Author: Jérôme DepeyrotPublisher:
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Languages : fr
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Contribution a l'etude optique de l'effet Wannier-Stark dans les superreseaux semiconducteurs
Author: Jérôme DepeyrotCONTRIBUTION A L'ETUDE OPTIQUE DE L'EFFET WANNIER-STARK DANS LES SUPERRESEAUX SEMICONDUCTEURS
Author: JEROME.. DEPEYROTPublisher:
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Languages : fr
Pages : 181
Book Description
LE RAPPORT DES INTENSITES DES PICS 0 ET -1 DANS L'ECHELLE DE WANNIER-STARK EST MESURE SUR LES SPECTRES DE PHOTOLUMINESCENCE OBSERVES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DANS LE CAS DE SUPERRESEAUX GAAS-ALGAAS. LES RESULTATS OBTENUS METTENT EN EVIDENCE LA RELAXATION D'EXCITONS PIEGES SUR DES RUGOSITES D'INTERFACE LORSQUE LA TEMPERATURE T, EST COMPRISE ENTRE 20K ET 40K. PAR AILLEURS, LORSQUE T 50K, LA POPULATION D'EXCITONS DIRECTS ET OBLIQUES -1 N'EST PAS EN EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE: LES EXCITONS SE PIEGENT PREFERENTIELLEMENT DANS L'ETAT DIRECT ET NON DANS L'ETAT OBLIQUE COMME LE VOUDRAIT UNE STATISTIQUE D'EQUILIBRE. LA SUITE DE L'ETUDE EXPERIMENTALE, TOUJOURS EFFECTUEE A PARTIR DE MESURES DE PHOTOLUMINESCENCE, PORTE SUR DES SUPERRESEAUX GAINAS-ALGAINAS ACCORDES EN MAILLE SUR INP ET PRESENTANT UNE TRANSITION FONDAMENTALE VERS 1,55 MICRON A 300K. LES RUGOSITES D'INTERFACE PIEGENT LES EXCITONS PHOTOCREES A BASSE TEMPERATURE. LES FLUCTUATIONS, EN PARTICULIER DE COMPOSITION, LOCALISENT LES EXCITONS DANS DES REGIONS DU PLANDES COUCHES POUR LESQUELS LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU PUITS EST LA PLUS PETITE. ELLES ELARGISSENT LA RAIE DE PL ET CONDUISENT PAR AILLEURS AU CONFINEMENT DE LA FONCTION D'ONDE ELECTRONIQUE SUR UN PUITS DU SUPERRESEAU. L'ETAT BLOQUANT D'UN MODULATEUR ELECTRO-OPTIQUE PEUT-ETRE REALISE GRACE A LA TRANSITION OBLIQUE -1 ET DIRECTE DANS UNE STRUCTURE DE TYPE SUPERRESEAU COURT CONSTITUEE DE TROIS PUITS ET TERMINEE AUX DEUX EXTREMITES PAR DES BARRIERES EPAISSES. LE CALCUL NUMERIQUE DE L'EFFET D'UNE PERTURBATION PAIRE LINEAIRE, POUVANT ETRE REALISE PAR L'INTRODUCTION D'UNE MONOCOUCHE DE BERYLLIUM DEPOSEE AU MILIEU DU PUITS CENTRAL DE LA STRUCTURE, MONTRE QU'ON PEUT AUGMENTER LE CONTRASTE DU MODULATEUR D'ENVIRON 7DB. NOUS PROPOSONS UNE STRUCTURE DE COUCHES OPTIMISEE
L'EFFET STARK OPTIQUE DANS LES SEMICONDUCTEURS
Author: Manuel JoffrePublisher:
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Languages : fr
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L'OBJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DE L'EFFET STARK OPTIQUE DE L'EXCITON DANS LES SEMICONDUCTEURS, LES EXPERIENCES ETANT LIMITEES AUX CAS DE L'ARSENIURE DE GALLIUM MASSIF ET DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS. LE PHENOMENE APPARAIT POUR UNE EXCITATION LUMINEUSE DONT L'ENERGIE EST LEGEREMENT INFERIEURE A L'ENERGIE DE BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR ET PROVIENT D'UN COUPLAGE