Author: Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 129
Book Description
Contribution è l'étude des phénomènes de diffusion de l'aluminum dans le silicium
Author: Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de passivation des défauts par diffusion de cuivre et d'aluminium dans du silicium polycristallin
Author: Mohammed ZehafPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 192
Book Description
ETUDE DE LA CORRELATION ENTRE LA VARIATION DES PROPRIETES ELECTRONIQUES (LONGUEUR DE DIFFUSION, VITESSE DE RECOMBINAISON INTERFACIALE DES JOINTS, MOBILITE, PHOTOCONDUCTIVITE...) ET LES VARIATIONS DE DENSITES DE DEFAUTS OU DE CONCENTRATION EN IMPURETES. ON MET EN EVIDENCE L'EFFET DU CUIVRE DANS LE CAS DE MATERIAUX CONTENANT DE L'OXYGENE ET DE L'ALUMINIUM DANS CEUX CONTENANT DES DISLOCATIONS DONT IL INHIBE L'ACTIVITE DE RECOMBINAISON
Contribution à l'étude des phénomènes d'électromigration dans l'aluminium, le ferrosilicium à 3,1% de silicium
Author: Ahmed NiaziPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 137
Book Description
ETUDE DE L'ELECTRODIFFUSION DANS AL(99,99%) ET DANS LE FERROSILICIUM (3,1%SI) EN CONSIDERANT LES DIFFERENTS ASPECTS DE L'INFLUENCE DU CHAMP ELECTRIQUE SUR LA MASSE METALLIQUE, LA SOUS-STRUCTURE DE POLYGONISATION ET LES JOINTS DE GRAINS. DESCRIPTION DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES UTILISEES DONT CERTAINES SONT ORIGINALES. POUR AL: LES SOUS-JOINTS DE LA SOUS-STRUCTURE DE POLYGONISATION SE DEPLACENT EN BLOC VERS LA CATHODE; LES JOINTS QUANT A EUX MIGRENT VERS L'ANODE D'UNE FACON QUI PEUT S'EXPLIQUER PAR LE FAIT QUE LE MOUVEMENT DU JOINT PRODUIT PAR LA PRESSION ISSUE DU COURANT ELECTRIQUE EST FREINE PAR ANCRAGE THERMIQUE. POUR LE FERROSILICIUM: LES SOUS-STRUCTURES DE POLYGONISATION MIGRENT EN BLOC VERS L'ANODE COMME LE RESEAU CRISTALLIN; MISE EN EVIDENCE D'UNE ANISOTROPIE MARQUEE POUR LES PHENOMENES D'ELECTROMIGRATION DES JOINTS DE GRAINS, LA DIRECTION DE LAMINAGE APPARAISSANT COMME LA DIRECTION DE MIGRATION LA PLUS AISEE
Contribution à l'étude de la nitruration de l'aluminium et du silicium par plasma d'azote en résonance cyclotronique électronique répartie
Author: Nicolas DuezPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 196
Book Description
Dans ce travail, les potentialites d'utilisation d'un plasma d'azote a la resonance cyclotronique electronique repartie (rcer) pour nitrurer l'aluminium et le silicium ont ete etudiees. La nitruration est une technique d'enrichissement en azote mettant en jeu a la fois une conversion chimique superficielle conduisant a la formation de nitrure, l'implantation d'especes reactives energetiques et une diffusion de l'azote en solution interstitielle. L'aluminium ou les alliages a base d'aluminium sont souvent choisis pour leur legerete et pour leur usinabilite aisee. Toutefois, l'utilisation de ce metal est limitee a cause de ses proprietes tribologiques mediocres. Dans le cadre du durcissement de ce metal, la formation d'une couche superficielle de nitrure apparait comme une bonne alternative. Le silicium est essentiellement employe pour des applications dans le domaine de l'electronique a cause de son caractere semi-conducteur. L'incorporation d'azote dans ce materiau permet entre autre d'en modifier les proprietes electroniques. Cette etude est essentiellement basee sur des analyses realisees par spectroscopie de photoelectrons induits par rayons x (xps). Les resultats sont renforces par des analyses complementaires realisees par microscopie electronique a balayage (meb), spectroscopie infrarouge a transformee de fourier (ftir), tensiometrie et nanoindentation. Les aspects mecanistiques de la nitruration de l'aluminium et du silicium sont abordes en prenant en compte les phenomenes d'implantation et de diffusion. Une estimation des coefficients de diffusion de l'azote et de l'oxygene dans l'aluminium est proposee.
