Delta-dopage de couches de silicium élaborées par épitaxie par jet moléculaire avec implantation d'ions sb de faible énergie PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Delta-dopage de couches de silicium élaborées par épitaxie par jet moléculaire avec implantation d'ions sb de faible énergie PDF full book. Access full book title Delta-dopage de couches de silicium élaborées par épitaxie par jet moléculaire avec implantation d'ions sb de faible énergie by Elisabeth Dufour-Gergam. Download full books in PDF and EPUB format.
Author: Elisabeth Dufour-Gergam Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 464
Book Description
Le but de cette étude est d'évaluer les potentialités de l'épitaxie par jet moléculaire avec implantation d'ions dopants (ejm21) pour l'élaboration de couches de silicium à dopage planaire (ou -dopage) et de réaliser avec ces couches un transistor à effet de champ à canal enterré (-mesfet). La première partie de l'étude a permis de montrer que l'ejm21 présente, par rapport à la méthode concurrente qu'est epitaxie en phase solide (spe), les avantages suivants: 1) processus isotherme, 2) pas de micro précipité au niveau des plans de dopage, tous les ions implantés sont donc incorporés et électriquement actifs, 3) contrôle du dopage par mesure de la dose implantée. La finesse du plan de dopage a été mesurée par sims et c(v). L'extrapolation des données sims à une énergie nulle des ions primaires aboutit à une largeur à mi-hauteur de 50a. les mesures c(v) annoncent des valeurs de 20 a 40a. par ailleurs, un gain en mobilité des porteurs dans le canal a été mise en évidence. Il pourrait être du à un double effet de séparation porteurs-impuretés et de guidage des porteurs par le champ transverse. La deuxième partie de l'étude a permis la réalisation de -mesfet à grille w en technologie autoalignée. Les étapes critiques de cette technologie ont été optimisées, notamment le recuit d'implantation des caissons source et drain. La formation de siliciure de tungstène a pu être évitée grâce à un traitement plasma oxygène avant le dépôt de w (barrière de diffusion). Les premiers résultats ont permis d'obtenir des transconductances de 20 ms/mm pour des grilles de 1,8 m. Quelques propositions sont faites pour une amélioration de la filière technologique
Author: Elisabeth Dufour-Gergam Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 464
Book Description
Le but de cette étude est d'évaluer les potentialités de l'épitaxie par jet moléculaire avec implantation d'ions dopants (ejm21) pour l'élaboration de couches de silicium à dopage planaire (ou -dopage) et de réaliser avec ces couches un transistor à effet de champ à canal enterré (-mesfet). La première partie de l'étude a permis de montrer que l'ejm21 présente, par rapport à la méthode concurrente qu'est epitaxie en phase solide (spe), les avantages suivants: 1) processus isotherme, 2) pas de micro précipité au niveau des plans de dopage, tous les ions implantés sont donc incorporés et électriquement actifs, 3) contrôle du dopage par mesure de la dose implantée. La finesse du plan de dopage a été mesurée par sims et c(v). L'extrapolation des données sims à une énergie nulle des ions primaires aboutit à une largeur à mi-hauteur de 50a. les mesures c(v) annoncent des valeurs de 20 a 40a. par ailleurs, un gain en mobilité des porteurs dans le canal a été mise en évidence. Il pourrait être du à un double effet de séparation porteurs-impuretés et de guidage des porteurs par le champ transverse. La deuxième partie de l'étude a permis la réalisation de -mesfet à grille w en technologie autoalignée. Les étapes critiques de cette technologie ont été optimisées, notamment le recuit d'implantation des caissons source et drain. La formation de siliciure de tungstène a pu être évitée grâce à un traitement plasma oxygène avant le dépôt de w (barrière de diffusion). Les premiers résultats ont permis d'obtenir des transconductances de 20 ms/mm pour des grilles de 1,8 m. Quelques propositions sont faites pour une amélioration de la filière technologique
