Diffusion acceleree et transitoire du bore dans le silicium : influence des defauts etendus et de la surface de la plaquette PDF Download

Author: Mourad Omri
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Author: Georges Charitat
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Pages : 161

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LE SILICIUM, DOPE PAR IMPLANTATION DE BORE EST RECUIT SOUS ATMOSPHERE OXYDANTE DE VAPEUR D'EAU. LES PROFILS DE REDISTRIBUTION, CARACTERISES PAR SONDE IONIQUE METTENT EN EVIDENCE UNE ACCELERATION DE LA DIFFUSION DU BORE POUR LES ZONES OXYDEES PAR RAPPORT AUX ZONES PROTEGEES DE L'OXYDATION. CE PHENOMENE EST RELIE A UNE GURSATURATION EN INTERSTITIELS DE SILICIUM GENERES A L'INTERFACE SI-SIO::(2), DANS LE SILICIUM, LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE. UNE ETUDE ORIGINALE DE L'EVOLUTION DES CONTRAINTES DANS LE SILICIUM EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES DE DIFFUSION EST PROPOSEE METTANT EN JEU LA RELAXATION DES CONTRAINTES DANS L'OXYDE PAR FLUX VISQUEUX DE CELUI-CI. CE MODELE PERMET DE DECRIRE PARFAITEMENT LE COMPORTEMENT QUALITATIF DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, MAIS LE MANQUE DE DONNEES SUR LA VISCOSITE DE L'OXYDE ET LES CONTRAINTES ENGENDREES DANS LE SIO::(2) NE PERMETTENT PAS UNE VERIFICATION QUANTITATIVE DE NOTRE THEORIE. D'AUTRE PART, LA SEGREGATION DU BORE A L'INTERFACE SI-SIO::(2) EST ETUDIEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE POUR DES OXYDES STATIQUES. UNE EXPRESSION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION, M, EN FONCTION DES PRESSIONS REGNANTES DANS L'OXYDE EST DONNEE. CELLE-CI PERMET DE DECRIRE LES VARIATIONS DE M AVEC LA TEMPERATURE OBSERVEES EXPERIMENTALEMENT

Author: Frédéric Boucard
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Languages : fr
Pages : 197

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Le sujet de recherche de ce mémoire de thèse présente la modélisation d'une étape particulière des procédés mis en œuvre en microélectronique: la diffusion des dopants. Le premier volet de ce travail est consacré à la compréhension et la réadaptation des modèles classiques de diffusion. En effet, ceux-ci atteignent actuellement leurs limites, en raison de la mauvaise description au cours des recuits de l'évolution des défauts créés par l'implantation ionique. La seconde partie de ce travail a donc été de comprendre le rôle des défauts étendus (petits amas, défauts {113}, boucles de dislocation) dans la diffusion accélérée et transitoire du bore. Ces travaux ont consisté à modéliser la croissance compétitive de type maturation d'Ostwald que se livrent ces agglomérats au cours du recuit et à le coupler à la diffusion du dopant. De plus, on a pu observer lors d'implantations à forte dose, la formation d'agglomérats de bore engendrant une immobilisation et une inactivation du dopant. Pour intégrer la formation de ces agglomérats, nous avons considéré la formation d'amas mixte de bore et d'interstitiels de type BnIm. A partir de récents calculs ab-initio tirés de la littérature, nous avons pu extraire les énergies de formation ainsi que les différents états de charges de ces amas mixtes de bore et d'interstitiels. Ce dernier modèle, couplé aux deux autres, a été validé à partir de divers résultats expérimentaux.

Author: Eric Vandenbossche
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Languages : fr
Pages : 196

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Les phenomenes de diffusion des dopants dans le silicium ont une importance grandissante dans les technologies actuelles et futures. En effet, les budgets thermiques diminuent avec les dimensions des dispositifs, et des phenomenes de diffusion transitoire apparaissent lors de la fabrication de jonctions ultra-courtes p#+/n et n#+/p. Ce memoire traite essentiellement des mecanismes de diffusion, bases sur les reactions entre dopants et defauts ponctuels, lesquels sont les interstitiels (atomes de silicium en site interstitiel) et les lacunes (site substitutionnel vacant). La sursaturation des defauts ponctuels, generee au cours des etapes technologiques (bombardements ioniques, oxydations, nitrurations), gouverne la diffusion transitoire des dopants. Un modele general de diffusion des dopants, incluant l'ensemble des mecanismes entre dopants et defauts ponctuels en non-equilibre, constitue la base de cette etude. Ce modele est presente en detail pour l'arsenic, le phosphore et le bore. Trois applications sur la diffusion du bore et du phosphore sont presentees montrant clairement la contribution des defauts ponctuels a la diffusion transitoire de ces dopants observee experimentalement. L'originalite de ce manuscrit consiste en l'etude des phenomenes de diffusion en fortes concentrations, plus precisement appliquee au bore et dans des conditions de preamorphisation. En effet, le bore presente des phenomenes de diffusion anormaux beaucoup plus marques par rapport aux autres dopants. Trois axes d'etudes constituent le traitement presente dans ce memoire: a) modelisation des conditions initiales pour la simulation en terme de concentrations des defauts ponctuels et activation du profil de dopage implante, b) modelisation des effets des boucles de dislocations generees par les etapes d'amorphisation, ces dislocations jouent le role de puit pour les interstitiels, et c) modelisation de la precipitation du bore, par le phenomene de nucleation derive pour la premiere fois dans un modele general de diffusion.

Author: F.. VOILLOT SAINT YVES
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Languages : fr
Pages : 161

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CARACTERISTION DES DIFFERENTS PHENOMENES OBSERVES SOUS IRRADIATION DE PROTONS ET INTERPRETATION TENANT COMPTE A LA FOIS DES EFFETS DES DEFAUTS CREES SUR LA DIFFUSION DES IMPURETES ET DES INTERACTIONS DE CEUX-CI AVEC LES IMPURETES.

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Author: Jean-Baptiste Quoirin
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Pages : 118

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Author: Francois Marou
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Languages : fr
Pages : 268

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L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE

Author: Don Montague
Publisher: Taylor & Francis
ISBN: 9780419199106
Category : Architecture
Languages : en
Pages : 472

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This dual-language dictionary lists over 20,000 specialist terms in both French and English, covering architecture, building, engineering and property terms. It meets the needs of all building professionals working on projects overseas. It has been comprehensively researched and compiled to provide an invaluable reference source in an increasingly European marketplace.

Author: France. Commissariat à l'énergie atomique
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Category : Fuel cycle
Languages : en
Pages : 192

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