des propriétés physiques des matériaux intégrés. Parmi les matériaux d'intérêt, les semi-conducteurs III-V présentent des propriétés optiques exceptionnelles et sont couramment utilisés pour réaliser des composants photoniques. Les oxydes fonctionnels, quant à eux, offrent une grande variété de propriétés physiques qui en font des matériaux très prometteurs pour de nombreuses applications. Dans ce contexte, l'objectif global de cette thèse est de démontrer la possibilité d'intégrer des oxydes fonctionnels cristallins sur des hétérostructures à base de GaAs par épitaxie, et de montrer que de telles structures peuvent présenter des propriétés nouvelles pour la photonique. Plus précisément, nous avons focalisé nos efforts sur l'intégration de couches minces de PZT sur des structures à puits quantiques InGaAs/GaAs via des couches tampons de SrTiO3 (STO). Nous avons étudié et développé la croissance par épitaxie par jets moléculaires (MBE) des templates de STO sur GaAs. La forte hétérogénéité entre ces deux types de matériaux nécessite d'avoir recours à des stratégies d'ingénierie d'interface spécifiques et à un excellent contrôle des paramètres de croissance. Nous avons mis en évidence les effets bénéfiques sur la qualité structurale du STO d'une préparation de la surface de GaAs au Ti. Pour ces études, nous avons utilisé la spectroscopie de photoélectrons (XPS, in-situ ou en collaboration avec la ligne TEMPO du synchrotron SOLEIL) et microscopie électronique en transmission (TEM, en collaboration avec le LPN). Ces expériences nous ont permis de sonder structure et chimie de l'interface semi-conducteur/oxyde. Nous avons également étudié les mécanismes de croissance et de cristallisation du STO sur GaAs, en mettant notamment en œuvre des expériences d'XPS in-situ au synchrotron SOLEIL. La compréhension de ces mécanismes spécifiques nous a permis d'adapter les conditions de croissance du STO et d'obtenir des couches tampons d'excellente qualité. Nous avons étudié la croissance de couches minces de PZT sur des structures à puits quantique d'In- GaAs/GaAs via des templates de STO. Nous avons tout d'abord montré que les procédés standards de croissance de PZT (sol-gel ou ablation laser (collaboration avec l'IEF)) conduisaient à de fortes dégradations des puits quantiques du fait des réactions chimiques entre l'oxyde et le matériau III-V. Nous avons étudié les mécanismes de ces dégradations et mis en évidence une forte affinité chimique entre l'As, le Pb et le Sr. Pour pallier cette difficulté, nous avons modifié le procédé de croissance du PZT ainsi que l'hétérostructure III-V (enfouissement du puits, ajout d'AlAs ...). Ces actions combinées nous ont permis de réaliser des couches minces de PZT ferroélectriques sur des structures à puits quantiques d'InGaAs/GaAs. Nous avons ensuite défini un design d'émetteur accordable basé sur une hétérostructure PZT/GaAs/InGaAs. De tels émetteurs ont été réalisés en collaboration avec l'IEF) et mesurés leurs propriétés mécaniques et optiques en effectuant des expériences sous champ. Enfin, nous avons effectué un certain nombre d'études préliminaires visant à démontrer la possibilité d'intégrer des hétérostructures à base de GaAs sur des substrats de Si recouverts de couches tampons de STO. Nous avons pour cela envisagé et étudié la possibilité d'utiliser des composés Zintl-Klemm d'interface susceptibles de minimiser l'énergie d'interface entre le GaAs et le STO.
