CROISSANCE ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM OBTENUES PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES. (HMDSO, TEOS) PDF Download
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CE MEMOIRE A POUR SUJET L'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES (HMDSO ET TEOS). L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR DE DEPOT SUR LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES A MONTRE L'IMPORTANCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. QUEL QUE SOIT LE PRECURSEUR GAZEUX UTILISE, CETTE VITESSE DECROIT SENSIBLEMENT AVEC LA TEMPERATURE. DIFFERENTES TECHNIQUES D'ANALYSE ONT PERMIS DE TESTER LA QUALITE DES FILMS OBTENUS: MESURE DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE D'ATTAQUE PAR HF, CARACTERISATION ELECTRIQUE A L'AIDE DE STRUCTURES MOS. L'ANALYSE CHIMIQUE, EFFECTUEE ESSENTIELLEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, MONTRE QUE LES FILMS POSSEDANT DES PROPRIETES PHYSIQUES INTERESSANTES ONT UNE STRUCTURE TRES PROCHE DE LA SILICE STCHIOMETRIQUE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PRECEDENTS ONT PERMIS DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE DE COUCHES REALISEES, A TITRE COMPARATIF, A PARTIR DU SILANE, A CONDUIT A DES RESULTATS TRES DIFFERENTS. EN UTILISANT LE SILANE, LA FORMATION DU FILM EST PRINCIPALEMENT CONTROLEE PAR DES REACTIONS INITIEES DANS LE PLASMA. POUR LES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES, LA CROISSANCE EST CONTROLEE PAR DES REACTIONS SE DEROULANT A LA SURFACE DU SUBSTRAT. DANS CE CAS LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION JOUENT UN ROLE PRIMORDIAL. UN MECANISME REACTIONNEL COMPLET A ETE PROPOSE POUR LES DEPOTS REALISES A PARTIR DE HMDSO. L'ETUDE DES RECOUVREMENTS DE MARCHE A PERMIS D'ETABLIR UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LE MODE DE CROISSANCE ET LA CONFORMITE DU DEPOT. LE RECOUVREMENT DE MARCHES PAR LES FILMS REALISES A PARTIR DU SILANE EST CARACTERISTIQUE D'UNE CROISSANCE ISOTROPE, ET DONC DE TRES MAUVAISE QUALITE. UNE AMELIORATION TRES NETTE DE CE RECOUVREMENT, CONTROLE PAR LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION, EST OBSERVEE POUR LES DEPOTS OBTENUS A PARTIR DES COMPOSES ORGANOSILICIES
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CE MEMOIRE A POUR SUJET L'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES (HMDSO ET TEOS). L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR DE DEPOT SUR LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES A MONTRE L'IMPORTANCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. QUEL QUE SOIT LE PRECURSEUR GAZEUX UTILISE, CETTE VITESSE DECROIT SENSIBLEMENT AVEC LA TEMPERATURE. DIFFERENTES TECHNIQUES D'ANALYSE ONT PERMIS DE TESTER LA QUALITE DES FILMS OBTENUS: MESURE DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE D'ATTAQUE PAR HF, CARACTERISATION ELECTRIQUE A L'AIDE DE STRUCTURES MOS. L'ANALYSE CHIMIQUE, EFFECTUEE ESSENTIELLEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, MONTRE QUE LES FILMS POSSEDANT DES PROPRIETES PHYSIQUES INTERESSANTES ONT UNE STRUCTURE TRES PROCHE DE LA SILICE STCHIOMETRIQUE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PRECEDENTS ONT PERMIS DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE DE COUCHES REALISEES, A TITRE COMPARATIF, A PARTIR DU SILANE, A CONDUIT A DES RESULTATS TRES DIFFERENTS. EN UTILISANT LE SILANE, LA FORMATION DU FILM EST PRINCIPALEMENT CONTROLEE PAR DES REACTIONS INITIEES DANS LE PLASMA. POUR LES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES, LA CROISSANCE EST CONTROLEE PAR DES REACTIONS SE DEROULANT A LA SURFACE DU SUBSTRAT. DANS CE CAS LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION JOUENT UN ROLE PRIMORDIAL. UN MECANISME REACTIONNEL COMPLET A ETE PROPOSE POUR LES DEPOTS REALISES A PARTIR DE HMDSO. L'ETUDE DES RECOUVREMENTS DE MARCHE A PERMIS D'ETABLIR UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LE MODE DE CROISSANCE ET LA CONFORMITE DU DEPOT. LE RECOUVREMENT DE MARCHES PAR LES FILMS REALISES A PARTIR DU SILANE EST CARACTERISTIQUE D'UNE CROISSANCE ISOTROPE, ET DONC DE TRES MAUVAISE QUALITE. UNE AMELIORATION TRES NETTE DE CE RECOUVREMENT, CONTROLE PAR LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION, EST OBSERVEE POUR LES DEPOTS OBTENUS A PARTIR DES COMPOSES ORGANOSILICIES
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DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES.
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CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE DU PROCEDE D'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE EN PLASMA DE MELANGE OXYGENE/TETRAETHOXYSILANE (TEOS), DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HAUTE DENSITE, BASSE PRESSION DE TYPE HELICON. CE REACTEUR FONCTIONNE EN COUPLAGE INDUCTIF POUR LES PUISSANCES SUPERIEURES A 300 WATTS, AVEC DE FORTES DENSITES ELECTRONIQUES ET DE FAIBLES POTENTIELS. L'ETUDE DES PLASMAS D'OXYGENE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE ET SONDE DE LANGMUIR A PERMIS DE DETERMINER L'ION MAJORITAIRE ET LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU PLASMA. IL EST MONTRE QUE L'ACTINOMETRIE PEU ETRE UTILISEE POUR MESURER LA DENSITE D'ATOMES D'OXYGENE. ON OBTIENT DES TAUX DE DISSOCIATION DE LA MOLECULE INFERIEURS A 10%. ON EN DEDUIT UN COEFFICIENT DE RECOMBINAISON DES ATOMES D'OXYGENE SUR LES PAROIS EN ACIER DE L'ORDRE DE 0,1. LA CONNAISSANCE DE LA DENSITE DU PLASMA ET DE LA CONCENTRATION DES ATOMES D'OXYGENE EN FONCTION DE LA PUISSANCE, DE LA PRESSION ET DE LA POSITION DANS LE REACTEUR A PERMIS DE DETERMINER LES FLUX DE PARTICULES ET DE DEFINIR DES CONDITIONS FAVORABLES AU DEPOT. L'INTRODUCTION DU TEOS DANS LES PLASMAS D'OXYGENE PROVOQUE UNE DIMINUTION DE LA DENSITE ET DE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE. LES SPECTRES D'EMISSION OPTIQUE SONT SOIGNEUSEMENT INDEXES. LES VARIATIONS DES INTENSITES D'EMISSIONS DES ESPECES DETECTEES SONT CORRELEES A LA MODIFICATION DE LA COMPOSITION DE LA COUCHE MINCE OBTENUE. LES FILMS DEPOSES SUR SILICIUM SONT CARACTERISES PAR ABSORPTION INFRAROUGE, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET GRAVURE CHIMIQUE LIQUIDE (P-ETCH). LES OXYDES DE SILICIUM OBTENUS DANS LES MELANGES O2/TEOS SONT DE BONNE QUALITE POUR DES TAUX DE TEOS INFERIEURS A 0,1, LORSQUE LA CINETIQUE EST LIMITEE PAR LE FLUX DE PRECURSEUR SUR LA SURFACE. POUR LES TAUX PLUS ELEVES, LA VITESSE DE DEPOT SATURE ET LES ELEMENTS CARBONES SONT OBSERVES DANS LES COUCHES.
