Élaboration d'hétérojonctions à base de GaSb et AlSb par épitaxie par jets moléculaires et études des propriétés physico-chimiques et électriques des interfaces PDF Download
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Book Description
APRES AVOIR DECRIT LA METHODE D'EJM ET LES TECHNIQUES D'ANALYSES MISES EN OEUVRE, ON PRESENTE LES RESULTATS OBTENUS. LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A LA PREPARATION DES SUBSTRATS DE GAAS ET GASB (100), PHASE TRES IMPORTANTE DANS LA CROISSANCE EPITAXIALE. UNE DEUXIEME PARTIE PORTE SUR LA CROISSANCE EJM DE GASB ET ALSB, SUR L'ETUDE DES SURFACES ET SUR LEUR CARACTERISATION. ON ETUDIE ENSUITE LA FORMATION DES INTERFACES GAAS/GASB, GA AS/ ALSB, GASB/ALSB ET AL/SB. ENFIN, ON A ELABORE UNE STRUCTURE SIMPLE DE PUITS QUANTIQUE GASB (90A)/ ALSB QUI A ETE CARACTERISEE PAR ELECTROREFLEXION
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APRES AVOIR DECRIT LA METHODE D'EJM ET LES TECHNIQUES D'ANALYSES MISES EN OEUVRE, ON PRESENTE LES RESULTATS OBTENUS. LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A LA PREPARATION DES SUBSTRATS DE GAAS ET GASB (100), PHASE TRES IMPORTANTE DANS LA CROISSANCE EPITAXIALE. UNE DEUXIEME PARTIE PORTE SUR LA CROISSANCE EJM DE GASB ET ALSB, SUR L'ETUDE DES SURFACES ET SUR LEUR CARACTERISATION. ON ETUDIE ENSUITE LA FORMATION DES INTERFACES GAAS/GASB, GA AS/ ALSB, GASB/ALSB ET AL/SB. ENFIN, ON A ELABORE UNE STRUCTURE SIMPLE DE PUITS QUANTIQUE GASB (90A)/ ALSB QUI A ETE CARACTERISEE PAR ELECTROREFLEXION
Author: Fabio Wellington Orlando da Silva Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 312
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CETTE THESE PRESENTE DES TRAVAUX SUR LA CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM) ET LA CARACTERISATION DES PROPRIETES PHYSIQUES DES COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS GASB ET GA(AL)SB. NOUS AVONS ETUDIE: A) LA PREPARATION DES SUBSTRATS GASB(001) EN VUE DE L'EPITAXIE; B) LES PROPRIETES DES SURFACES GASB ET ALSB(001); C) LA CROISSANCE DU GASB SUR GAAS(001); D) L'ELABORATION ET L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET STRUCTURALES DE PUITS QUANTIQUES ET SUPERRESEAUX A BASE DE GASB/GA(AL)SB
Author: Hassan Tegmousse
Author: Hassan Tegmousse
Author: Fabio Wellington Orlando da Silva