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CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT VERTICAL ET DU POMPAGE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES. GAAS/GAALAS

CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT VERTICAL ET DU POMPAGE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES. GAAS/GAALAS PDF Author: Pierre Rolland
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LES EFFETS EXCITONIQUES SUR LE TRANSFERT INTERPUITS SONT ETUDIES DANS UNE STRUCTURE A DOUBLE PUITS QUANTIQUE ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE. L'EVOLUTION DE L'INTENSITE ET DU TEMPS DE DECROISSANCE DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE PERMET DE REPERER DES RESONANCES ENTRE NIVEAUX EXCITONIQUES DIRECTS ET CROISES. UNE COMPARAISON SATISFAISANTE EST ALORS EFFECTUEE ENTRE NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET UN CALCUL DE TEMPS DE TRANSFERT TUNNEL ASSISTE. SELON LE TYPE DE RESONANCE, SOIT LES ELECTRONS ET LES TROUS TRANSFERENT A TRAVERS LA BARRIERE, SOIT SEULS LES ELECTRONS PASSENT D'UN PUITS A L'AUTRE. DANS CE CAS, LE SYSTEME PRESENTE UN COMPORTEMENT NON LINEAIRE AVEC LA PUISSANCE D'EXCITATION. LA RELAXATION DE SPIN DANS LES PUITS QUANTIQUES EST ETUDIEE EN MESURANT LE TAUX DE POLARISATION DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE. LA PRESENCE DE DEUX TYPES DE PORTEURS ET DE L'EFFET EXCITONIQUE NOUS AMENENT A SEPARER CETTE ETUDE EN TROIS PARTIES. LA RELAXATION DU SPIN DES ELECTRONS LIBRES EST D'ABORD ETUDIEE SUR DE RECOMBINAISONS DE TYPE ELECTRON-ACCEPTEUR. NOS RESULTATS MONTRENT ALORS QUE LE MECANISME D'YAKONOV-PEREL PEUT ETRE EN PARTIE RESPONSABLE DE LA DEPOLARISATION DES ELECTRONS. LA DYNAMIQUE DU SPIN DES TROUS EST ENSUITE ETUDIEE DANS UN PUITS QUANTIQUE A MODULATION DE DOPAGE DE TYPE N. L'EFFET DE MELANGE DE BANDE DE VALENCE EXPLIQUE EN PARTIE LA DEPOLARISATION DES TROUS. ENFIN, LA DIVERSITE DES RESULTATS OBTENUS SUR DES TRANSITIONS EXCITONIQUES REND DIFFICILE TOUTES SPECULATIONS THEORIQUES

CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT VERTICAL ET DU POMPAGE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES. GAAS/GAALAS

CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT VERTICAL ET DU POMPAGE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES. GAAS/GAALAS PDF Author: Pierre Rolland
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LES EFFETS EXCITONIQUES SUR LE TRANSFERT INTERPUITS SONT ETUDIES DANS UNE STRUCTURE A DOUBLE PUITS QUANTIQUE ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE. L'EVOLUTION DE L'INTENSITE ET DU TEMPS DE DECROISSANCE DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE PERMET DE REPERER DES RESONANCES ENTRE NIVEAUX EXCITONIQUES DIRECTS ET CROISES. UNE COMPARAISON SATISFAISANTE EST ALORS EFFECTUEE ENTRE NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET UN CALCUL DE TEMPS DE TRANSFERT TUNNEL ASSISTE. SELON LE TYPE DE RESONANCE, SOIT LES ELECTRONS ET LES TROUS TRANSFERENT A TRAVERS LA BARRIERE, SOIT SEULS LES ELECTRONS PASSENT D'UN PUITS A L'AUTRE. DANS CE CAS, LE SYSTEME PRESENTE UN COMPORTEMENT NON LINEAIRE AVEC LA PUISSANCE D'EXCITATION. LA RELAXATION DE SPIN DANS LES PUITS QUANTIQUES EST ETUDIEE EN MESURANT LE TAUX DE POLARISATION DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE. LA PRESENCE DE DEUX TYPES DE PORTEURS ET DE L'EFFET EXCITONIQUE NOUS AMENENT A SEPARER CETTE ETUDE EN TROIS PARTIES. LA RELAXATION DU SPIN DES ELECTRONS LIBRES EST D'ABORD ETUDIEE SUR DE RECOMBINAISONS DE TYPE ELECTRON-ACCEPTEUR. NOS RESULTATS MONTRENT ALORS QUE LE MECANISME D'YAKONOV-PEREL PEUT ETRE EN PARTIE RESPONSABLE DE LA DEPOLARISATION DES ELECTRONS. LA DYNAMIQUE DU SPIN DES TROUS EST ENSUITE ETUDIEE DANS UN PUITS QUANTIQUE A MODULATION DE DOPAGE DE TYPE N. L'EFFET DE MELANGE DE BANDE DE VALENCE EXPLIQUE EN PARTIE LA DEPOLARISATION DES TROUS. ENFIN, LA DIVERSITE DES RESULTATS OBTENUS SUR DES TRANSITIONS EXCITONIQUES REND DIFFICILE TOUTES SPECULATIONS THEORIQUES