DIFFUSION DU SILICIUM DANS LES COUCHES MINCES D'ALUMINIUM-CUIVRE DES CIRCUITS INTEGRES
Author: P.. DUMOULINPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 33
Book Description
PRINCIPAUX OBJECTIFS ENVISAGES DANS CETTE ETUDE: LA QUANTIFICATION DES PRINCIPAUX PHENOMENES REGISSANT LA DIFFUSION DU SILICIUM DANS LE FILM ALUMINIUM-CUIVRE, L'EXAMEN DE LA REPARTITION DES COEFFICIENTS DE DIFFUSION DANS LE DOMAINE DES T 250-500**(O)C ET LE CALCUL DE L'ENERGIE D'ACTIVATION CORRESPONDANTE; LA DETERMINATION DU ROLE JOUE PAR LE CUIVRE, PRESENT DANS L'ALUMINIUM SOUS FORME DE SOLUTION SOLIDE ET DE PRECIPITES AL::(2)CU. L'ETUDE PRESENTE NE CONCERNE QU'UNE ETAPE DE L'ELABORATION DU SEMICONDUCTEUR. LA DIFFUSION DU SILICIUM DANS LE FILM CONDUCTEUR A DES CONSEQUENCES SUR LES ETAPES SUIVANTES DU PROCEDE (GRAVURE CHIMIQUE DES MICROCIRCUITS D'ALUMINIUM CUIVRE, DEPOT D'UN DEUXIEME NIVEAU D'ALUMINIUM, EN CONTACT AVEC LE 1ER A TRAVERS UNE COUCHE DE SILICE). APPROCHE DE CES DIVERS PROBLEMES METTANT EN EVIDENCE L'ASPECT PLUS GENERAL DE CETTE ETUDE LOCALISEE
Dissertation Abstracts International
Author: Publisher:
ISBN:
Category : Dissertations, Academic
Languages : en
Pages : 596
Book Description
Etude de la thermomigration de l'aluminium dans le silicium pour la réalisation industrielle de murs d'isolation dans les composants de puissance bidirectionnels
Author: Benjamin MorillonPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 222
Book Description
Ce mémoire présente nos travaux sur la thermomigration de l'aluminium dans le silicium comme alternative à la diffusion bore pour la réalisation des murs d'isolation dans les composants de puissance bidirectionnels. Dans un premier temps, nous avons ainsi mis en évidence les limites de la diffusion du bore à l'état solide, limites dues essentiellement à son bilan thermique prohibitif. Parmi les solutions alternatives envisagées, la thermomigration de l'aluminium présente un certain nombre d'avantages parmi lesquels un bilan thermique très faible et un dopage élevé et constant. Le procédé consiste en la migration d'un alliage liquide A1/Si sous l'effet d'un gradient de température vertical avec cristallisation, dans le sillage de la goutte, d'une solution solide de silicium dopé aluminium (à 1019 at/cm3 environ). L'exigence de gradient thermique vertical impose l'utilisation d'un four de recuit rapide spécialement conçu à cet effet. L'étude expérimentale du phénomène nous a permis de mettre en évidence les problématiques " industrielles " liées au procédé et à l'équipement. Ainsi, l'utilisation nécessaire d'oxygène pendant le recuit de thermomigration pertube très fortement le déroulement du procédé et nous avons dû apporter des réponses nouvelles à ce problème, notamment en considérant les paramètres géométriques du motif d'aluminium. De même, l'analyse approfondie des résultats obtenus sur le four de laboratoire nous a permis de donner les spécifications d'un nouveau four en vue du transfert industriel de la thermomigration. Enfin, grâce à la maîtrise relative du procédé dans son ensemble, nous avons conçu et réalisé une structure nouvelle de puissance, le thyristor sur épitaxie, dont la fonction de tenue en tension inverse a été démontrée. Même si un certain nombre de problèmes restent en suspens, les résultats obtenus au cours de cette étude sont très prometteurs en vue d'une industrialisation future du procédé
Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de diffusion dans le silicium
Author: André FortiniScience Progress
Author: John Bretland FarmerPublisher:
ISBN:
Category : Science
Languages : en
Pages : 814
Book Description
Author: