DEVELOPPEMENT D'UN SYSTEME EXPERT TECHNOLOGIQUE SUR LE TEST PARAMETRIQUE D'UNE FILIERE DE CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRE SILICIUM HAUTE TENSION PDF Download
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L'OBJET DE CETTE THESE EST DE DEVELOPPER UN SYSTEME EXPERT QUI INTERPRETE LES RESULTATS DU TEST PARAMETRIQUE SUR PLAQUETTE, EN FIN DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SILICIUM. CETTE NOUVELLE APPROCHE DOIT PERMETTRE, SUR LE SITE DE RENNES DE SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, D'AVOIR UN RETOUR D'INFORMATION PLUS RAPIDE SUR LA LIGNE DE PRODUCTION AFIN D'AUGMENTER LA MAITRISE DU PROCEDE DE FABRICATION. APRES UNE DESCRIPTION DE LA FILIERE TECHNOLOGIQUE BIPOLAIRE HAUTE TENSION ETUDIEE, ET DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN SUR LEQUEL EST BASE LE DEVELOPPEMENT DU SYSTEME EXPERT, LES PROPRIETES DES COUCHES ELECTRIQUES ET LES MODELES DES PARAMETRES DE CE TRANSISTOR SONT PRESENTES. CECI PERMET DE RELIER LES GRANDEURS ELECTRIQUES AUX GRANDEURS PHYSIQUES DUES A LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION. LA METHODOLOGIE DE TEST EMPLOYEE POUR EXTRAIRE CES PARAMETRES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET L'ANALYSE STATISTIQUE DES RESULTATS PERMETTENT DE DEGAGER LES CORRELATIONS LIANT LES PARAMETRES ENTRE EUX. CES CORRELATIONS SONT CONFRONTEES AUX MODELES THEORIQUES POUR CONFIRMER L'INTERET DES MODELES CHOISIS ET PERMETTRE DE DEGAGER LES INFLUENCES DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES PREDOMINANTS. LA SUITE EST CONSACREE A LA STRUCTURE ET AU MODE DE FONCTIONNEMENT DU SYSTEME EXPERT QUE NOUS AVONS DEVELOPPE. L'ECRITURE DES REGLES DE CONNAISSANCE ETANT LA PARTIE VITALE DU SYSTEME, LA DERNIERE PARTIE TRAITE LES DIFFERENTES METHODOLOGIES DE CONSTRUCTION DE CES REGLES: ANALYSE DES CORRELATIONS, DES MODES DE DEFAILLANCE EN FABRICATION, DES PERTURBATIONS VOLONTAIRES DU PROCEDE DE FABRICATION ET DU TEST D'UN TRANSISTOR PNP LATERAL. CETTE ETUDE A PERMIS DE DEMONTRER QUE LA METHODE DE TRAITEMENT ENVISAGEE EST BIEN ADAPTEE A UN USAGE EN PRODUCTION. DE PLUS, ELLE PERMET DE CONSERVER LA CONNAISSANCE ET ELLE PEUT S'ETENDRE FACILEMENT A D'AUTRES TECHNOLOGIES DE FABRICATION
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L'OBJET DE CETTE THESE EST DE DEVELOPPER UN SYSTEME EXPERT QUI INTERPRETE LES RESULTATS DU TEST PARAMETRIQUE SUR PLAQUETTE, EN FIN DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SILICIUM. CETTE NOUVELLE APPROCHE DOIT PERMETTRE, SUR LE SITE DE RENNES DE SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, D'AVOIR UN RETOUR D'INFORMATION PLUS RAPIDE SUR LA LIGNE DE PRODUCTION AFIN D'AUGMENTER LA MAITRISE DU PROCEDE DE FABRICATION. APRES UNE DESCRIPTION DE LA FILIERE TECHNOLOGIQUE BIPOLAIRE HAUTE TENSION ETUDIEE, ET DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN SUR LEQUEL EST BASE LE DEVELOPPEMENT DU SYSTEME EXPERT, LES PROPRIETES DES COUCHES ELECTRIQUES ET LES MODELES DES PARAMETRES DE CE TRANSISTOR SONT PRESENTES. CECI PERMET DE RELIER LES GRANDEURS ELECTRIQUES AUX GRANDEURS PHYSIQUES DUES A LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION. LA METHODOLOGIE DE TEST EMPLOYEE POUR EXTRAIRE CES PARAMETRES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET