Développement et mise en oeuvre d'un système de contrôle de la croissance de films en épitaxie par jets moléculaires PDF Download

Author: Florin Cristian Beuran
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Languages : fr
Pages : 270

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Author: Norbert Fabre
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Languages : fr
Pages : 130

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Author: MAGALI.. MESRINE
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Languages : fr
Pages : 226

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AVEC L'OBJECTIF D'ETENDRE LA QUALIFICATION DE L'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (EJC), DEUX FAMILLES DE MATERIAUX POSSEDANT DES POTENTIALITES DE DEVELOPPEMENT IMPORTANTES ONT ETE CONSIDEREES : LES STRUCTURES MIXTES ARSENIURES-PHOSPHURES ET LES NITRURES D'ELEMENTS III. NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE LA FAISABILITE DE SUPER-RESEAUX GAAS/GA 0 . 5 1IN 0 . 4 9P A COURTE PERIODE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA PRINCIPALE LIMITATION EST LIEE A LA MAITRISE DE LA COMPOSITION CHIMIQUE DES INTERFACES DE CE SYSTEME. L'UTILISATION DE LA TECHNIQUE DE DIFFRACTION D'ELECTRONS EN INCIDENCE RASANTE A AINSI PERMIS LA MISE EN EVIDENCE EN TEMPS REEL PENDANT LA CROISSANCE D'UN PHENOMENE DE SEGREGATION DE SURFACE DE L'INDIUM. L'ETUDE COMPLEMENTAIRE DES ECHANGES ENTRE AS ET P QUI SE PRODUISENT LORS DES INTERRUPTIONS DE CROISSANCE AU NIVEAU DES INTERFACES DU SYSTEME GAAS/GAINP, A PERMIS DE CLARIFIER L'EFFET DES CONDITIONS DE CROISSANCE SUR LES ENERGIES DE PHOTOLUMINESCENCE DES PUITS QUANTIQUES REALISES DANS CE SYSTEME DE MATERIAUX. L'ENSEMBLE DE CE TRAVAIL A MONTRE QUE L'EJC EST UNE TECHNIQUE DE CHOIX POUR LA REALISATION ET L'ETUDE D'HETEROSTRUCTURES FAISANT INTERVENIR PLUSIEURS ELEMENTS V. CEPENDANT, SON DEVELOPPEMENT EST LIE A SA CAPACITE A PERMETTRE LA REALISATION DE NOUVEAUX MATERIAUX. DANS CE CONTEXTE, NOUS AVONS ETUDIE LES POTENTIALITES DE L'UTILISATION DE L'AMMONIAC (NH 3) COMME PRECURSEUR D'AZOTE POUR LES CROISSANCES EJC A BASSE TEMPERATURE DE NITRURES D'ELEMENTS III. DEUX VOIES ONT ETE EXPLOREES POUR DECOMPOSER NH 3. LA PREMIERE A CONSISTE A PRE-DECOMPOSER LA MOLECULE DANS UNE CELLULE A CRAQUAGE CATALYTIQUE, AVANT SON ARRIVEE SUR LA SURFACE DE CROISSANCE. L'ETUDE, MENEE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE, A MONTRE QUE LA CINETIQUE JOUE UN ROLE SIGNIFICATIF DANS CETTE REACTION. IL APPARAIT AINSI QUE LA CONDUCTANCE EST DE L'INJECTEUR EST LE PARAMETRE PRIMORDIAL A OPTIMISER POUR DEVELOPPER CETTE VOIE. L'AUTRE VOIS ENVISAGEE CONCERNE LA DECOMPOSITION DE NH 3 SUR LA SURFACE DE CROISSANCE. LA REFLECTIVITE OPTIQUE A ETE UTILISEE IN-SITU POUR DETERMINER LE TAUX DE DECOMPOSITION DE NH 3 SUR LA SURFACE DE CROISSANCE EN PRESENCE DE GA. NOUS MONTRONS QU'IL DEVIENT SIGNIFICATIF AU DESSUS DE 450\C CE QUI PERMET LA CROISSANCE DE NITRURES A BASSE TEMPERATURE.

