Dépôt par plasma en résonance cyclotron électronique d'alliages de silicium pour applications optiques PDF Download

Author: Gregory Girard
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Languages : fr
Pages : 214

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Author: MARC.. GUILLERMET
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DEVELOPPEMENT D'UN PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE EXCITE PAR RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE; PRODUCTION A BASSE PRESSION (0,1 PA), D'UN PLASMA HOMOGENE DE DENSITE ELEVEE AVEC DES IONS D'ENERGIE CONTROLABLE DE 1 A 100 EV. CARACTERISATION CHIMIQUE (SPECTROMETRIE DES ELECTRONS AUGER) ET CRISTALLOGRAPHIQUE (DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS) DE LA SURFACE DES SUBSTRATS DE SILICIUM; ETUDE DE L'ETAT DE SURFACE APRES INTERACTION AVEC LE PLASMA. CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES COUCHES EPITAXIQUES

Author: Nicolas Duez
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Languages : fr
Pages : 196

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Dans ce travail, les potentialites d'utilisation d'un plasma d'azote a la resonance cyclotronique electronique repartie (rcer) pour nitrurer l'aluminium et le silicium ont ete etudiees. La nitruration est une technique d'enrichissement en azote mettant en jeu a la fois une conversion chimique superficielle conduisant a la formation de nitrure, l'implantation d'especes reactives energetiques et une diffusion de l'azote en solution interstitielle. L'aluminium ou les alliages a base d'aluminium sont souvent choisis pour leur legerete et pour leur usinabilite aisee. Toutefois, l'utilisation de ce metal est limitee a cause de ses proprietes tribologiques mediocres. Dans le cadre du durcissement de ce metal, la formation d'une couche superficielle de nitrure apparait comme une bonne alternative. Le silicium est essentiellement employe pour des applications dans le domaine de l'electronique a cause de son caractere semi-conducteur. L'incorporation d'azote dans ce materiau permet entre autre d'en modifier les proprietes electroniques. Cette etude est essentiellement basee sur des analyses realisees par spectroscopie de photoelectrons induits par rayons x (xps). Les resultats sont renforces par des analyses complementaires realisees par microscopie electronique a balayage (meb), spectroscopie infrarouge a transformee de fourier (ftir), tensiometrie et nanoindentation. Les aspects mecanistiques de la nitruration de l'aluminium et du silicium sont abordes en prenant en compte les phenomenes d'implantation et de diffusion. Une estimation des coefficients de diffusion de l'azote et de l'oxygene dans l'aluminium est proposee.

Author: Ming Fang
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Languages : fr
Pages : 123

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CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM AMORPHE (A-SI:H) ET MICROCRISTALLIN (C-SI) A L'UTILISATION DES TECHNIQUES OPTIQUES IN SITU ET SPECTROSCOPIQUES (DE PROCHE INFRAROUGE A ULTRAVIOLET). NOUS AVONS DEVELOPPE LA LOI DE DISPERSION DIELECTRIQUE EN TENANT COMPTE DE LA STRUCTURE DES BANDES AU LIEU DU MODELE A DEUX NIVEAUX (SEUL OSCILLATEUR) UTILISE HABITUELLEMENT. NOUS AVONS MONTRE QU'IL N'Y A PAS DE DEPENDANCE AVEC L'EPAISSEUR DE STRUCTURE DE BANDE DE COUCHE TRES MINCE DU A-SI:H (SI L'EPAISSEUR D>500A). L'ETUDE EN TEMPS REEL DE LA STRUCTURE DU C-SI MONTRE QUE LA CROISSANCE DE C-SI SE PASSE EN TROIS PERIODES: LA NUCLEATION, LA FORMATION DE RUGOSITE DE SURFACE ET LA CROISSANCE INHOMOGENE. LA GRANDE POROSITE TROUVEE DANS CE MATERIAU EXPLIQUE PLUSIEURS OBSERVATIONS NON EXPLIQUEE PRECEDEMMENT. LES RESULTATS OBTENUS SUR L'ETUDE DES INTERFACES DU C-SI AVEC DIVERS SUBSTRATS SONT DIRECTEMENT UTILISABLES POUR LES APPLICATIONS PRATIQUES. LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM EN COUCHE MINCE SOULEVE DES PROBLEMES FONDAMENTAUX COMPLEXES. DE PLUS IL Y A AUSSI DES IMPLICATIONS PRATIQUES IMPORTANTES POUR L'INDUSTRIE OPTOELECTRONIQUE. DEPUIS 10 ANS, ON PENSE QUE C-SI EST DEPOSE EN CONDITION D'EQUILIBRE CHIMIQUE PARTIEL. EN VUE DE CERTAINES DIFFICULTES, NOUS AVONS PRESENTE NOTRE MODELE GRAVURE PREFERENTIELLE DE PHASE AMORPHE ET L'AVONS PROUVE AVEC UNE SERIE D'EXPERIENCES CRUCIALES. CETTE CONNAISSANCE NOUS PERMET DE MIEUX COMPRENDRE L'ORIGINE DU DESORDRE ET DE LA FORMATION DE DEFAUTS

Author: Ahmed Belasri
Publisher: Springer Nature
ISBN: 9811554447
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 659

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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Author: Eric Fogarassy
Publisher:
ISBN:
Category : Laser beams
Languages : fr
Pages : 298

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Author: M.O. Manasreh
Publisher: Elsevier
ISBN: 0080534449
Category : Science
Languages : en
Pages : 463

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Research advances in III-nitride semiconductor materials and device have led to an exponential increase in activity directed towards electronic and optoelectronic applications. There is also great scientific interest in this class of materials because they appear to form the first semiconductor system in which extended defects do not severely affect the optical properties of devices. The volume consists of chapters written by a number of leading researchers in nitride materials and device technology with the emphasis on the dopants incorporations, impurities identifications, defects engineering, defects characterization, ion implantation, irradiation-induced defects, residual stress, structural defects and phonon confinement. This unique volume provides a comprehensive review and introduction of defects and structural properties of GaN and related compounds for newcomers to the field and stimulus to further advances for experienced researchers. Given the current level of interest and research activity directed towards nitride materials and devices, the publication of the volume is particularly timely. Early pioneering work by Pankove and co-workers in the 1970s yielded a metal-insulator-semiconductor GaN light-emitting diode (LED), but the difficulty of producing p-type GaN precluded much further effort. The current level of activity in nitride semiconductors was inspired largely by the results of Akasaki and co-workers and of Nakamura and co-workers in the late 1980s and early 1990s in the development of p-type doping in GaN and the demonstration of nitride-based LEDs at visible wavelengths. These advances were followed by the successful fabrication and commercialization of nitride blue laser diodes by Nakamura et al at Nichia. The chapters contained in this volume constitutes a mere sampling of the broad range of research on nitride semiconductor materials and defect issues currently being pursued in academic, government, and industrial laboratories worldwide.

Author: Faye H. Horn
Publisher:
ISBN:
Category : Indexes
Languages : en
Pages : 84

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Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Nuclear physics
Languages : en
Pages : 172

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Author: United States. President's Science Advisory Committee
Publisher:
ISBN:
Category : Communication in science
Languages : en
Pages : 64

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