NON RESONNANT LUMIERE-MATIERE. IL SE TRADUIT PAR UN DECALAGE DES ENERGIES DE TRANSITION. LE COMPORTEMENT TEMPOREL DE L'EFFET STARK OPTIQUE EN REGIME FEMTOSECONDE MET EN EVIDENCE LA COMPLEXITE DE L'INTERPRETATION DES EXPERIENCES POMPE-TEST QUAND LA DUREE DES IMPULSIONS DEVIENT PLUS COURTE QUE LE TEMPS DE DEPHASAGE DE L'EXCITION. GENERALISANT LA THEORIE DU REGIME PERMANENT AU CAS DEPENDANT DU TEMPS, NOUS MONTRONS COMMENT LES PROCESSUS COHERENTS DOIVENT ETRE PRIS EN COMPTE POUR OBTENIR UNE INTERPRETATION CORRECTE DES EXPERIENCES. LOIN D'ETRE UNE SIMPLE SOURCE D'ARTEFACTS CES PHENOMENES DONNENT LA POSSIBILITE D'OBTENIR LA DYNAMIQUE REELLE PAR TRANSFORMATION DE FOURIER. ENFIN NOUS AVONS MONTRE QUE L'EXCITATION LUMINEUSE ELLE-MEME PRODUIT UNE LEVEE DE DEGENERESCENCE DES NIVEAUX D'ENERGIE DONT L'ORIGINE PROVIENT DE LA STRUCTURE DE BANDE DU MATERIAU. NOUS AVONS PU VERIFIER EXPERIMENTALEMENT NOTRE APPROCHE THEORIQUE A L'AIDE DE FAISCEAUX DE POLARISATIONS BIEN DEFINIES, LINEAIRES OU CIRCULAIRES
Contribution à l'étude du pompage optique dans les semi-conducteurs III-V
Author: Claude WeisbuchCONTRIBUTIONS A L'ETUDE DES CHANGEMENTS DE DIMENSIONNALITE INDUITS PAR DES CHAMPS EXTERIEURS OU PAR UN CONFINEMENT LATERAL DANS LES HETEROSTRUCTURES DE SEMICONDUCTEURS III-V
Author: BERNARD.. SOUCAILPublisher:
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Languages : fr
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NOS TRAVAUX RECENTS ONT MONTRE L'INTERET DES SUPERRESEAUX DE SEMICONDUCTEURS POUR ETUDIER LE MOUVEMENT DES ELECTRONS DANS UNE STRUCTURE PERIODIQUE EN PRESENCE DE CHAMP ELECTRIQUE. EN EFFET, CONTRAIREMENT AUX MATERIAUX MASSIFS, LES SUPERRESEAUX ONT DES PARAMETRES STRUCTURAUX (PERIODE, LARGEUR DE BANDE ELECTRONIQUE) QUI PERMETTENT UNE OBSERVATION DES PHENOMENES PREVUS THEORIQUEMENT EN APPLIQUANT DES CHAMPS ELECTRIQUES RELATIVEMENT FAIBLES: LES ETATS PROPRES DEVIENNE LOCALISES (ECHELLE DE WANNIER-STARK), CE QUI SE MANIFESTE PAR UN DECALAGE VERS LE BLEU DU SEUIL D'ABSORPTION DU SUPERRESEAU. L'ADJONCTION D'UN CHAMP MAGNETIQUE PERPENDICULAIREMENT AU PLAN DES COUCHES PERMET DE QUANTIFIER LE MOUVEMENT DANS CE PLAN SANS INFLUER SUR LE MOUVEMENT LE LONG DE L'AXE DE CROISSANCE. AINSI SUIVANT LES CHAMPS APPLIQUES, LE SUPERRESEAU PEUT SE COMPORTER COMME UNE STRUCTURE 3D, 2D, 1D OU 0D. LES SPECTRES D'ABSORPTION ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES MODIFICATIONS DE LA DENSITE D'ETAT, ET AUSSI L'IMPORTANCE DES EFFETS EXCITONIQUES DANS LES TRANSITIONS OPTIQUES. POUR MESURER DIRECTEMENT LES EFFETS DU CHAMP ELECTRIQUE, NOUS AVONS EGALEMENT ETUDIE LA POSSIBILITE D'OBSERVER LA LUMINESCENCE INTRABANDE ENTRE NIVEAUX DE WANNIER, CE QUI PEUT ETRE INTERPRETE COMME UNE PREUVE DIRECTE DE L'EXISTENCE D'OSCILLATEURS DE BLOCH. ENFIN, NOUS PRESENTONS UNE ETUDE DE NOUVELLES STRUCTURES UNIDIMENSIONNELLES ET SANS DIMENSION. LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE PERMETTENT DE FABRIQUER DES LIGNES QUANTIQUES ET DES BOITES QUANTIQUES DE LARGEUR INFERIEURE A 1000 A ET LES RESULTATS D'EXPERIENCES D'OPTIQUE PRESENTES DANS CETTE THESE MONTRENT CLAIREMENT DES EFFETS DUS AU CONFINEMENT LATERAL DANS CES STRUCTURES