Author: Benjamin Meunier Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 173
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La diversification des fonctionnalités intégrées dans les systèmes micro-optoélectroniques est l'un point clé du développement de ces filières. Combiner sur une même puce des matériaux ayant des propriétés différentes doit permettre de faire émerger de nouveaux concepts de composants basés sur de nouveaux effets physiques ou sur la combinaison des propriétés physiques des matériaux intégrés. Parmi les matériaux d'intérêt, les semi-conducteurs III-V présentent des propriétés optiques exceptionnelles et sont couramment utilisés pour réaliser des composants photoniques. Les oxydes fonctionnels, quant à eux, offrent une grande variété de propriétés physiques qui en font des matériaux très prometteurs pour de nombreuses applications. Dans ce contexte, l'objectif global de cette thèse est de démontrer la possibilité d'intégrer des oxydes fonctionnels cristallins sur des hétérostructures à base de GaAs par épitaxie, et de montrer que de telles structures peuvent présenter des propriétés nouvelles pour la photonique. Plus précisément, nous avons focalisé nos efforts sur l'intégration de couches minces de PZT sur des structures à puits quantiques InGaAs/GaAs via des couches tampons de SrTiO3 (STO). Nous avons étudié et développé la croissance par épitaxie par jets moléculaires (MBE) des templates de STO sur GaAs. La forte hétérogénéité entre ces deux types de matériaux nécessite d'avoir recours à des stratégies d'ingénierie d'interface spécifiques et à un excellent contrôle des paramètres de croissance. Nous avons mis en évidence les effets bénéfiques sur la qualité structurale du STO d'une préparation de la surface de GaAs au Ti. Pour ces études, nous avons utilisé la spectroscopie de photoélectrons (XPS, in-situ ou en collaboration avec la ligne TEMPO du synchrotron SOLEIL) et microscopie électronique en transmission (TEM, en collaboration avec le LPN). Ces expériences nous ont permis de sonder structure et chimie de l'interface semi-conducteur/oxyde. Nous avons également étudié les mécanismes de croissance et de cristallisation du STO sur GaAs, en mettant notamment en œuvre des expériences d'XPS in-situ au synchrotron SOLEIL. La compréhension de ces mécanismes spécifiques nous a permis d'adapter les conditions de croissance du STO et d'obtenir des couches tampons d'excellente qualité. Nous avons étudié la croissance de couches minces de PZT sur des structures à puits quantique d'In- GaAs/GaAs via des templates de STO. Nous avons tout d'abord montré que les procédés standards de croissance de PZT (sol-gel ou ablation laser (collaboration avec l'IEF)) conduisaient à de fortes dégradations des puits quantiques du fait des réactions chimiques entre l'oxyde et le matériau III-V. Nous avons étudié les mécanismes de ces dégradations et mis en évidence une forte affinité chimique entre l'As, le Pb et le Sr. Pour pallier cette difficulté, nous avons modifié le procédé de croissance du PZT ainsi que l'hétérostructure III-V (enfouissement du puits, ajout d'AlAs ...). Ces actions combinées nous ont permis de réaliser des couches minces de PZT ferroélectriques sur des structures à puits quantiques d'InGaAs/GaAs. Nous avons ensuite défini un design d'émetteur accordable basé sur une hétérostructure PZT/GaAs/InGaAs. De tels émetteurs ont été réalisés en collaboration avec l'IEF) et mesurés leurs propriétés mécaniques et optiques en effectuant des expériences sous champ. Enfin, nous avons effectué un certain nombre d'études préliminaires visant à démontrer la possibilité d'intégrer des hétérostructures à base de GaAs sur des substrats de Si recouverts de couches tampons de STO. Nous avons pour cela envisagé et étudié la possibilité d'utiliser des composés Zintl-Klemm d'interface susceptibles de minimiser l'énergie d'interface entre le GaAs et le STO.
