Contribution à l'étude par microscopie électronique à transmission des interfaces ([gamma, gamma prime]) dans un superalliage à base de nickel PDF Download

Author: Jérôme Friedrich Aebersold
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Pages : 130

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Author: Abdelaziz Ati
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Pages : 117

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L'ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE DES PROPRIETES MECANIQUES DES SUPERALLIAGES GAMMA -GAMMA ' A BASE DE NICKEL INDIQUE A LA FOIS UNE ABONDANCE DE RESULTATS SUR LE COMPORTEMENT MACROSCOPIQUE ET DES LACUNES IMPORTANTES SUR LE ROLE DES DEFAUTS CRISTALLINS DES DEUX PHASES GAMMA -GAMMA ' DANS LA DEFORMATION. SUR LE SUPERALLIAGE INDUSTRIEL CMSX-2, OBTENU SOUS FORME DE BARREAUX MONOGRANULAIRES, DES ESSAIS ONT ETE REALISES EN FLUAGE PAR TRACTION SUR DES EPROUVETTES PLATES, ET EN COMPRESSION DYNAMIQUE SUR DES PARALLELEPIPEDES. DES RESULTATS NOUVEAUX ONT ETE OBTENUS, EN CONJUGUANT DES TECHNIQUES DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE ET DE SIMULATIONS NUMERIQUES, EN CE QUI CONCERNE LA STRUCTURE DES DEFAUTS LINEAIRES IMPLIQUES DANS LA DEFORMATION ET AUX INTERFACES. ENFIN, UN MODELE TRIDIMENSIONNEL DU CHAMP ELASTIQUE DES SUPERALLIAGES EST PROPOSE. IL PERMET DE QUANTIFIER LES EFFETS DE CONCENTRATION DE CONTRAINTES DUS A L'ECART PARAMETRIQUE DES DEUX PHASES

Author: SERGE GALAUP
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Languages : fr
Pages : 175

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L'ADAPTATION SUR LES MICROSCOPES ELECTRONIQUES EN TRANSMISSION DE SYSTEMES DISPERSIFS EN ENERGIE D'ELECTRONS ET DE NOUVEAUX DISPOSITIFS DE DETECTION (SYSTEMES SCINTILLATEUR-PHOTOMULTIPLICATEUR, RESEAUX DE PHOTODIODES OU CCD) PERMET D'ENVISAGER UNE DETERMINATION QUANTITATIVE PRECISE DE LA CONTRIBUTION DES PROCESSUS DE DIFFUSION ELASTIQUE ET INELASTIQUE A LA FORMATION DES IMAGES ET DES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE. ELLE CONSTITUE UNE ETAPE ESSENTIELLE POUR LA CONNAISSANCE DE L'ORDRE DANS LA MATIERE A L'ECHELLE ATOMIQUE. LE DEVELOPPEMENT RECENT DE SYSTEMES DE FILTRAGE D'IMAGES CONFIRME CET INTERET, CEPENDANT LES SYSTEMES PROPOSES RESTENT ONEREUX ET SONT ENCORE PEU ACCESSIBLES. A PARTIR D'UN SYSTEME DISPERSIF CONSTITUE D'UN PRISME MAGNETIQUE, DISPOSE SOUS LA COLONNE D'UN MICROSCOPE, NOUS AVONS DEVELOPPE UN SYSTEME DE FILTRAGE EN ENERGIE DES INTENSITES. IL EST EXPLOITABLE LORSQUE L'INFORMATION UTILE EST DISTRIBUEE SUIVANT UNE DIRECTION COMME C'EST LE CAS DANS LES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION ELECTRONIQUE OU DANS LES IMAGES DE RESEAUX DE FRANGES ET D'INTERFACES. DANS NOTRE MONTAGE LE MICROSCOPE EST PILOTE PAR UN MICROORDINATEUR QUI PERMET DE COMMANDER LA DEFLEXION DU DIAGRAMME OU DE L'IMAGE DEVANT L'OUVERTURE D'ENTREE DU SPECTROMETRE UTILISE COMME MONOCHROMATEUR. CET ORDINATEUR EST INTERFACE AVEC LE SPECTROMETRE POUR L'ACQUISITION ET LE TRAITEMENT DES DONNEES. LE SYSTEME DE COMPTAGE SCINTILLATEUR-PHOTOMULTIPLICATEUR POSSEDE UNE DYNAMIQUE SUFFISAMMENT LARGE (6 DECADES) POUR PERMETTRE LE TRAITEMENT DE LA PLUPART DES TYPES DE PROFILS D'INTENSITE OBTENUS A PARTIR DES IMAGES OU DES DIAGRAMMES. LE SYSTEME PEUT ETRE UTILISE POUR ETUDIER LES PROCESSUS DE DIFFUSION ELASTIQUE ET INELASTIQUE ET LEUR CONTRIBUTION A LA FORMATION DES IMAGES ET DES DIAGRAMMES DE DIFFRACTION. UNE DES APPLICATIONS IMPORTANTES DE CE DISPOSITIF CONCERNE LA DETERMINATION DE L'ORDRE A COURTE DISTANCE DANS LES MATERIAUX AMORPHES OU POLYCRISTALLINS. ELLE PEUT ETRE FAITE AVEC UNE PRECISION DE 3.10#-#3 NM POUR DES VALEURS DE CES DISTANCES ALLANT JUSQU'A 1,2 NM. ELLE A ETE UTILISEE POUR L'ETUDE DE MATERIAUX CERAMIQUES.