ETUDE OPTIQUE DES PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS

ETUDE OPTIQUE DES PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS PDF Author: HONG WU.. LIU
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Languages : fr
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LES ETUDES OPTIQUES DE TRANSPORT VERTICAL DANS UN SYSTEME DE DOUBLE PUITS QUANTIQUES ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE GA#0#.#7AL#0#.#3AS/GAAS ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES RESONANCES DE TRANSFERT D'ELECTRONS, DE TROUS ET D'EXCITONS A BASSE TEMPERATURE. CES RESULTATS SONT COMPARES A DES CALCULS DES TEMPS TUNNEL ASSISTES PAR LES DEFAUTS DU SYSTEME OU LES PHONONS. LES ETUDES DE PUITS QUANTIQUES A MODULATION DE DOPAGE ONT MONTRE LA LEVEE PARTIELLE DES REGLES DE SELECTION EN PRESENCE DE PORTEURS AINSI QUE L'AUGMENTATION DE LA DUREE DE VIE RADIATIVE DUE AUX EFFETS A N CORPS

Etude par pompage optique des puits quantiques contraints Ga1-xInxAs/GaAs

Etude par pompage optique des puits quantiques contraints Ga1-xInxAs/GaAs PDF Author: Fredj Hassen
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Languages : fr
Pages : 188

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LE BUT DE CE TRAVAIL EST L'ETUDE, PAR POMPAGE OPTIQUE, DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES PUITS QUANTIQUES (PQ) CONTRAINTS GA#1#-#XIN#XAS/GAAS. CE MEMOIRE EST CONSTITUE DE DEUX PARTIES: LA PREMIERE EST UNE ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE DE BANDES DES PQ CONTRAINTS (ENERGIE DE CONFINEMENT ET FONCTION D'ONDE CORRESPONDANTE). LA DEUXIEME EST L'ETUDE EXPERIMENTALE DE CES PQ. ON A MIS EN EVIDENCE LA RELAXATION INCOMPLETE DU SPIN DES TROUS. LE TAUX DE POLARISATION DE LA LUMINESCENCE EST UN CARACTERE INTRINSEQUE DE CHAQUE PUITS. ON A FORMULE UN CRITERE POUR L'IDENTIFICATION DE LA DELOCALISATION DES TROUS LEGERS. ON A INTRODUIT LES EFFETS DE LA SEGREGATION SUPERFICIELLE D'INDIUM DANS UN MODELE DE CALCUL POUR IDENTIFIER LES DIFFERENTES RAIES OBSERVEES DANS DES PUITS ETROITS (LW

ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS EN PROPAGATION GUIDEE

ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS EN PROPAGATION GUIDEE PDF Author: VASSILIKI.. VOLIOTIS
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Languages : fr
Pages : 110