Author: Mario Kazzi (El).) Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 268
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Cette thèse se situe dans un des axes principaux de l’INL qui a pour objectif de développer des procédés de fabrication de films minces d’oxydes monocristallins, épitaxiés sur silicium. Ces oxydes pourraient remplacer les oxydes de grille amorphes de type SiOxNy ou HfSixOyNz et répondre au cahier des charges de la « Road Map » de l’ITRS dans les futures filières CMOS sub 22nm. L’intérêt de maîtriser l’épitaxie d’oxydes sur silicium va bien au-delà de l’application au CMOS. Un tel savoir faire serait une brique technologique essentielle pour pouvoir développer des filières d’intégration monolithique sur silicium. Dans ce contexte, l’objectif principal de ma thèse a été de mener une étude approfondie des propriétés physicochimiques et structurales de couches fines d’oxydes élaborées par Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM) sur substrat silicium ou oxyde, en utilisant la spectroscopie de hotoélectrons (XPS) et la diffraction de photoélectrons (XPD). Nous avons étudié dans un premier temps la relaxation de films minces de LaAlO3 et de BaTiO3 épitaxiés sur des substrats de SrTiO3(001). Nous avons montré qu'au-dessous d’une certaine épaisseur critique ces deux oxydes sont contraints de façon pseudomorphiques sur SrTiO3(001). De plus nous avons clairement mis en évidence une forte augmentation de la déformation ferroélectrique pour une couche contrainte de BaTiO3. Dans un deuxième temps, nous avons aussi étudié la croissance de LaAlO3 sur Si(001). LaAlO3 est amorphe pour des températures de croissance en dessous de 500°C. Pour des températures supérieures il y a formation de silicates à l'interface qui empêche la cristallisation. Pour surmonter cette difficulté, des procédés d’ingénierie d’interface ont été développés pour limiter les réactions interfaciales et réussir la croissance épitaxiale. Ils sont basés sur l’utilisation de couches tampons interfaciales d’oxydes comme SrO, SrTiO3 et Al2O3. Enfin, nous avons comparé les modes de croissance et la stabilité d’interface d’Al2O3 et de Gd2O3 épitaxiés sur Si(111) et Si(001). Les résultats prouvent que la croissance de ces deux oxydes sur Si(111) a une orientation suivant [111]. Par contre sur Si(001) le mécanisme de croissance est plus complexe avec des relations d’épitaxie et des orientations inhabituelles.
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Avec l'avènement de l'internet des objets, la diversification des moyens de communication et l'augmentation de la puissance de calcul des processeurs, les besoins en termes d'échange de données n'ont cessé d'augmenter. Ces technologies nécessitent de combiner notamment sur un circuit intégré des fonctions optiques et RF réalisées à partir de matériaux III-V avec des fonctions logiques en silicium. Cependant en pré requis à la réalisation de ces dispositifs, il faut obtenir des couches de III-V sur des substrats de silicium avec une bonne qualité structurale et savoir former des contacts de type n et p avec une faible résistivité. L'objectif de cette thèse est d'intégrer sur silicium du GaAs car ce matériau est couramment employé dans fabrication d'émetteurs et de récepteurs pour les communications sans fils ainsi que dans la conception de LEDs et de lasers. Dans cette optique, ces travaux de thèse proposent donc d'étudier la croissance de GaAs sur des substrats de silicium de 300 mm par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques et sur la formation de contacts n et p avec une faible résistivité sur ce même GaAs. En premier lieu, des études seront menées pour pouvoir s'affranchir des défauts générés durant la croissance du GaAs sur silicium (parois d'antiphase et dislocations émergentes). Par la suite, des caractérisations structurales (diffraction par rayons X, FIB STEM), morphologiques (AFM), électriques (effet hall) et optiques (photoluminescence) permettront de rendre compte de la qualité du matériau et de l'impact de ces défauts. Enfin, l'évolution des propriétés (optiques et de transport) du GaAs ainsi que la formation de contacts de type n et p avec une faible résistivité sera abordée.