Book Description
L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES SILICIUM, DU FAIT DES FAIBLES TEMPERATURES ET VITESSES DE CROISSANCE MISES EN UVRE, PERMET LA REALISATION DE STRUCTURES A HAUTE RESOLUTION DE DOPAGE. MALHEUREUSEMENT, LE DOPAGE N EST UNE DES DIFFICULTES DE CETTE TECHNIQUE. EN EFFET, LES DOPANTS N COURAMMENT UTILISES (AS, SB) ONT DES RAYONS ATOMIQUES TRES SUPERIEURS A CELUI DU SI ET S'ILS ARRIVENT SUR LA COUCHE EN CONSTRUCTION AVEC UNE ENERGIE THERMIQUE, ILS SEGREGENT EN SURFACE. IL EN RESULTE DES GRADIENTS DE DOPAGE ELEVES. UNE METHODE POUR EVITER CES DIFFICULTES EST D'UTILISER DES DOPANTS SUPRATHERMIQUES, C'EST-A-DIRE IMPLANTER LES DOPANTS EN COURS DE CROISSANCE: METHODE EJM21. NOUS AVONS ELABORE AINSI, EN UTILISANT UNE INSTALLATION D'EPITAXIE SOUS ULTRAVIDE MUNIE D'UNE SOURCE D'IONS MINIATURE ARSENIC TYPE REFLEX ELECTROSTATIQUE, DES COUCHES SOIT NON DOPEES, SOIT DOPEES PAR IMPLANTATION UNIFORMEMENT OU EN CRENEAU (PAS: 100-1000A). NOUS LES AVONS CARACTERISEES PAR MEB (MORPHOLOGIE), RHEED (CRISTALLOGRAPHIE), SIMS (CONTAMINATION, PROBABILITE D'INCORPORATION DES DOPANTS, RAIDEUR DES PROFILS DE DOPAGE), EFFET HALL (ACTIVITE ELECTRIQUE, MOBILITE). NOUS AVONS PRECISE LES CONDITIONS D'OBTENTION D'UNE BONNE MORPHOLOGIE. LES COUCHES ELABOREES A PLUS DE 700#OC AVEC DES VITESSES DE CROISSANCE DE 0,5 A 6 A/S SONT PARFAITEMENT MONOCRISTALLINES: LES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION SONT OU ASSEZ PEU NOMBREUX OU ASSEZ BIEN RECUITS POUR NE PAS APPARAITRE PAR DIFFRACTION ELECTRONIQUE, TOUT L'ARSENIR IMPLANTE EST INCORPORE A 1000 COMME A 500 EV ET ELECTRIQUEMENT ACTIF, LA RAIDEUR DES PROFILS DE DOPAGE EST AU DELA RESOLUTION EN PROFONDEUR SIMS, LA SIMULATION LAISSE ATTENDRE DES GRADIENTS DE 10-20 A PAR DECADE, LES MOBILITES TROUVEES DANS LES COUCHES DOPEES UNIFORMEMENT OU EN CRENEAUX SONT EGALES A CELLES DU MATERIAU MASSIF.
Author: Regina Pinto de Carvalho Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 178
Book Description
CONSTRUCTION D'UNE INSTALLATION D'EPITAXIE SOUS VIDE ET ETUDE DE LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE, PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE DES COUCHES A DOPAGE UNIFORME DE BORE OBTENU PAR TRANSFERT DU DOPANT DE LA SOURCE DE SICILIUM EVAPOREE. CONSTRUCTION D'UNE SOURCE D'IONS AS SU TYPE "REFLEX ELECTROSTATIQUE A CATHODE CHAUDE" ET DOPAGE PAR IMPLANTATION EN COURS DE CROISSANCE
Author: Emmanuel Voisin (auteur en métallurgie).) Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 0
Book Description
Ce travail de these est une etude de la croissance epitaxiee du silicium sur silicium et du dopage, a basse temperature (600c-800c) par plasma multipolaire microonde. Apres une presentation du dispositif experimental et des caracteristiques essentielles du plasma genere par une source rcer (resonance cyclotronique electronique repartie), il aborde tout d'abord le nettoyage in situ d'une surface de silicium par plasma d'hydrogene ou d'argon puis le depot epitaxie de silicium intrinseque a tres basse temperature par plasma de silane. Ensuite est presentee une etude du dopage, type n par le phosphore ou l'arsenic et type p par le bore. Elle aborde le niveau d'incorporation, l'activite electrique et la distribution spatiale des atomes dopants (le profil de dopage) dans une couche epitaxiee, en fonction des parametres experimentaux essentiels: fraction du gaz dopant dans le silane, energie des ions, temperature du substrat, puissance microonde injectee. Enfin la mise en uvre de nombreuses techniques de caracterisation atteste la bonne qualite tant sur le plan structural (nature et densite des defauts residuels) qu'electrique (mobilite des porteurs, defauts dans le gap) des couches de silicium deposees par pmm. L'avenir du depot par pmm en microelectronique s'avere donc tres prometteur
