Author: Joëlle GutierrezPublisher:
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Languages : fr
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Book Description
Elaboration et caracterisation de couches de silicium a gradient de dopage hyperabrupt obtenues par epitaxie sous ultravide avec implantation d'ions dopants
Author: Joëlle GutierrezÉlaboration et caractérisation de couches de silicium à gradient de dopage hyperabrupt obtenues par épitaxie sous ultravide avec implantation d'ions dopants
Author: Joëlle GutierrezPublisher:
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Languages : fr
Pages : 246
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L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES SILICIUM, DU FAIT DES FAIBLES TEMPERATURES ET VITESSES DE CROISSANCE MISES EN UVRE, PERMET LA REALISATION DE STRUCTURES A HAUTE RESOLUTION DE DOPAGE. MALHEUREUSEMENT, LE DOPAGE N EST UNE DES DIFFICULTES DE CETTE TECHNIQUE. EN EFFET, LES DOPANTS N COURAMMENT UTILISES (AS, SB) ONT DES RAYONS ATOMIQUES TRES SUPERIEURS A CELUI DU SI ET S'ILS ARRIVENT SUR LA COUCHE EN CONSTRUCTION AVEC UNE ENERGIE THERMIQUE, ILS SEGREGENT EN SURFACE. IL EN RESULTE DES GRADIENTS DE DOPAGE ELEVES. UNE METHODE POUR EVITER CES DIFFICULTES EST D'UTILISER DES DOPANTS SUPRATHERMIQUES, C'EST-A-DIRE IMPLANTER LES DOPANTS EN COURS DE CROISSANCE: METHODE EJM21. NOUS AVONS ELABORE AINSI, EN UTILISANT UNE INSTALLATION D'EPITAXIE SOUS ULTRAVIDE MUNIE D'UNE SOURCE D'IONS MINIATURE ARSENIC TYPE REFLEX ELECTROSTATIQUE, DES COUCHES SOIT NON DOPEES, SOIT DOPEES PAR IMPLANTATION UNIFORMEMENT OU EN CRENEAU (PAS: 100-1000A). NOUS LES AVONS CARACTERISEES PAR MEB (MORPHOLOGIE), RHEED (CRISTALLOGRAPHIE), SIMS (CONTAMINATION, PROBABILITE D'INCORPORATION DES DOPANTS, RAIDEUR DES PROFILS DE DOPAGE), EFFET HALL (ACTIVITE ELECTRIQUE, MOBILITE). NOUS AVONS PRECISE LES CONDITIONS D'OBTENTION D'UNE BONNE MORPHOLOGIE. LES COUCHES ELABOREES A PLUS DE 700#OC AVEC DES VITESSES DE CROISSANCE DE 0,5 A 6 A/S SONT PARFAITEMENT MONOCRISTALLINES: LES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION SONT OU ASSEZ PEU NOMBREUX OU ASSEZ BIEN RECUITS POUR NE PAS APPARAITRE PAR DIFFRACTION ELECTRONIQUE, TOUT L'ARSENIR IMPLANTE EST INCORPORE A 1000 COMME A 500 EV ET ELECTRIQUEMENT ACTIF, LA RAIDEUR DES PROFILS DE DOPAGE EST AU DELA RESOLUTION EN PROFONDEUR SIMS, LA SIMULATION LAISSE ATTENDRE DES GRADIENTS DE 10-20 A PAR DECADE, LES MOBILITES TROUVEES DANS LES COUCHES DOPEES UNIFORMEMENT OU EN CRENEAUX SONT EGALES A CELLES DU MATERIAU MASSIF.