Author: Hélène Héral
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Languages : fr
Pages : 137

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OBSERVATION DES STRUCTURES GAAS/GAAS, ALGAAS/GAAS, GAINP/GAAS ET ISOLANT/SEMICONDUCTEUR. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES DEPOSEES ET DES INTERFACES MIS EN JEU. CARACTERISATION DES DEFAUTS DE COMPOSITION CHIMIQUE ET DES DEFAUTS CRISTALLINS

Author: Pierre Ruterana
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Languages : fr
Pages : 198

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NOUS AVONS SURTOUT UTILISE LE MODE "HAUTE RESOLUTION" SUR UN MICROSCOPE A 200KV. LA RESOLUTION OBTENUE ETAIT DE 2.4 A. LA TECHNIQUE DE PEPARATION D'ECHANTILLONS QUE NOUS AVONS MISE AU POINT POUR L'ETUDE DU PROCEDE DE PASSIVATION (SI::(3)N::(4)/GAAS) NOUS A PERMIS DE CARACTERISER DANS DE TRES BONNES CONDITIONS LES MULTICOUCHES POUR RAYONS X MOUS ET LES HETEROSTRUCTURES DE CROISSANCE EPITAXIALE. CE TRAVAIL FUT UN SUIVI DES PROCEDES EN CONJUGAISON AVEC D'AUTRES TECHNIQUES DE CARACTERISATION. LA COMPARAISON DES RESULTATS DE CES DIVERSES TECHNIQUES NOUS A PERMIS D'APPREHENDER LA CHIMIE ET LA PHYSIQUE DES INTERFACES DANS LES MATERIAUX ETUDIES

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Pages : 0

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Author: NAJEH.. THABET-MLIKI
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Languages : fr
Pages : 196

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LES PROPRIETES PHYSIQUES DES MULTICOUCHES INTERESSENT PLUSIEURS DOMAINES DE LA PHYSIQUE (OPTIQUE, MAGNETISME PAR EXEMPLE). POUR UTILISER CES MULTICOUCHES AU MIEUX IL EST INDISPENSABLE DE BIEN CONNAITRE LA STRUCTURE DES DIFFERENTES COUCHES AINSI QUE LA MORPHOLOGIE DES INTERFACES ENTRE LES COMPOSANTS DE LA MULTICOUCHE. NOUS AVONS ETUDIE DEUX TYPES DE MULTICOUCHES QUI ONT DES STRUCTURES TRES DIFFERENTES: A) DES MULTICOUCHES AMORPHES QUI TROUVENT LEURS APPLICATIONS DANS LE DOMAINE DE L'OPTIQUE INTERFERENTIELLE DE RAYONS X: (MO/SI)#N, (W/SI)#M (PERIODE D'ENVIRON 10 NM), B) DES MULTICOUCHES METALLIQUES MAGNETIQUES DONT LES APPLICATIONS TECHNOLOGIQUES POTENTIELLES SONT PRINCIPALEMENT DANS LE DOMAINE DE L'ENREGISTREMENT VERTICAL A HAUTE DENSITE: (AU/CO)#N (PERIODE D'ENVIRON 2 NM). NOUS PRESENTONS DANS CE TRAVAIL LES RESULTATS DE L'ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DE CES MULTICOUCHES OBSERVEES DE FACE ET SUR LA TRANCHE. COMME L'INTERPRETATION DES MICROGRAPHIES D'OBJETS AUSSI MINCES (COUCHE INDIVIDUELLE DE QUELQUES PLANS ATOMIQUES) EST DIFFICILE NOUS AVONS ETUDIE, POUR LES MULTICOUCHES (AU/CO)#N, LA VISIBILITE DES DETAILS SUR LES COUCHES DE COBALT EN FAISANT DE LA SIMULATION D'IMAGES A PARTIR DE MODELES. CES CALCULS PERMETTENT DE RAISONNABLEMENT INTERPRETER LES IMAGES OBTENUES. NOUS AVONS AINSI OBTENU, D'UNE PART, DES INFORMATIONS SUR LA STRUCTURE DE CHAQUE MATERIAU EN PRESENCE, D'AUTRE PART, UNE DESCRIPTION PRECISE DES COUCHES ET DES INTERFACES ENTRE LES DIFFERENTS MATERIAUX

Author: Abdelhadi Alimoussa
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Languages : fr
Pages : 191