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DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES
Author: Minh-Tri Ta Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 248
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Ce travail est consacré à la croissance sur substrat de silicium de films minces d’oxydes d’yttrium (Y2O3) et l’oxyde de cérium (CeO2). La technique de dépôt utilisée est la pulvérisation cathodique RF magnétron. Y2O3 est déposé à partir d’une cible d’yttrium métallique, la pulvérisation s’effectuant à partir d’un mélange gazeux Argon / Oxygène. Les couches minces d’oxyde de cérium sont obtenues par pulvérisation d’une cible de CeO2 par de l’Argon. La température de croissance est comprise entre 200 °C et 800 °C. Le recuit éventuel des films d’oxyde est effectué soit par un recuit thermique conventionnel, soit par une technique de recuit rapide. Dans un 1er temps, nous présentons, en fonction des paramètres de croissance, les propriétés structurales extraites de mesures de diffraction de rayons X et de spectroscopie Raman. Dans un 2e temps sont exposés les résultats des mesures électriques de type capacité-tension effectués sur les condensateurs de type MOS à base des couches d’Y2O3 et de CeO2. Leur analyse permet de qualifier et quantifier les défauts électriquement actifs que sont les charges dans l’oxyde et les états à l’interface oxyde / silicium, dont la densité dépend des conditions de croissance et de recuit. Finalement, une étude de la sensibilité de ces dispositifs aux rayonnements gamma et aux neutrons est présentée. Une corrélation est faite entre la qualité cristalline des couches minces, la densité de charges tant dans l’oxyde qu’à l’interface oxyde/silicium et la sensibilité des dispositifs. Ces résultats montrent en particulier que pour les condensateurs à base d’Y2O3, des densités de défauts importantes confèrent une plus grande sensibilité aux rayons gamma
Author: Christian Godet Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 373
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CARACTERISATION DE COUCHES MINCES SI ET GE NANOCRISTALLINES (MICROCRISTALLINES) DEPOSEES A L'AIDE DE DECHARGES LUMINESCENTES DANS LES MELANGES (SIH::(4), H::(2)) ET (GEH::(4), H::(2)). LE CHOIX DE H::(2) COMME GAZ PORTEUR ET LE CONTROLE DE LA POLARISATION DES SUPPORTS PERMETTENT D'ETUDIER DEUX TYPES D'INTERACTION A L'INTERFACE PLASMA SOLIDE: LA GRAVURE PREFERENTIELLE DE LA PHASE AMORPHE RESIDUELLE PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE ET LE BOMBARDEMENT DE LA SURFACE PAR LES IONS POSITIFS. ETUDE DE L'HISTOIRE (GERMINATION ET CROISSANCE) LES FILMS PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE IN-SITU ET CONCLUSIONS QUI PEUVENT EN ETRE TIREES
Author: José Camargo Da Costa Publisher: ISBN: Category : Languages : en Pages :
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DESCRIPTION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL. PRESENTATION DES RESULTATS DES ANALYSES PHYSICOCHIMIQUES (SPECTROMETRIE AUGER, SIMS, XPS, SPECTROMETRIE IR, REVELATION CHIMIQUE, ELLIPSOMETRIE, TEM HAUTE RESOLUTION) REALISEES SUR LES COUCHES MINEES OBTENUES, EVALUATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES D'OXYDE NITRURE PAR DES MESURES C(V) ET I(V) SUR DES CONDENSATEURS MOS. ETUDES PRELIMINAIRES SUR LA RESISTANCE DE CES OXYDES AUX RAYONNEMENTS IONISANT ET SUR LES PROPRIETES DE BARRIERE A L'OXYDATION DES COUCHES OBTENUES PAR NITRURATION PLASMA DU SILICIUM