Contribution à l'étude des spectres optiques des semi-conducteurs en présence d'une impureté substitutionnelle isoélectronique
Author: Abdelkrim ChetouanePublisher:
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Languages : fr
Pages : 250
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Dans ce mémoire nous avons étudié les modifications du spectre optique dues au désordre créé dan s le corps pur par l'introduction d'une impureté subtitutionnelle isoéléctronique de faible concentration. L'intérêt de ce travail est d'avoir accès, d'une part, à des points de symétrie de la zone de Brillouin et d'autre part de donner une interprétation simple et complète des spectres optiques des alliages dilués. En effet, la présence d'impureté induit de nouvelles structures dans le spectre optique par suite de la rupture de la périodicité du réseau. Au départ nous disposons du formalisme de la constante diélectrique de Parlebas et Mills valable dans le cas des métaux et des isolants. Nous avons étendu ce modèle à une étude d'un semi-conducteur binaire à bandes multiples. Cette étude à tout d'abord été testée dans le cas d'une chaine linéaire diatomique. Dans le cas tridimensionnel, nous avons considéré un semi-conducteur de type Nacl à deux bandes indépendantes. L'étude des spectres différentiels a permis de montrer que l'impureté crée des structures supplémentaires et manquantes dues soit à des transitions directes ou des transitions indirectes. Nous avons montré que l'activation de ces transitions trouve son origine dans la structure électronique de l'alliage. De plus, nous avons appliqué le calcul de la constante diélectrique au système "4f" (en prenant une des deux bandes non dispersive) de Terre-rare. Cette étude permet une interprétation qualitative des spectres d'absorption dans des systèmes de Terre-rare, commeSMS, lors de la transition semi-conducteur métallique
Canadian Journal of Physics
Author: BISTABILITE OPTIQUE A TRES FAIBLE NIVEAU DANS LES SUPERRESEAUX SEMICONDUCTEURS
Author: JEROME.. COUTURIERPublisher:
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Languages : fr
Pages : 149
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LES BISTABLES OPTIQUES SONT PARTICULIEREMENT ADAPTES POUR LE TRANSPORT PARALLELE DE L'INFORMATION ET LES MATRICES DE COMMUTATION UTILISEES DANS LES TELECOMMUNICATIONS. CEPENDANT, LES BISTABLES ELECTROOPTIQUES NECESSITENT DES CIRCUITS ELECTRIQUES INDIVIDUELS QUI LIMITENT LES POSSIBILITES D'INTEGRATION. NOUS MONTRONS ALORS QUE DES DISPOSITIFS BISTABLES TOUT-OPTIQUES PEUVENT ETRE OBTENUS DANS DES SUPERRESEAUX, GRACE A LA COMBINAISON DE L'EFFET WANNIER-STARK, DU CHAMP ELECTRIQUE INTERNE ET DE SON ECRANTAGE. LES ENERGIES DE FONCTIONNEMENT SONT DE L'ORDRE DE 2FJ.M#2, ET DONC RIVALISENT AVEC CELLES DES CIRCUITS MOSFETS TRADITIONNELS
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