Author: ISABELLE.. HARDY
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Languages : fr
Pages : 211

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DESCRIPTION DU SYSTEME D'EPITAXIE UTILISE ET DES PROBLEMES DE CONTROLE DE LA CROISSANCE DE GAALAS/GAAS RENCONTRES. DETERMINATION DE LA COMPOSITION DU TERNAIRE REALISE A L'AIDE DE TROIS TECHNIQUES: DIFFRACTION RX, SONDE IONIQUE, SPECTROSCOPIE RAMAN. LES RESULTATS OBTENUS SONT UTILISES POUR FOURNIR DES ELEMENTS QUANTITATIFS POUR LE CONTROLE DU PROCESSUS D'EPITAXIE. UTILISATION DE L'EMISSION DE PHOTOLUMINESCENCE POUR OPTIMISER LES CONDITIONS DE CROISSANCE. ETUDE DETAILLEE, DANS LE CAS DE GAALAS, DES MESURES DE RESISTIVITE ET DE TENSION DE HALL. ENFIN, EXAMEN DE LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES GAALAS/GAAS A BARRIERE MODULEE ET PRESENTATION DES PERFORMANCES OBTENUES EN PHOTODETECTION A 820MM

Author: Nicolas Viguier
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Languages : fr
Pages : 190

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DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE LES POSSIBILITES OFFERTES PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES D'ORGANOMETALLIQUES (MOMBE) DANS LE DOMAINE DE L'HETEROEPITAXIE DE FILMS METALLIQUES SUR GAAS. APRES AVOIR JUSTIFIE LE CHOIX DE LA PHASE INTERMETALLIQUE COGA, NOUS AVONS DETERMINE LES CONDITIONS D'ELABORATION OPTIMALES SUIVANTES : T = 360C, CPCO(CO)#2 : GAET#3 5:1, SURFACE (100)GAAS SATUREE GA. DANS CES CONDITIONS, DES FILMS COGA MONOPHASES SONT EPITAXIES SUR (100)GAAS DE FACON REPRODUCTIBLE. CES FILMS SONT EXEMPTS DE CARBONE ET D'OXYGENE ET SONT THERMIQUEMENT STABLES SUR GAAS JUSQU'A 500C EN ACCORD AVEC LA PREVISION THERMODYNAMIQUE. LES HETEROSTRUCTURES COGA/GAAS ONT UN COMPORTEMENT DE DIODE SCHOTTKY. CES RESULTATS FONT DE LA MOMBE UNE TECHNIQUE PARTICULIEREMENT INTERESSANTE POUR LA METALLISATION DES SEMI-CONDUCTEURS III-V. PARALLELEMENT A CES TRAVAUX SUR L'HETEROEPITAXIE, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE SUIVI IN SITU DE CES PROCESSUS HETEROGENES BASEE SUR LA PHOTOEMISSION AU NIVEAU DU SEUIL. APRES AVOIR MONTRE LES POTENTIALITES DE CETTE TECHNIQUE POUR L'ANALYSE IN SITU ET EN TEMPS REEL DE LA CROISSANCE DES FILMS HOMOEPITAXIES GAAS/GAAS, NOUS L'AVONS UTILISEE POUR L'ETUDE DES PROCESSUS D'ADSORPTION ET DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DES SOURCES DE GALLIUM (GAET#3 ET GAME#3) SUR UNE SURFACE (100)GAAS. NOUS AVONS AUSSI DETERMINE EXPERIMENTALEMENT PAR PHOTOEMISSION DE SEUIL UN MODE D'ADSORPTION EN COUCHE MONOMOLECULAIRE (LANGMUIR), UNE TEMPERATURE DE DEBUT DE DECOMPOSITION, AINSI QUE LES PARAMETRES D'ARRHENIUS ASSOCIES A LA CINETIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DE CES ORGANOMETALLIQUES SUR (100)GAAS. LES DONNEES EXPERIMENTALES TRES PRELIMINAIRES SUR L'INTERACTION DE GAZ SUR DES SUBSTRATS POLYCRISTALLINS DU TYPE SNO#2 MONTRENT QUE LE PROCEDE PEUT ETRE UTILISE EGALEMENT POUR ETUDIER LA CINETIQUE DES PHENOMENES DE SURFACE DANS LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT DE CAPTEURS PLUS CONVENTIONNELS ET SURTOUT POUR ANALYSER LES PROCESSUS DE LEUR DEGRADATION.

Author: Bouchta Layati
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Languages : fr
Pages : 0

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Author: Véronique Rossignol
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Languages : fr
Pages : 190

