Author: Frédéric Robin Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 235
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L'objectif de l'étude présentée dans ce mémoire est de proposer une technique permettant d'améliorer la linéarité de l'amplificateur en maintenant un rendement électrique élevé pour des signaux à enveloppe variable. L'étude développée sur le rendement a permis de vérifier que la technique de contrôle dynamique de la polarisation de l'amplificateur en fonction de l'enveloppe du signal permet d'obtenir un rendement théorique maximal en bi-porteuses égal à celui obtenu en mono porteuse avec une polarisation fixe. Du point de vue de la linéarité, des résultats de simulation et de mesure ont montré que le choix de la valeur de l'impédance basse fréquence présentée au transistor joue un rôle prépondérant sur la linéarité. Un banc de mesure spécifique a été développé et a permis de montrer que les meilleures performances sont obtenues par la modification dynamique de la tension de drain en fonction de l'enveloppe En effet, l'injection d'un signal basse fréquence modifie la saturation et le pincement du transistor et donc sa linéarité. A partir de ces études, la technique de contrôle dynamique a été implémentée sur un prototype utilisant un transistor MESFET AsGa à une fréquence de 900MHz. Des améliorations tant en rendement qu'en linéarité pour un signal constitué de deux sinusoïdes (rapport C/I) ou modulés (ACPR) ont été mesurées par rapport à une polarisation fixe, quelque soit la classe de fonctionnement.
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L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT INDISPENSABLE POUR LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. APRES LA DESCRIPTION DES MOYENS DE CARACTERISATIONS DE TRANSISTORS DE PUISSANCE DISPONIBLES AU SEIN DU LABORATOIRE, LES DEVELOPPEMENTS DE METHODOLOGIES ET D'OUTILS DE SIMULATION ET D'OPTIMISATION ET DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE SONT PRESENTES. LES POTENTIALITES DU TBH POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT A 1.8 GHZ SONT EVALUEES PAR L'UTILISATION INTENSIVE DES OUTILS D'OPTIMISATION DEVELOPPES. UN MODE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN RENDEMENT SPECIFIQUE AU TBH EST DEMONTRE. ENSUITE, LES PERFORMANCES THEORIQUES EN TERMES DE PUISSANCE, DE RENDEMENT ET DE LINEARITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION ET D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DIMENSIONS SIMILAIRES SONT COMPARES. DES VALIDATIONS EXPERIMENTALES POUR UN FONCTIONNEMENT EN MONOPORTEUSE ET EN BIPORTEUSE SONT PRESENTEES. DEUS CONCEPTIONS D'AMPLIFICATEURS A BASE DE TBH EN BANDE L ET S RESPECTIVEMENT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MMIC SONT DECRITES DANS CE MEMOIRE. LES MESURES EFFECTUEES SUR L'AMPLIFICATEUR EN TECHNOLOGIE HYBRIDE CONFIRMENT LES POTENTIALITES DU TBH DANS LE DOMAINE DES RADIOCOMMUNICATIONS. EN EFFET, UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 77% A ETE MESURE POUR UNE FAIBLE POLARISATION DE SORTEI (3,3 V)
Author: Tony Gasseling Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 229
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Le travail présenté dans ce mémoire propose une contribution à la conception optimisée d'amplificateurs de puissance par l'utilisation de plusieurs caractérisations fonctionnelles. Celles ci sont réalisées aux premiers stades de la conception, au niveau du transistor en environnement source et load pull. Il est ainsi montré qu'un banc load pull fonctionnant en mode pulsé permet de participer à la validation des technologies utilisées pour la génération de fortes puissances aux fréquences microondes (Bande S). Cette étape permet également de valider fortement les modèles non linéaires électrothermiques des transistors développés à cet effet. Dans le domaine millimétrique, l'amplification de puissance sous contrainte de rendement et de linéarité est à l'heure actuelle un des points critiques du fait des faibles réserves de gain proposées. Dans ce contexte, le développement d'un banc source et load pull actif fonctionnant en bande K et permettant de déterminer les conditions optimales de polarisation et d'adaptation pour l'obtention du meilleur compromis rendement/linéarité se révèle être de première importance pour la conception optimisée d'amplificateur. Enfin, une nouvelle technique de caractérisation dédiée à l'extraction des quatre paramètres S à chaud en environnement load pull est proposée. Une application de cette nouvelle caractérisation a ainsi permis de prédire les oscillations paramétriques hors bande pouvant apparaître en fonction des conditions opératoires lorsque le transistor fonctionne en régime fort signal
