ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE DANS LE SILICIUM SOUS IRRADIATION DE PROTONS PDF Download
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Author: F.. VOILLOT SAINT YVES Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 161
Book Description
CARACTERISTION DES DIFFERENTS PHENOMENES OBSERVES SOUS IRRADIATION DE PROTONS ET INTERPRETATION TENANT COMPTE A LA FOIS DES EFFETS DES DEFAUTS CREES SUR LA DIFFUSION DES IMPURETES ET DES INTERACTIONS DE CEUX-CI AVEC LES IMPURETES.
Author: F.. VOILLOT SAINT YVES Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 161
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CARACTERISTION DES DIFFERENTS PHENOMENES OBSERVES SOUS IRRADIATION DE PROTONS ET INTERPRETATION TENANT COMPTE A LA FOIS DES EFFETS DES DEFAUTS CREES SUR LA DIFFUSION DES IMPURETES ET DES INTERACTIONS DE CEUX-CI AVEC LES IMPURETES.
Author: Christian Lucas Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 148
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RAPPEL DES CONNAISSANCES NECESSAIRES A LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE DIFFUSION ASSISTEE PAR IMPLANTATION A HAUTE TEMPERATURE: IMPLANTATION IONIQUE ET DIFFUSION THERMIQUE. APPAREILLAGE ET CARACTERISATION. RESULTATS EXPERIMENTAUX: ROLE DE LA CONCENTRATION EN IMPURETES, EFFETS DES PARAMETRES D'IMPLANTATION SUR DES PROFILS A BASSES CONCENTRATIONS; RECUIT DES DEFAUTS; APPLICATION A L'AMELIORATION DES CARACTERISTIQUES D'UN TRANSISTOR. NOUVELLE APPROCHE THEORIQUE: SIMULATION NUMERIQUE
Author: Jean-Pierre Babary Publisher: Elsevier ISBN: 1483153231 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 661
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Control of Distributed Parameter Systems 1982 covers the proceeding of the Third International Federation of Automatic Control (IFAC) Symposium on Control of Distributed Parameter Systems. The book reviews papers that tackle issues concerning the control of distributed parameter systems, such as modeling, identification, estimation, stabilization, optimization, and energy system. The topics that the book tackles include notes on optimal and estimation result of nonlinear systems; approximation of the parameter identification problem in distributed parameters systems; and optimal control of a punctually located heat source. This text also encompasses the stabilization of nonlinear parabolic equations and the decoupling approach to the control of large spaceborne antenna systems. Stability of Hilbert space contraction semigroups and the tracking problem in the fractional representation approach are also discussed. This book will be of great interest to researchers and professionals whose work concerns automated control systems.
Author: Georges Charitat Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 161
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LE SILICIUM, DOPE PAR IMPLANTATION DE BORE EST RECUIT SOUS ATMOSPHERE OXYDANTE DE VAPEUR D'EAU. LES PROFILS DE REDISTRIBUTION, CARACTERISES PAR SONDE IONIQUE METTENT EN EVIDENCE UNE ACCELERATION DE LA DIFFUSION DU BORE POUR LES ZONES OXYDEES PAR RAPPORT AUX ZONES PROTEGEES DE L'OXYDATION. CE PHENOMENE EST RELIE A UNE GURSATURATION EN INTERSTITIELS DE SILICIUM GENERES A L'INTERFACE SI-SIO::(2), DANS LE SILICIUM, LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE. UNE ETUDE ORIGINALE DE L'EVOLUTION DES CONTRAINTES DANS LE SILICIUM EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES DE DIFFUSION EST PROPOSEE METTANT EN JEU LA RELAXATION DES CONTRAINTES DANS L'OXYDE PAR FLUX