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DANS CETTE THESE, NOUS PRESENTONS QUELQUES ETUDES DE CARACTERISATION IN SITU AVEC UNE METHODE D'ANALYSE DE SURFACE (SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS AU LABORATOIRE ET AVEC LE RAYONNEMENT SYNCHROTRON) REALISEES AU COURS DE LA CROISSANCE D'INTERFACES SEMI-CONDUCTEUR/SEMI-CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR/METAL. TOUT D'ABORD, UNE ETUDE SUR LES SURFACES PROPRES DE GAAS OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES POUR DIFFERENTES ORIENTATIONS ET RECONSTRUCTIONS EST EFFECTUEE. LES COMPOSANTES DE SURFACE SONT MISES EN EVIDENCE SUR LES SPECTRES DE NIVEAUX DE COEUR ET, A PARTIR D'UN MODELE SIMPLE DE REPARTITION DE CHARGES ELECTRONIQUES, RELIEES AUX DIFFERENTES RECONSTRUCTIONS ATOMIQUES DE SURFACE. NOUS PRESENTONS ENSUITE UNE ETUDE SUR LES INTERFACES NI/GAAS (100) REALISEES IN SITU. LA METALLURGIE SEMBLE LA MEME QUE POUR NI/GAAS (110) ET L'ANALYSE DES SPECTRES DE BANDE DE VALENCE ET DE NIVEAUX DE COEUR MONTRE QUE LA STOECHIOMETRIE DU COMPOSE DE REACTION VARIE AU COURS D'UN RECUIT. LA HAUTEUR DE LA BARRIERE DE SCHOTTKY FORMEE EST LA MEME SUR LES DEUX ORIENTATIONS (0,54 EV POUR UN SUBSTRAT DE TYPE P EN ACCORD AVEC LES PREDICTIONS BASEES SUR LA DIFFERENCE D'ELECTRONEGATIVITE). ENFIN, L'ANALYSE IN-SITU PAR SPECTROSCOPIE DES NIVEAUX DE COEUR GA-3D ET IN-4D, ASSOCIEE A UN MODELE D'EQUILIBRE LOCAL EN SURFACE, A PERMIS DE QUANTIFIER LE PHENOMENE DE SEGREGATION D'INDIUM AUX INTERFACE GA#1#-#XIN#XAS/GAAS (100) ET (111). UNE ENERGIE DE SEGREGATION PHENOMENOLOGIQUE PEUT ETRE DETERMINEE EXPERIMENTALEMENT A PARTIR DE NOS MESURES ET UTILISEE POUR LA PREDICTION DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GAINAS/GAAS (100). L'INFLUENCE DE LA DIFFUSION DES ATOMES EN SURFACE COMME FACTEUR LIMITANT CINETIQUEMENT L'IMPORTANCE DE LA SEGREGATION EST DEMONTREE. ENFIN, NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA DISCONTINUITE DE BANDE DE VALENCE ASSOCIEE A CES HETEROJONCTIONS
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Le 21ème siècle est marqué par une nouvelle ère du numérique, notamment due au développement d'objets connectés toujours plus nombreux et variés. L'incroyable croissance, du flux de données produites, échangées et stockées au niveau mondial, a permis l'émergence de nouvelles technologies comme la photonique silicium. Cette dernière est cependant limitée par les propriétés intrinsèques du silicium, comme son gap indirect et sa structure cristalline centro-symétrique.En parallèle, la famille des oxydes fonctionnels présente une incroyable diversité de propriétés, comme la ferroélectricité ou la piézoélectricité. Leur intégration en photonique est principalement limitée par l'épitaxie sur silicium. En effet, la différence de paramètre de maille entre la plupart des oxydes et le silicium engendre une grande quantité de défauts et donc une forte dégradation de leurs propriétés. L'oxyde de zirconium stabilisé à l'yttrium (YSZ), qui présente un paramètre de maille intermédiaire, assure la transition entre les réseaux cristallins. Ce travail de thèse s'articule ainsi autour de la croissance d'YSZ et la caractérisation de ses propriétés en optique intégrée.Dans un premier temps, nous avons étudié la croissance d'YSZ par ablation laser pulsé (PLD), ainsi que la fabrication et caractérisation de structures photoniques sur substrat de saphir. Nous avons mis en évidence le rôle du recuit du substrat avant dépôt, sur l'orientation et la qualité du film. L'optimisation du dépôt et le développement d'un procédé de fabrication, a permis la démonstration de guides d'onde à faibles pertes, d'environs 2 dB/cm, et de composants passifs plus complexes comme des structures résonantes en anneau, micro-disques et filtres de Bragg. Nous avons également caractérisé les propriétés optiques non-linéaires du troisième ordre de l'YSZ dont les résultats expérimentaux ont été confirmés par des calculs théoriques. La valeur de l'indice de réfraction non-linéaire n2, de l'YSZ, est comparable à celle du nitrure de silicium (SiN), déjà utilisé comme