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CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE MICROSTRUCTURALE DE FILMS MINCES SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE. LES TECHNIQUES UTILISEES POUR CETTE ETUDE SONT PRINCIPALEMENT LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION CONVENTIONNELLE ET EN HAUTE RESOLUTION. DIVERS POINTS SE SONT RAPIDEMENT REVELES ESSENTIELS DANS L'ELABORATION DE COUCHES MINCES DE HAUTES PERFORMANCES, EN PARTICULIER LE CHOIX DU SUBSTRAT ET CONDITIONS DE DEPOTS LIEES A LA TECHNIQUE UTILISEE, MAIS TOUS CONVERGENT VERS UNE MEME NECESSITE: LA MAITRISE DE LA CROISSANCE DE LA COUCHE. LA CARACTERISATION DE L'INTERFACE FILM-SUBSTRAT OU DES INTERFACES ENTRE DIFFERENTES COUCHES DANS LE CAS DE DEPOTS MULTICOUCHES S'EST ALORS AVEREE ESSENTIELLE. NOTRE ETUDE A PORTE SUR DES FILMS MINCES SUPRACONDUCTEURS A COMPOSE UNIQUE AINSI QUE SUR DES FILMS MULTICOUCHES A DEUX COMPOSES. DANS LES FILMS DEPOSES SUR UN SUBSTRAT DE ZRO#2, NOUS RAPPORTONS LA PRESENCE D'UNE COUCHE INTERMEDIAIRE A L'INTERFACE FILM-SUBSTRAT. CETTE COUCHE, DE COMPOSITION BAZRO#3, DETERIORE SENSIBLEMENT LES QUALITES ELECTRIQUES ET CRISTALLINES DU FILM SUPRACONDUCTEUR EN CREANT DES PHASES PARASITES NON SUPRACONDUCTRICES. LE SUBSTRAT SRTIO#3 FAVORISE PAR CONTRE UNE CROISSANCE EPITAXIALE DE LA COUCHE. L'ETUDE DE FILMS MULTICOUCHES A BASE DE YBA#2CU3O#7#-# ET LA#2#-#XSR#XCUO#4 A MIS EN EVIDENCE DES DIFFERENCES DE RUGOSITE D'INTERFACE SUIVANT LA SEQUENCE D'EMPILEMENT. CE RESULTAT A ETE INTERPRETE AU TRAVERS DE L'EXAMEN DE LA CROISSANCE DE COUCHES SIMPLES DE LA#2#-#XSR#XCUO#4. DES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE EN HAUTE RESOLUTION ONT PAR AILLEURS PERMIS DE MONTRER QUE TOUS CES INTERFACES DEMEURAIENT ABRUPTS. NOUS PROPOSONS EGALEMENT DES MODELES D'INTERFACES REALISES AU MOYEN DE SIMULATIONS NUMERIQUES D'IMAGES

Author: Joon-Mo Kang
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Languages : fr
Pages : 272

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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE LA RELAXATION PAR LES DISLOCATIONS D'INTERFACE DANS LES HETEROSTRUCTURES SEMICONDUCTRICES A FORT DESACCORD PARAMETRIQUE. DES CALCULS UTILISANT L'ELASTICITE ANISOTROPE MONTRENT QUE LES DISLOCATIONS D'INTERFACE DE TYPE 90 SONT PLUS EFFICACES POUR LA RELAXATION QUE CELLES DE TYPE 60. LA DIFFERENCE D'EFFICACITE ENTRE LES DEUX AUGMENTE AVEC LE DESACCORD PARAMETRIQUE. CES CALCULS PREVOIENT QU'UN ETAT RELAXE PARTIELLEMENT EST ENERGETIQUEMENT PLUS STABLE QUE CELUI PARFAITEMENT RELAXE. AFIN D'INTERPRETER LES IMAGES DE DISLOCATIONS OBTENUES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION (MET), DES SIMULATIONS ONT ETE EFFECTUEES. CES SIMULATIONS MONTRENT QUE LES FRANGES DE MOIRE MASQUENT D'AUTANT PLUS LE RESEAU DE DISLOCATIONS QUE LE DESACCORD PARAMETRIQUE EST IMPORTANT. LA VISUALISATION SIMULTANEE DE DEUX RESEAUX ORTHOGONAUX DE DISLOCATIONS PAR UNE EXCITATION DU FAISCEAU NON-SYSTEMATIQUE EST CONFIRMEE COMME UNE TECHNIQUE EFFICACE POUR ETUDIER L'ORIGINE DES DEFAUTS. LES CARACTERISATIONS PAR MET EFFECTUEES SUR LES HETEROSTRUCTURES GAAS/SI ET GASB/GAAS MONTRENT QUE LES DEFAUTS DE VOLUME SONT DIRECTEMENT LIES AUX IMPERFECTIONS DU RESEAU DE DISLOCATIONS D'INTERFACE. DES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN HAUTE RESOLUTION MONTRENT PAR AILLEURS DES RELAXATIONS PARTIELLES DANS LES DEUX SYSTEMES

Author: Marie-Thérèse Gaborit de Montjou
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Languages : fr
Pages : 60

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