L'ANALYSE STATISTIQUE DES RESULTATS PERMETTENT DE DEGAGER LES CORRELATIONS LIANT LES PARAMETRES ENTRE EUX. CES CORRELATIONS SONT CONFRONTEES AUX MODELES THEORIQUES POUR CONFIRMER L'INTERET DES MODELES CHOISIS ET PERMETTRE DE DEGAGER LES INFLUENCES DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES PREDOMINANTS. LA SUITE EST CONSACREE A LA STRUCTURE ET AU MODE DE FONCTIONNEMENT DU SYSTEME EXPERT QUE NOUS AVONS DEVELOPPE. L'ECRITURE DES REGLES DE CONNAISSANCE ETANT LA PARTIE VITALE DU SYSTEME, LA DERNIERE PARTIE TRAITE LES DIFFERENTES METHODOLOGIES DE CONSTRUCTION DE CES REGLES: ANALYSE DES CORRELATIONS, DES MODES DE DEFAILLANCE EN FABRICATION, DES PERTURBATIONS VOLONTAIRES DU PROCEDE DE FABRICATION ET DU TEST D'UN TRANSISTOR PNP LATERAL. CETTE ETUDE A PERMIS DE DEMONTRER QUE LA METHODE DE TRAITEMENT ENVISAGEE EST BIEN ADAPTEE A UN USAGE EN PRODUCTION. DE PLUS, ELLE PERMET DE CONSERVER LA CONNAISSANCE ET ELLE PEUT S'ETENDRE FACILEMENT A D'AUTRES TECHNOLOGIES DE FABRICATION
Author: Patrick Gendre Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 159
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LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES FAIT INTERVENIR DES TECHNOLOGIES COMPLEXES ET DE NOMBREUX INTERLOCUTEURS. AFIN DE FAIRE FACE AU RYTHME SANS CESSE PLUS RAPIDE D'EVOLUTION DES PRODUITS ET A LA CONCURRENCE TOUJOURS PLUS VIVE, IL FAUT AUJOURD'HUI SAVOIR MAITRISER ET TIRER PARTI DE LA GRANDE QUANTITE DE DONNEES COLLECTEES. LE PRESENT DOCUMENT FAIT LA SYNTHESE DES DIVERS ASPECTS LIES AU TRAITEMENT DES DONNEES POUR LE DEVELOPPEMENT DE FILIERES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR SILICIUM. IL S'APPUIE POUR CELA SUR 3 TYPES DE CONNAISSANCES: MICRO-ELECTRONIQUE, STATISTIQUE, INFORMATIQUE, QUI PERMETTENT RESPECTIVEMENT DE DEFINIR LES DONNEES, LES METHODES DE TRAITEMENT, LES OUTILS APPROPRIES. LES FILIERES SONT VUES COMME UN SYSTEME DONT LES SPECIFICITES SONT LE GRAND NOMBRE DE VARIABLES D'ENTREE ET DE SORTIE, ET LA LONGUEUR DU CYCLE DE FABRICATION. LA PREMIERE PARTIE TRAITE DU TEST PARAMETRIQUE, INDICATEUR PRINCIPAL POUR MESURER L'ETAT DU SYSTEME. LA SECONDE PARTIE PRESENTE LE CYCLE DE DEVELOPPEMENT D'UNE FILIERE, QUI PART DE L'ASSEMBLAGE DES PROCEDES ELEMENTAIRES ET ABOUTIT AU TRANSFERT EN PRODUCTION. LES ESSAIS DE MISE AU POINT, SIMULES OU FABRIQUES, FONT APPEL AUX METHODES DE PLANIFICATION D'EXPERIENCES. PLUS GLOBALEMENT, LE SUIVI DE L'EVOLUTION DE LA FILIERE LORS DE SON DEVELOPPEMENT PEUT BENEFICIER DES TECHNIQUES DES BASES DE DONNEES ET DE L'INTELLIGENCE ARTIFICIELLE. ENFIN, LA STABILISATION DE LA FILIERE PASSE PAR SA MISE SOUS CONTROLE ET PAR L'AMELIORATION DES RENDEMENTS. LA DERNIERE PARTIE EVOQUE LES DEUX AUTRES SYSTEMES QUI ECHANGENT DES INFORMATIONS AVEC LES FILIERES: LA CONCEPTION DES CIRCUITS ET LES ETAPES ELEMENTAIRES DE FABRICATION. L'ULTIME CHAPITRE ABORDE LES PROBLEMES POSES PAR L'INTEGRATION DES DIFFERENTS SYSTEMES D'INFORMATION. A CHAQUE FOIS, LA SYNTHESE DES IDEES ET REALISATIONS DECRITES DANS LA LITTERATURE SERA MISE EN PARALLELE AVEC LE TRAVAIL CONCRET REALISE AU CNET GRENOBLE. LA CONCLUSION INSISTERA SUR LE ROLE QUE PEUT JOUER UNE EQUIPE DEDIEE AU TRAITEMENT DES DONNEES DANS LE CADRE D'UN PROJET DE DEVELOPPEMENT DE FILIERE.