matériau non-linéaire.En raison de la différence de paramètre de maille et du coefficient d'expansion thermique, l'intégration d'YSZ est susceptible d'induire de larges contraintes dans le silicium, et de briser sa centro-symétrie. De récentes études, expérimentales et théoriques, ont démontré que les contraintes permettent d'exploiter des propriétés optiques non-linéaires d'ordre deux dans le silicium, normalement inexistantes dans ce matériau. Pour caractériser la distribution des contraintes, vues par un mode optique se propageant dans un guide d'onde silicium, nous avons mis en place une nouvelle technique expérimentale basée sur l'effet Raman en optique intégrée. Des signatures d'évolutions de phonons très intéressantes ont été mesurées. Cependant, les modèles théoriques n'ont pas permis de calculer des valeurs de contraintes comparables à celles prévues par les simulations et des études complémentaires sont nécessaires.Finalement l'intégration d'YSZ en photonique silicium a été étudiée selon trois approches. La première et la deuxième consistent au dépôt d'YSZ sur des guides d'onde silicium, encapsulés ou non par une couche de silice. La troisième comprend la fabrication de guides d'onde dans une couche d'YSZ, déposée sur un substrat de silicium non structuré. Nous avons mis en évidence l'absence de contrainte dans chacune des configurations, justifiée par la présence de silice à l'interface entre l'YSZ et le silicium. Les pertes de propagation dans de tels guides hybrides YSZ/Si, initialement supérieures à 250 dB/cm ont été réduites à 7,5 dB/cm par l'optimisation de la croissance et de la géométrie des guides.
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Dans un contexte où les limites intrinsèques des matériaux classiques de l’industrie CMOS sont en passe d’être atteintes du fait de la forte miniaturisation des composants, le développement de la microélectronique requiert la définition de nouvelles solutions pour combiner sur un même substrat (le silicium) des matériaux différents aux propriétés physiques variées. Ceci devrait permettre d’intégrer sur silicium des fonctionnalités nouvelles. Parmi les matériaux d’intérêt, les oxydes fonctionnels de la famille des pérovskites offrent une large gamme de propriétés et attirent donc une attention particulière. D’autre part, la recherche se porte aussi sur les semi-conducteurs de la classe III-V et le Ge pour leurs propriétés optiques ou de transport de charges. Cependant, la grande hétérogénéité chimique et cristallographique entre ces matériaux rend leur association sur silicium par voie épitaxiale particulièrement délicate. Dans ce contexte, ce travail de thèse consiste en une étude approfondie de l’interface Ge sur SrTiO3et des mécanismes à l’origine des modes d’accommodation et de croissance du semi-conducteur sur le substrat pérovskite. Les échantillons, fabriqués par épitaxie par jets moléculaires, ont été étudiés par caractérisations in situ, au synchrotron, diffraction de rayons X en incidence rasante et spectroscopie de photoémission. Des images de microscopie électronique en transmission sont venues compléter cette étude. La combinaison de ces résultats a permis de comprendre et de décrire deux aspects spécifiques des systèmes III-V et Ge sur SrTiO3. Le mode de croissance Volmer-Weber et la compétition entre les orientations cristallines(001) et (111) du Ge sont décrits dans une première partie. La relation d’épitaxie de Ge/SrTiO3est identifiée et l’influence des énergies d’adhésion et de surface libre du semi-conducteur sur sa croissance est élucidée. Dans une deuxième partie, le mode d’accommodation du Ge est plus spécifiquement étudié. La mise en place d’un réseau de dislocations d’interface est observée expérimentalement et analysée à l’aide d’un modèle numérique. Ce travail de thèse a permis de discuter de l’interface d’un système épitaxié très hétérogène et il ouvre des perspectives intéressantes, liées aux spécificités de l’accommodation aux interfaces semi-conducteurs/oxydes, pour l’intégration monolithique de Ge et de III-V sur des substrats d’oxydes/Si.