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CETTE THESE A POUR BUT D'ETUDIER LE PROCEDE DE DEPOT, DANS UN REACTEUR PLASMA DE COUCHES MINCES D'OXYDES DES SILICIUM. LA SOURCE EST UNE DECHARGE MICRO-ONDES ENTRETENUE PAR UNE ONDE DE SURFACE A 2,45 GHZ. LE SUBSTRAT EST PLACE EN PROCHE POST-DECHARGE ET N'EST DONC PAS EXPOSE A UNE TEMPERATURE ELEVEE. LES GAZ UTILISES SONT L'ARGON, L'OXYGENE ET UN ORGANOSILICIE, L'HEXAMETHYLDISILOXANE HMDSO : O(SI(CH 3) 3) 2. CETTE ETUDE A ETE CONSACREE AUSSI BIEN A LA CARACTERISATION DE LA PHASE GAZEUSE, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SPECTROMETRIE DE MASSE, QU'A L'ANALYSE DES COUCHES MINCES PAR SPECTROSCOPIE INFRA-ROUGE A TRANSFORMEE DE FOURIER, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE ET GRAVURE CHIMIQUE. LA DILUTION DU MONOMERE HMDSO DANS LE MELANGE GAZEUX INITIAL INFLUE CONSIDERABLEMENT SUR LES ESPECES PRESENTES DANS LA PHASE GAZEUSE ET DONC SUR LA NATURE DU MATERIAU DEPOSE. A FORTE DILUTION DE L'ORGANOSILICIE DANS L'OXYGENE, LE HMDSO EST FRAGMENTE ET OXYDE ET ON OBTIENT DES COUCHES MINCES DE TYPE SIO 2. MAIS LORSQUE L'OXYGENE EST DILUE DANS LE MONOMERE, LA DISSOCIATION DE CE DERNIER N'EST PAS SUFFISANTE ET ON DEPOSE ALORS DES FILMS A CARACTERE ORGANIQUE SIO XC YH Z. DES CORRELATIONS ENTRE LA PRESENCE DES ESPECES EXCITEES OH ET CH DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION RESPECTIVEMENT DE SILANOL ET D'HYDROCARBURES DANS LES COUCHES MINCES ONT PU ETRE ETABLIES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE LA PUISSANCE MICRO-ONDES ET DE LA PRESSION SUR LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET LES FILMS ELABORES. CELA A PERMIS DE FAIRE APPARAITRE DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT DU REACTEUR : NOUS AVONS CONSTATE L'EXISTENCE D'UNE PRESSION MAXIMALE AU DESSUS DE LAQUELLE DES POUDRES SE FORMENT DANS LE GAZ ET LES PROPRIETES DE CES FILMS SONT ALTEREES. DE MANIERE GENERALE, LES COUCHES MINCES SE SONT REVELEES POREUSES. MAIS, GRACE A LA POLARISATION RADIO-FREQUENCE (13,56 MHZ) DU PORTE-SUBSTRAT, IL A ETE POSSIBLE D'ELABORER DES FILMS PLUS DENSES ET CE A DES VITESSES PLUS RAPIDES (300 NM/MIN).
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CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE GENERAL DES RECHERCHES RELATIVES A LA PHYSICOCHIMIE DES SURFACES ET INTERFACES DU SILICIUM. L'APPROCHE PRIVILEGIEES EST D'ACCEDER A UNE NOUVELLE CONNAISSANCE DE LEUR STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DES LIAISONS CHIMIQUES MISES EN JEU. L'OBJECTIF DE L'ETUDE PLUS SPECIFIQUEMENT, PAR ANALYSE AUGER ET SPECTROSCOPIE DE PERTES, L'INFLUENCE DU BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE SUR L'OXYDATION DE LA FACE (100) DU SILICIUM MONOCRISTALLIN, A TEMPERATURE AMBIANTE. AU-DELA LA CARACTERISATION DU MODE DE FORMATION DE L'INTERFACE SI-SIO#2, LA QUESTION PRINCIPALE CONCERNE LA POSSIBILITE D'UTILISER DE TELS OXYDES ULTRA-MINCES DANS L'ELABORATION DE STRUCTURES DU TYPE POS. PLUSIEURS CONCLUSIONS SE DEGAGENT DE CE TRAVAIL. LA PREMIERE EST UNE CONFIRMATION DE L'EFFICACITE DES ELECTRONS DANS LE PROCESSUS D'OXYDATION ET DU ROLE DETERMINANT DES SECONDAIRES. APRES QUE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES EXPERIMENTAUX AIT ETE ANALYSEE, LA MISE EN UVRE CONJOINTE DE L'AES ET DE L'ELS PERMET DE DECRIRE L'OXYDE FORME EN SURFACE DE SI (100) COMME UNE SILICE PROBABLEMENT DESORDONNEE AVEC UNE COUCHE D'INTERFACE FORMEE D'UN MELANGE D'ENTITES SIO#X SOUS-STOECHIOMETRIQUES EN CONFORMITE AVEC UN MODELE RBM (RANDOM BONDING MODEL). ENFIN, L'ETUDE DE LA CROISSANCE DU COBALT, A TEMPERATURE AMBIANTE, SUR CET OXYDE ELECTRONIQUE ET EN MODE THERMIQUE D'EPAISSEUR EQUIVALENTE MET EN EVIDENCE UNE MOINS BONNE TENUE DE L'OXYDE ELECTRONIQUE DEVANT LA POSSIBILITE DE DIFFUSION DU METAL
Author: CHRISTIAN.. BOURREAU
Author: CHRISTIAN.. BOURREAU
Author: Christophe Vallée
Author: FREDERIC.. NICOLAZO
Author: Christophe Vallée (microélectronicien).)
Author: Minh-Tri Ta
Author: Christian Godet
Author: Alexandre Guiller
Author: José Camargo Da Costa
Author: NADIA.. BENISSAD
Author: BENAFGOUI.. SEFSAF