Elaboration par depot chimique en phase vapeur assiste par plasma (PECVD) de films minces de nitrure de bore (BN) sur phosphure d'indium (InP) PDF Download

Author: Olivier Baehr
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Languages : fr
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Author: Mitsuharu Konuma
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 3642845118
Category : Science
Languages : en
Pages : 234

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Properties of thin films depend strongly upon the deposition technique and conditions chosen. In order to achieve the desired film, optimum deposition conditions have to be found by carrying out experiments in a trial-and error fashion with varying parameters. The data obtained on one growth apparatus are often not transferable to another. This is especially true for film deposition processes using a cold plasma because of our poor under standing of the mechanisms. Relatively precise studies have been carried out on the role that physical effects play in film formation such as sputter deposition. However, there are many open questions regarding processes that involve chemical reactions, for example, reactive sputter deposition or plasma enhanced chemical vapor deposition. Much further research is re quired in order to understand the fundamental deposition processes. A sys tematic collection of basic data, some of which may be readily available in other branches of science, for example, reaction cross sections for gases with energetic electrons, is also required. The need for pfasma deposition techniques is felt strongly in industrial applications because these techniques are superior to traditional thin-film deposition techniques in many ways. In fact, plasma deposition techniques have developed rapidly in the semiconductor and electronics industries. Fields of possible application are still expanding. A reliable plasma reactor with an adequate in situ system for monitoring the deposition conditions and film properties must be developed to improve reproducibility and pro ductivity at the industrial level.

Author: Mitsuharu Konuma
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ISBN: 9781842658277
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Languages : en
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Author: CATHERINE.. SCHAFFNIT
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Languages : fr
Pages : 176

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DES COUCHES MINCES DE NITRURE DE BORE ONT ETE SYNTHETISEES A PARTIR DE MELANGES BCL#3/N#2/H#2/AR DANS UN REACTEUR PLASMA R.F. A COUPLAGE CAPACITIF. L'ETUDE A PORTE DANS UN PREMIER TEMPS SUR LA CARACTERISATION DE LA PHASE GAZEUSE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE ET PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE D'EMISSION. EN PARTICULIER, L'EFFET DE LA TENEUR DE LA PHASE GAZEUSE EN HYDROGENE SUR LA NATURE ET LA CONCENTRATION RELATIVE DES ESPECES A ETE ETUDIE: TOUT D'ABORD DANS UN PLASMA ARGON-HYDROGENE, DANS LEQUEL ONT ENSUITE ETE AJOUTES LES DEUX PRECURSEURS BCL#3 ET N#2, SEPAREMENT PUIS SIMULTANEMENT. LE DEBIT D'HYDROGENE MOLECULAIRE DETERMINE LE TAUX DE DISSOCIATION DE BCL#3 ET DONC LA NATURE ET LA QUANTITE DES ESPECES CHLOREES. DE MEME, LORSQUE LA TENEUR EN HYDROGENE DES PLASMAS N#2/H#2/AR AUGMENTE, IL APPARAIT SUCCESSIVEMENT LES ESPECES SUIVANTES: N, NH, NH#2 PUIS NH#3. DEUX REACTIONS CHIMIQUES POUVANT ABOUTIR A LA FORMATION DU NITRURE DE BORE ONT ETE MISES EN EVIDENCE: BCL#3 + NH BN#S + HCL + CL#2 BCL + NH BN#S + HCL DANS UNE SECONDE PARTIE, DES COUCHES MINCES DE NITRURE DE BORE ONT ETE DEPOSEES DANS DIFFERENTES CONDITIONS EXPERIMENTALES DE BOMBARDEMENT IONIQUE (EFFET DE LA PUISSANCE R.F. ET DE LA TAILLE DES ELECTRODES) ET DE COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE. CES PARAMETRES JOUENT UN ROLE DETERMINANT SUR LA STRUCTURE DES COUCHES DE NITRURE DE BORE: IL EXISTE UN OPTIMUM D'ENERGIE DES IONS ET DE TENEUR DE LA PHASE GAZEUSE EN HYDROGENE QUI PERMET LA CROISSANCE DE COUCHES A FORTE TENEUR EN BN-CUBIQUE. A PARTIR DES EXPERIENCES DE TRAITEMENTS DES COUCHES PAR DES PLASMAS D'ARGON, ARGON-HYDROGENE ET ARGON-CHLORE, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE PART D'UN MECANISME DE PULVERISATION PREFERENTIELLE DU BN-HEXAGONAL ET, D'AUTRE PART, D'UN MECANISME DE GRAVURE CHIMIQUE SELECTIVE DE LA PHASE HEXAGONALE PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE ET PAR LE CHLORE QUI PERMETTENT L'OBTENTION DE COUCHES A FORTE TENEUR EN BN-CUBIQUE