Author: Marie-Léonor Touraton Publisher: ISBN: Category : Languages : en Pages : 0
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Due to the increased demand for performance in terms of data transmission, silicon photonicshas become a new paradigm. However, other fields of applications, such as biophotonicsand autonomous driving systems for instance, take advantage of this approach. In order tomeet this demand for circuits with integrated optical interconnections, this work shows thepossibility of integrating an optical source directly on a silicon platform. The technologicalbricks enabling the integration of light sources, emitting from the red region of the spectra tothe L band, by selective epitaxy of various III-V materials is studied. The integration of III-Vmaterials stacks in the form of ridges is therefore demonstrated for various wavelength ranges.A first version of electrically pumped components, here ribbon diodes, on GaAs and siliconsubstrates were manufactured and characterized.
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La microélectronique rencontre des difficultés croissantes avec la miniaturisation des composants. La photonique sur silicium propose de les contourner en choisissant le photon comme vecteur de l'information, mais les sources de ces photons restent des verrous. Cette thèse s'est donc attachée à la réalisation par épitaxie par jets moléculaire en mode vapeur-liquide-solide et la caractérisation par spectroscopie de photoluminescence (PL) de boîtes quantiques en nanofils (NFs-BQ) d'InP/InAs crûs sur silicium orienté (111), dans le but d'une intégration monolithique de sources lumineuses. Des NFs d'InP de phase cristalline pure wurtzite ont d'abord été crûs verticaux sur Si(111), à partir d'un catalyseur sous forme de gouttelettes or-indium. La formation préalable d'un piédestal d'InP par la cristallisation de ces gouttelettes, ainsi que la migration de l'or au sommet de ce piédestal pour catalyser la croissance, ont été mise en évidence. Le diamètre de ces NFs a ensuite été augmenté pour qu'ils se comportent comme un matériau massif du point de vue des propriétés optomécaniques. Ils ont été soumis à une pression hydrostatique allant jusqu'à quelques GPa pour déterminer des paramètres mal connus de l'InP Wz. L'optimisation de la croissance du système NF-BQ d'InP/InAs a ensuite été réalisée. Des BQs de hauteur variable ont été obtenues, avec des interfaces très abruptes. Les études de PL sur un ensemble de NFs-BQ montrent des spectres plus ou moins complexes suivant la hauteur des BQs, ainsi qu'une polarisation de l'émission accordable avec cette hauteur. Le dernier objectif a été d'améliorer l'efficacité de l'émission des NFs-BQs d'InP/InAs grâce à l'effet photonique d'une coquille en silicium amorphe (a-Si). Les études de PL ont révélé une forte perte d'intensité de PL et la disparition de l'anisotropie de polarisation de l'émission des NFs-BQ après dépôt. Plusieurs raisons sont discutées pour expliquer ceci.