Book Description
CE TRAVAIL DE THESE EST UNE ETUDE DE LA CROISSANCE EPITAXIEE DU SILICIUM SUR SILICIUM ET DU DOPAGE, A BASSE TEMPERATURE (600C-800C) PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE. APRES UNE PRESENTATION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL ET DES CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DU PLASMA GENERE PAR UNE SOURCE RCER (RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE), IL ABORDE TOUT D'ABORD LE NETTOYAGE IN SITU D'UNE SURFACE DE SILICIUM PAR PLASMA D'HYDROGENE OU D'ARGON PUIS LE DEPOT EPITAXIE DE SILICIUM INTRINSEQUE A TRES BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA DE SILANE. ENSUITE EST PRESENTEE UNE ETUDE DU DOPAGE, TYPE N PAR LE PHOSPHORE OU L'ARSENIC ET TYPE P PAR LE BORE. ELLE ABORDE LE NIVEAU D'INCORPORATION, L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET LA DISTRIBUTION SPATIALE DES ATOMES DOPANTS (LE PROFIL DE DOPAGE) DANS UNE COUCHE EPITAXIEE, EN FONCTION DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX ESSENTIELS: FRACTION DU GAZ DOPANT DANS LE SILANE, ENERGIE DES IONS, TEMPERATURE DU SUBSTRAT, PUISSANCE MICROONDE INJECTEE. ENFIN LA MISE EN UVRE DE NOMBREUSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ATTESTE LA BONNE QUALITE TANT SUR LE PLAN STRUCTURAL (NATURE ET DENSITE DES DEFAUTS RESIDUELS) QU'ELECTRIQUE (MOBILITE DES PORTEURS, DEFAUTS DANS LE GAP) DES COUCHES DE SILICIUM DEPOSEES PAR PMM. L'AVENIR DU DEPOT PAR PMM EN MICROELECTRONIQUE S'AVERE DONC TRES PROMETTEUR
Author: Sébastien Forget Publisher: Springer ISBN: 3642367054 Category : Science Languages : en Pages : 179
Book Description
Organic lasers are broadly tunable coherent sources, potentially compact, convenient and manufactured at low-costs. Appeared in the mid 60’s as solid-state alternatives for liquid dye lasers, they recently gained a new dimension after the demonstration of organic semiconductor lasers in the 90's. More recently, new perspectives appeared at the nanoscale, with organic polariton and surface plasmon lasers. After a brief reminder to laser physics, a first chapter exposes what makes organic solid-state organic lasers specific. The laser architectures used in organic lasers are then reviewed, with a state-of-the-art review of the performances of devices with regard to output power, threshold, lifetime, beam quality etc. A survey of the recent trends in the field is given, highlighting the latest developments with a special focus on the challenges remaining for achieving direct electrical pumping of organic semiconductor lasers. A last chapter covers the applications of organic solid-state lasers.
Author: Fabien Bretenaker Publisher: World Scientific ISBN: 9814612421 Category : Science Languages : en Pages : 185
Book Description
This unique book provides an overview of the principle and applications of lasers enriched with numerous illustrations.Being over fifty years old, lasers continue to amaze us. Their performance characteristics are constantly reaching new limits, and the scope of their applications continues to expand. Yet, it took years of effort by teams of physicists to transform the fundamental notions of Einstein into the first experimental beam of laser light. And history is still going on as fundamental research is now triggered by its remarkable properties.This book addresses every aspects of laser light, from its fundamental principles to its industrial applications, at a level particularly suited for high school teachers, students, and anybody curious about science and technology.
Author: Elisabeth Dufour-Gergam
Author: Elisabeth Dufour-Gergam
Author: Joëlle Gutierrez
Author: Regina Pinto de Carvalho
Author: Joëlle Gutierrez
Author: Emmanuel Voisin (auteur en métallurgie).)
Author: Emmanuel Voisin
Author: Sébastien Forget
Author: Fabien Bretenaker