Author: Claude Cohen-Tannoudji Publisher: John Wiley & Sons ISBN: 3527345558 Category : Science Languages : en Pages : 790
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This new, third volume of Cohen-Tannoudji's groundbreaking textbook covers advanced topics of quantum mechanics such as uncorrelated and correlated identical particles, the quantum theory of the electromagnetic field, absorption, emission and scattering of photons by atoms, and quantum entanglement. Written in a didactically unrivalled manner, the textbook explains the fundamental concepts in seven chapters which are elaborated in accompanying complements that provide more detailed discussions, examples and applications. * Completing the success story: the third and final volume of the quantum mechanics textbook written by 1997 Nobel laureate Claude Cohen-Tannoudji and his colleagues Bernard Diu and Franck Laloë * As easily comprehensible as possible: all steps of the physical background and its mathematical representation are spelled out explicitly * Comprehensive: in addition to the fundamentals themselves, the books comes with a wealth of elaborately explained examples and applications Claude Cohen-Tannoudji was a researcher at the Kastler-Brossel laboratory of the Ecole Normale Supérieure in Paris where he also studied and received his PhD in 1962. In 1973 he became Professor of atomic and molecular physics at the Collège des France. His main research interests were optical pumping, quantum optics and atom-photon interactions. In 1997, Claude Cohen-Tannoudji, together with Steven Chu and William D. Phillips, was awarded the Nobel Prize in Physics for his research on laser cooling and trapping of neutral atoms. Bernard Diu was Professor at the Denis Diderot University (Paris VII). He was engaged in research at the Laboratory of Theoretical Physics and High Energy where his focus was on strong interactions physics and statistical mechanics. Franck Laloë was a researcher at the Kastler-Brossel laboratory of the Ecole Normale Supérieure in Paris. His first assignment was with the University of Paris VI before he was appointed to the CNRS, the French National Research Center. His research was focused on optical pumping, statistical mechanics of quantum gases, musical acoustics and the foundations of quantum mechanics.
Author: Matteo Meneghini Publisher: Springer ISBN: 3319431994 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 383
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This book presents the first comprehensive overview of the properties and fabrication methods of GaN-based power transistors, with contributions from the most active research groups in the field. It describes how gallium nitride has emerged as an excellent material for the fabrication of power transistors; thanks to the high energy gap, high breakdown field, and saturation velocity of GaN, these devices can reach breakdown voltages beyond the kV range, and very high switching frequencies, thus being suitable for application in power conversion systems. Based on GaN, switching-mode power converters with efficiency in excess of 99 % have been already demonstrated, thus clearing the way for massive adoption of GaN transistors in the power conversion market. This is expected to have important advantages at both the environmental and economic level, since power conversion losses account for 10 % of global electricity consumption. The first part of the book describes the properties and advantages of gallium nitride compared to conventional semiconductor materials. The second part of the book describes the techniques used for device fabrication, and the methods for GaN-on-Silicon mass production. Specific attention is paid to the three most advanced device structures: lateral transistors, vertical power devices, and nanowire-based HEMTs. Other relevant topics covered by the book are the strategies for normally-off operation, and the problems related to device reliability. The last chapter reviews the switching characteristics of GaN HEMTs based on a systems level approach. This book is a unique reference for people working in the materials, device and power electronics fields; it provides interdisciplinary information on material growth, device fabrication, reliability issues and circuit-level switching investigation.
Author: Frédéric Robin
Author: Alain Mallet
Author: Tony Gasseling
Author: Claude Cohen-Tannoudji
Author: Matteo Meneghini
Author: Canada. Patent Office