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L'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (EJC), NOUVELLE METHODE DE CROISSANCE, COMBINE LA MAJORITE DES AVANTAGES DES DEUX TECHNIQUES MERES. L'EPITAXIE PAR ORGANOMETALLIQUES (EOM) ET L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM). LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MANUSCRIT DECRIT ET DEMONTRE EXPERIMENTALEMENT CERTAINS AVANTAGES OFFERTS PAR CETTE TECHNIQUE D'EPITAXIE. DE PLUS, CETTE ETUDE CONSTITUE UNE PREMIERE VALIDATION DE CETTE METHODE DE CROISSANCE PAR L'OBTENTION, DANS LE SYSTEME DE SEMICONDUCTEURS INP/GAINAS, DE COUCHES PURES, DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES ET DE COMPOSANTS D'EMISSION LASER. L'EQUIPEMENT EXPERIMENTAL MIS AU POINT ET SON OPTIMISATION, NOTAMMENT DE LA PARTIE D'INTRODUCTION DES SOURCES GAZEUSES, SONT D'ABORD PRESENTES. L'ETUDE PORTE ESSENTIELLEMENT SUR L'OPTIMISATION DES CONDITIONS DE CROISSANCE DES COMPOSES GAAS, GAINAS ET INP, POUR SURTOUT MINIMISER L'INCORPORATION DU CARBONE QUI APPARAIT ETRE L'IMPURETE RESIDUELLE MAJORITAIRE. DES COUCHES INP AVEC UN DOPAGE INTRINSEQUE AUSSI FAIBLE QUE 2 10#1#4 CM##3 ET UNE MOBILITE DE 112000 A 77 K ONT AUSSI ETE OBTENUES. UN MODELE POUR EXPLIQUER L'INCORPORATION OBSERVE AU CARBONE ET SON ACTIVITE ELECTRIQUE DANS CES DIFFERENTS SEMICONDUCTEURS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE CROISSANCE ET DU RAPPORT V/III EST AUSSI DISCUTE. L'INCORPORATION VOLONTAIRE D'IMPURETES DOPANTES DE TYPE N (SI) ET P (BE) EVAPORES A PARTIR DE SOURCES SOLIDES EST AUSSI ETUDIE. LES POTENTIALITES DE LA TECHNIQUE SONT ENFIN DEMONTREES PAR L'EPITAXIE SANS INTERRUPTION DE CROISSANCE AUX HETERO-INTERFACES DE STRUCTURES INP/GAINAS AUSSI MINCES QUE 12 A ET CELLE DES DOUBLES HETEROSTRUCTURES LASER AVEC UN COURANT DE SEUIL DE 1,3 KA/CM#2
Author: Xavier Blot Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 0
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La production d'énergie photovoltaïque est une option d'avenir pour répondre au développement économique de notre société tout en réduisant notre impact sur l'environnement. Mais pour devenir compétitive, cette filière doit améliorer le rendement des cellules solaires. Une technologie d'avenir consiste à combiner différents matériaux via une croissance par épitaxie et l'usage du collage direct. Cette thèse, financée par SOITEC, vise au développement du collage d'arseniure de gallium (GaAs) sur le phosphure d'indium (InP) pour la cellule SmartCell. L'objectif est d'optimiser son comportement électrique via un modèle numérique prenant en compte son état physico-chimique. Nous présentons d'abord un ensemble d'outils de caractérisations électriques pour réaliser une mesure I(V) précises de l'interface de collage. En fonction des cas, nous détaillons des contacts métalliques adaptés pour améliorer cette caractérisation. Une étude détaillée de l'hétérostructure GaAs/InP et des homostructures GaAs/GaAs et InP/InP amène ensuite à une compréhension de leur mécanisme de collage. Après recuit thermique, le procédé de collage hydrophile engendre des oxydes d'interfaces qui se résorbent dans le cas de l'InP et se fragmentent pour le GaAs. A paramètres constants, les empilements obtenus sont meilleurs que ceux de l'état de l'art au niveau électrique et mécanique. Nous poursuivons avec des propositions de procédés innovants pour maitriser l'oxyde d'interface et optimiser l'hétérostructure. Parmi ces options nous validons l'approche avec exposition ozone qui vise à générer sélectivement un oxyde avant mise en contact. L'empilement obtenu affiche une résistance proche de nos mesures de référence et a un fort potentiel. Enfin l'étude se conclue sur la présentation d'un modèle numérique inédit reliant procédé de collage, état d'interface et comportement électrique. A recuit donné, l'interface est hétérogène avec une zone reconstruite (conduction thermo-électronique) et une zone avec oxyde (conduction tunnel). Ces régions s'activent préférentiellement en fonction de la température de fonctionnement. Elles sont pondérés par un critère qui détermine le niveau de reconstruction du collage et qui sera utile pour de futurs développements de l'application.
Author: Benjamin Meunier
Author: Benjamin Meunier
Author: Mario Kazzi (El).)
Author: Reynald Alcotte
Author: MARC.. LARIVE
Author: Guillaume Marcaud
Author: Benoît Gobaut
Author: Marie-Léonor Touraton
Author: Amaury Mavel
Author: LALLA FATIHA.. ALOUI
Author: Xavier Blot