VISQUEUX DE CELUI-CI. CE MODELE PERMET DE DECRIRE PARFAITEMENT LE COMPORTEMENT QUALITATIF DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, MAIS LE MANQUE DE DONNEES SUR LA VISCOSITE DE L'OXYDE ET LES CONTRAINTES ENGENDREES DANS LE SIO::(2) NE PERMETTENT PAS UNE VERIFICATION QUANTITATIVE DE NOTRE THEORIE. D'AUTRE PART, LA SEGREGATION DU BORE A L'INTERFACE SI-SIO::(2) EST ETUDIEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE POUR DES OXYDES STATIQUES. UNE EXPRESSION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION, M, EN FONCTION DES PRESSIONS REGNANTES DANS L'OXYDE EST DONNEE. CELLE-CI PERMET DE DECRIRE LES VARIATIONS DE M AVEC LA TEMPERATURE OBSERVEES EXPERIMENTALEMENT
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LA REALISATION DES JONCTIONS P#+N DE PROFONDEURS INFERIEURES A 100 NM, COMPATIBLES AVEC L'ARCHITECTURE 0,18 M DES COMPOSANTS CMOS, NECESSITE UNE IMPLANTATION DE DOPANT, LE BORE, A DES ENERGIES DE QUELQUES KEV DANS UN SUBSTRAT PREALABLEMENT AMORPHISE, SUIVIE D'UNE ETAPE DE RECUIT THERMIQUE RAPIDE. PENDANT CE PROCEDE, DE NOMBREUX EFFETS TYPIQUES DE SITUATIONS HORS-EQUILIBRE APPARAISSENT TELS LA FORMATION DE DEFAUTS DITS END-OF-RANGE (EOR) ET LA DIFFUSION ACCELEREE ET TRANSITOIRE DU DOPANT, QUI DOIT ETRE COMPRISE AFIN DE SIMULER CORRECTEMENT L'EVOLUTION, AU COURS DES RECUITS, D'ACTIVATION DES PROFILS DE DOPANTS. OR, CES DEUX EFFETS SONT LES RESULTATS D'UNE MEME CAUSE, L'EVOLUTION AU COURS DU RECUIT D'UNE SURSATURATION DE DEFAUTS PONCTUELS : LES ATOMES DE SILICIUM INTERSTITIELS. LA SIMULATION DE LA DIFFUSION ANORMALE DU DOPANT NECESSITE DONC LA CONNAISSANCE DE L'EVOLUTION SPATIO-TEMPORELLE DE CETTE SURSATURATION. CETTE EVOLUTION DEPEND DU TYPE DE DEFAUTS QUI SE FORMENT A L'INTERFACE AMORPHE/CRISTAL ET DE L'EFFICACITE DE LA SURFACE DE LA PLAQUETTE A PIEGER LES INTERSTITIELS. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS CONSACRE UNE PREMIERE PARTIE A EVALUER L'EFFICACITE DE PIEGEAGE DE LA SURFACE AU COURS D'UN RECUIT SOUS ATMOSPHERE NEUTRE (ARGON) ET REDUCTRICE (AZOTE), ET, CE, EN ETUDIANT L'EVOLUTION DES BOUCLES DE DISLOCATIONS QUI PRESENTE UN COMPORTEMENT DIFFERENT SELON L'ATMOSPHERE DU RECUIT. UNE ETUDE QUANTITATIVE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION MONTRE QUE, APRES RECUIT SOUS AZOTE, LE NOMBRE D'ATOMES PRIS DANS LES BOUCLES DEPEND DE LA DISTANCE BOUCLES/SURFACE. LES CINETIQUES DE DISSOLUTION DE CES DEFAUTS ONT ETE ETUDIEES ET MODELISEES EN DECRIVANT MATHEMATIQUEMENT UN PROCESSUS DE CROISSANCE DE TYPE OSTWALD RIPENING NON-CONSERVATIF. NOUS AVONS PU MONTRER QUE LA SURFACE EST UN PIEGE PARFAIT LORS D'UN RECUIT SOUS AZOTE. CEPENDANT, LORS D'UN RECUIT SOUS ARGON, L'EFFICACITE DE RECOMBINAISON EST LARGEMENT REDUITE. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS AVONS ETUDIE LE TYPE ET LA STABILITE DES DEFAUTS EOR POUR DES FAIBLES BILANS THERMIQUES. IL RESSORT DE CETTE ETUDE QU'IL EXISTE PLUSIEURS TYPES DE DEFAUTS QUI EVOLUENT EN PRESENCE D'UNE SURSATURATION PLUS FORTE QUE LEURS SURSATURATIONS D'EQUILIBRE. ENFIN, DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS PROPOSONS LE PRINCIPE D'UN NOUVEAU MODELE CAPABLE DE SIMULER LA DIFFUSION ANORMALE DU BORE DANS LE SILICIUM PREAMORPHISE.
Author: F.. VOILLOT SAINT YVES
Author: F.. VOILLOT SAINT YVES
Author: Christian Lucas
Author: Jean-Pierre Babary
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Author: Georges Charitat
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Author: Slimane Loualiche
Author: MOURAD.. OMRI
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