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LES HETEROSTRUCTURES CONTRAINTES INASP/INP ET INAS/INP (3.2% D'ECART DE PARAMETRE DE MAILLE), PEUVENT SE SUBSTITUER AVANTAGEUSEMENT AU SYSTEME QUATERNAIRE INGAASP/INP ; ILS COUVRENT UNE LARGE REGION DE LONGUEURS D'ONDE. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS REALISE DES HETEROSTRUCTURES PRESENTANT DES NIVEAUX DE CONFINEMENT DANS LA GAMME DE 1.1 A 1.9 MICRONS. NOUS AVONS EGALEMENT ETABLI LES CONDITIONS DE CROISSANCE PERMETTANT LA REALISATION DE CES HETEROSTRUCTURES ET AVONS ETUDIE LEUR EVOLUTION EN FONCTION DE LA TEMPERATURE D'EPITAXIE ET DES FLUX DES ELEMENTS UTILISES. LES COUCHES INP, DEPOSEES EN EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES D'ORGANO-METALLIQUES, PRESENTENT UNE INCORPORATION SYSTEMATIQUE D'ARSENIC DE 0.2% A 0.6%, ET JUSQU'A 1% DANS LES HETEROSTRUCTURES INASP/INP. LA DIFFRACTION DE RAYONS X A HAUTE RESOLUTION ET LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE A BASSE TEMPERATURE MONTRENT QUE LES INTERRUPTIONS DE CROISSANCE SOUS FLUX D'ARSINE OU DE PHOSPHINE FONT VARIER LES COMPOSITIONS MOYENNES DANS LE SUPER RESEAU ET RUGOSIFIENT LES INTERFACES. AINSI, LES PLUS FAIBLES RUGOSITES D'INTERFACE SONT OBTENUES EN L'ABSENCE D'INTERRUPTION DE CROISSANCE. DANS LE CADRE DE L'ELABORATION D'UN DEMONSTRATEUR, NOUS AVONS ENTREPRIS LA REALISATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A MULTI-PUITS QUANTIQUES. COMPAREE A LA CELLULE CONVENTIONNELLE INP(P/N), L'ADDITION DE MULTI-PUITS QUANTIQUES INASP/INP DANS LA ZONE DE CHARGES D'ESPACE A POUR EFFET D'AUGMENTER LA DENSITE DE COURANT DE COURT-CIRCUIT DE 20 MA/CM#2 POUR LA CELLULE INP (P/N) A 26.2 MA/CM#2 ET 28.4 MA/CM#2 POUR LA STRUCTURE INAS#0#.#3#5P#0#.#6#5(6NM)/INP(20NM) RESPECTIVEMENT DE 10 ET 20 PERIODES. L'ABSORPTION EN BORD DE BANDE SE SITE PRINCIPALEMENT DANS LA ZONE INTRINSEQUE DE PUITS QUANTIQUES. LA DIMINUTION ALORS POSSIBLE DES EPAISSEURS DE BASE PERMETTRA DE MINIMISER LE COURANT D'OBSCURITE ET DEVRAIT MINIMISER LES RECOMBINAISONS EN VOLUME. ON PEUT DONC PREDIRE QUE LES RENDEMENTS DE CONVERSION EN SERONT ACCRUS

Author: John Wilfred Orton
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ISBN: 0199695822
Category : Science
Languages : en
Pages : 529

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The book is a history of Molecular Beam Epitaxy (MBE) as applied to the growth of semiconductor thin films (note that it does not cover the subject of metal thin films). It begins by examining the origins of MBE, first of all looking at the nature of molecular beams and considering their application to fundamental physics, to the development of nuclear magnetic resonance and to the invention of the microwave MASER. It shows how molecular beams of silane (SiH4) were used to study the nucleation of silicon films on a silicon substrate and how such studies were extended to compound semiconductors such as GaAs. From such surface studies in ultra-high vacuum the technique developed into a method of growing high quality single crystal films of a wide range of semiconductors. Comparing this with earlier evaporation methods of deposition and with other epitaxial deposition methods such as liquid phase and vapour phase epitaxy (LPE and VPE). The text describes the development of MBE machines from the early 'home-made' variety to that of commercial equipment and show how MBE was gradually refined to produce high quality films with atomic dimensions. This was much aided by the use of various in-situ surface analysis techniques, such as reflection high energy electron diffraction (RHEED) and mass spectrometry, a feature unique to MBE. It looks at various modified versions of the basic MBE process, then proceed to describe their application to the growth of so-called 'low-dimensional structures' (LDS) based on ultra-thin heterostructure films with thickness of order a few molecular monolayers. Further chapters cover the growth of a wide range of different compounds and describe their application to fundamental physics and to the fabrication of electronic and opto-electronic devices. The authors study the historical development of all these aspects and emphasise both the (often unexpected) manner of their discovery and development and the unique features which MBE brings to the growth of extremely complex structures with monolayer accuracy.

Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659

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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Author: Zhe Chuan Feng
Publisher: World Scientific
ISBN: 1848162235
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 477

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Devices, nanoscale science and technologies based on GaN and related materials, have achieved great developments in recent years. New GaN-based devices such as UV detectors, fast p-HEMT and microwave devices are developed far more superior than other semiconductor materials-based devices.Written by renowned experts, the review chapters in this book cover the most important topics and achievements in recent years, discuss progress made by different groups, and suggest future directions. Each chapter also describes the basis of theory and experiment.This book is an invaluable resource for device design and processing engineers, material growers and evaluators, postgraduates and scientists as well as newcomers in the GaN field.