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LA FAISABILITE D'UNE FILIERE TECHNOLOGIQUE A ISOLATION DIELECTRIQUE BASEE SUR LA TECHNIQUE DE SOUDURE DIRECTE SUR SILICIUM EST ICI ETUDIEE ET DEMONTREE, POUR LES APPLICATIONS DE PUISSANCE INTELLIGENTE DANS LA GAMME DES HAUTES TENSIONS (1000-1500 V, 1-20 A), OU UNE CONFIGURATION VERTICALE DU COMPOSANT DE PUISSANCE EST NECESSAIRE. L'ISOLATION STATIQUE ET DYNAMIQUE DU CIRCUIT BASSE TENSION, INTEGRE A COTE DE CE COMPOSANT DE PUISSANCE VERTICAL, EST LE POINT CRITIQUE DE CETTE FAMILLE DE CIRCUITS INTEGRES. L'ISOLATION PAR DIELECTRIQUE OFFRE UNE MEILLEURE PROTECTION POUR LE CAISSON BASSE TENSION, CAR ELLE ELIMINE LES COMPOSANTS BIPOLAIRES PARASITES PRESENTS DANS UNE TECHNOLOGIE A ISOLATION PAR JONCTION. L'UTILISATION DE LA SOUDURE DIRECTE SUR SILICIUM PERMET D'OBTENIR A UN COUT MODERE UNE COUCHE D'OXYDE D'ISOLATION ENTERREE. EN OUTRE, NOTRE APPLICATION NECESSITE LA PRESENCE D'UNE ZONE DE SOUDURE SI/SI DANS LA PARTIE ACTIVE DU COMPOSANT DE PUISSANCE VERTICAL. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE AVANT SOUDURE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE L'INTERFACE SI/SI EST MISE EN EVIDENCE, ET LA PRESENCE DE DEFAUTS CRISTALLINS DANS CETTE ZONE EST CONSIDEREE COMME LA PRINCIPALE CAUSE DE POSSIBLES DYSFONCTIONNEMENTS. LES SOLUTIONS APPORTEES AUX PROBLEMES DE COMPATIBILITE DE PROCEDE DE LA SOUDURE SUR SILICIUM AVEC UN PROCEDE STANDARD ONT PERMIS DE VALIDER UNE FILIERE COMPLETE COMPORTANT L'INTEGRATION SIMULTANEE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE VERTICAL AVEC UNE CIRCUITERIE DE CONTROLE BIPOLAIRE. UNE TERMINAISON HAUTE TENSION POUR LE CIRCUIT INTEGRE DE PUISSANCE, D'OPTIMISATION SIMPLE, BASEE SUR LE CONCEPT D'ANNEAUX POLARISES, ET NE NECESSITANT PAS D'ETAPE TECHNOLOGIQUE SUPPLEMENTAIRE, EST ENFIN PROPOSEE POUR COMPLETER LA FILIERE TECHNOLOGIQUE MISE EN PLACE. CETTE STRUCTURE D'ANNEAUX EST ETUDIEE A L'AIDE DE SIMULATIONS ELECTRIQUES BIDIMENSIONNELLES (LOGICIEL BIDIM2) AINSI QUE D'UN MODELE ANALYTIQUE SIMPLIFIE
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APRES UN RAPPEL DES PROPRIETES DES TRANSISTORS TBH, NOUS PRESENTONS D'UNE PART L'EVALUATION DES PERFORMANCES ET L'OPTIMISATION DE LA LOGIQUE CML-ECL, ET D'AUTRE PART LES REGLES DE DESSIN ET LA METHODOLOGIE D'IMPLANTATION QUI ONT ETE DEFINIES POUR LA REALISATION D'UN DIVISEUR PAR DEUX. NOUS PRESENTONS UNE BIBLIOTHEQUE DE CIRCUITS DEFINIE POUR EVALUER LES PERFORMANCES (VITESSE, PUISSANCE DISSIPEE, SURFACE) DE CIRCUITS MSI (DIVISEURS, MULTIPLEXEURS, DEMULTIPLEXEURS...). NOUS EVALUONS LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DES PORTES CML-ECL EN FONCTION DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES, POUR COMPARER LES PERFORMANCES PRESENTES ET L'EVOLUTION PREVISIBLE DES PERFORMANCES FUTURES DES TECHNOLOGIES BIPOLAIRES SILICIUM ET GAAS/GAALAS
Author: LOIC.. ROLLAND
Author: LOIC.. ROLLAND
Author: Patrick Gendre
Author: Véronique Macary
Author: ABDOL AMIR.. KAZEMINEJAD