Author: Fabien Piallat
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Languages : fr
Pages : 0

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L'intégration du métal dans les nœuds technologiques sub-20 nm requiert une conformité supérieure à celle permise par la PVD. Les techniques de CVD, plus spécifiquement la MOCVD et l'ALD, ont été identifiées comme les meilleures solutions pour le dépôt de métal. Pour une application de métal de grille, les alliages carbo-nitrurés de titane et tantale sont considérés comme les plus prometteurs. Dans ce travail une revue détaillée des mécanismes de dépôt par MOCVD et ALD, ainsi que sur l'influence du plasma sur les matériaux déposés est réalisée. Dans un premier temps, les fenêtres de procédés possibles pour un ajustement des propriétés des métaux sont inspectées attentivement. L'accent est mis sur l'impact du plasma sur le métal et sur les mécanismes réactionnels inhérents grâce à une caractérisation poussée du plasma. Par la suite, l'intégration de ces métaux est étudiée avec une analyse précise des interactions se déroulant aux interfaces. La corrélation entre les propriétés physico-chimiques et le comportement électrique des empilements métal/diélectrique à forte permittivité est soutenue par une analyse XPS. Finalement, le dopage aluminium de dépôts de TiN et TaN MOCVD est étudié pour l'obtention de grilles n-mos et p-mos. Par comparaison des propriétés et comportements du dopage aluminium de métaux déposés par PVD et MOCVD, des mécanismes de diffusion sont proposés afin d'expliquer le rôle de l'aluminium sur les variations observées.

Author: Sara Lovascio
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Languages : en
Pages : 115

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Cette thèse porte sur une étude fondamentale sur le dépôt des couches minces d’organosiliciés par des Décharges à Barrière Diélectrique (DBD), un procédé très intéressant pour l’application aux textiles. La plupart des dépôts des couches d’oxyde de silicium sont déposées à partir du précurseur hexaméthyle silixone (HMDSO).De plus très peu d’études sont consacrées aux mécanismes de dépôt des couches à la pression atmosphérique. Dans cette étude les propriétés des couches minces déposées par DBD alimentées par Ar/HMDSO/O2, Ar/PMDSO (pentaméthyldisiloxane)/O2 et Ar/TMDSO (tetraméthyldisiloxane)/O2, avec différentes proportions de l’oxygène, ont été confrontées aux analyses, par GC-MS, des gaz sortant du réacteur. Nous avons trouvé que l’ajout d’O2 au gaz d’alimentation n’améliore pas l’activation du précurseur organosilicié, même s’il augmente la puissance injectée. En revanche il influence fortement la composition chimique des dépôts et favorise une forte réduction de la concentration des sous-produits dans le gaz sortant du réacteur. Sans ajout de l’O2, des couches minces obtenues contiennent beaucoup de carbone , avec rétention de la structure du précurseur de départ. En réduisant le nombre de –CH3 dans le précurseur (HMDSO>PMDSO>TMDSO), le nombre et l’abondance des sous-produits détectés dans le gaz sortant du réacteur diminuent fortement. Il semblerait que les unités de répétition diméthylsiloxane et hydrométhylsiloxane jouent un rôle important dans l’oligomérisation des trois précurseurs. Différents mécanismes d’activation, ainsi que différents procédés de formation des groupes Si-OH dans les dépôts, ont été proposés pour les trois précurseurs.

Author: Gae͏̈l Borvon
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Languages : fr
Pages : 265

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L'objet de cette étude est le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces à faible constante diélectrique pour des applications en technologies CMOS. Les couches minces sont déposées à basse température (