Book Description
CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS DE COURTE PERIODE, PAR DES EXPERIENCES DE TRANSMISSION EN PROPAGATION GUIDEE, A BASSE TEMPERATURE. LA CARACTERISATION COMPLETE ET LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU GUIDE SONT ESSENTIELLES POUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ISOLES OU SUPER-RESEAUX IMMERGES DANS LES STRUCTURES GUIDANTES. DANS CETTE CONFIGURATION EXPERIMENTALE, NOUS DETERMINONS LES COEFFICIENTS D'ABSORPTION DANS LES DEUX DIRECTIONS DE POLARISATION, PARALLELE ET PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES ET NOUS EN DEDUISONS LES ENERGIES DE LIAISON ET LES FORCES D'OSCILLATEUR DES EXCITONS LOURDS ET LEGERS DES PUITS QUANTIQUES ETUDIES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LE FAIBLE COEFFICIENT D'ABSORPTION DES TRANSITIONS OPTIQUES ENTRE ELECTRONS CONFINES DANS DES VALLEES X D'ALAS ET DES TROUS SITUES SUR DES ETATS GAMMA DE GAAS, DANS DES SUPER-RESEAUX (GAAS) N (ALAS) M DE TYPE-II. LA COMPARAISON DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A UN CALCUL THEORIQUE DU COEFFICIENT D'ADSORPTION DANS UN SUPER-RESEAU DE TYPE-II A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DU PARAMETRE DE COUPLAGE ENTRE ETATS ELECTRONIQUES GAMMA DE GAAS ET X D'ALAS, RESPONSABLE DE LA FORCE D'OSCILLATEUR FINIE DES TRANSITIONS OPTIQUES

Transport classique et quantique dans les hétérojonctions GaAlAs/GaAs

Transport classique et quantique dans les hétérojonctions GaAlAs/GaAs PDF Author: Hassane Sibari
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Languages : fr
Pages : 203

Book Description
L'ANALYSE DES PHENOMENES DE TRANSPORT CLASSIQUE ET QUANTIQUE DANS LES HETEROJONCTIONS GAALAS-GAAS LAISSE ENVISAGER L'EXISTENCE D'ETATS ADDITIONNELS, SITUES A L'INTERFACE DE L'HETEROJONCTION. EN EFFET, D'UNE PART, L'ANALYSE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS DU CANAL 2D REVELE QUE LES VALEURS THEORIQUES DE LA MOBILITE SONT TOUJOURS SUPERIEURES AUX VALEURS EXPERIMENTALES. CECI MET EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN MODE DE DIFFUSION SUPPLEMENTAIRE QUE NOUS ATTRIBUONS AUX ETATS SITUES A L'INTERFACE DE L'HETEROJONCTION. D'AUTRE PART, L'ETUDE DE L'EQUILIBRE DES CHARGES DANS L'HETEROJONCTION MONTRE QUE LE TRANSFERT CALCULE D'ELECTRONS, DEPUIS LES ETATS DONNEURS DE GAALAS VERS LE CANAL BIDIMENSIONNEL DE GAAS EST TOUJOURS INFERIEUR A LA VALEUR EXPERIMENTALE. NOUS EXPLIQUONS CETTE DIFFERENCE PAR LA CONTRIBUTION AU TRANSFERT DES ETATS D'INTERFACE DE TYPE DONNEUR. CECI PERMET EGALEMENT D'EXPLIQUER LES VARIATIONS (DECROISSANCE) DE LA DENSITE D'ELECTRONS NS AVEC LA TEMPERATURE ENTRE 77K ET 4.2K (ON TIENT COMPTE DU CARACTERE METASTABLE DES DONNEURS SI DE LA COUCHE DE GAALAS DOPE. NOUS ETUDIONS PAR LA SUITE L'EFFET HALL QUANTIQUE. NOUS MONTRONS QUE L'HYPOTHESE D'UN SYSTEME 2D D'ELECTRONS NON ISOLE PERMET D'EXPLIQUER PARFAITEMENT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SANS AVOIR RECOURS AU CONCEPT DE LOCALISATION. LES ETATS D'INTERFACE PEUVENT ENCORE UNE FOIS JOUER LE ROLE DE RESERVOIR POUR LE SYSTEME 2D ET PERMETTENT LE FREINAGE DU NIVEAU DE FERMI. CONDITION NECESSAIRE POUR LA FORMATION DES PLATEAUX DE HALL

TRANSITIONS INTERSOUSBANDES PHOTO-INDUITES DANS LES PUITS QUANTIQUES ET SUPER-RESEAUX GAAS/(AL, GA) AS

TRANSITIONS INTERSOUSBANDES PHOTO-INDUITES DANS LES PUITS QUANTIQUES ET SUPER-RESEAUX GAAS/(AL, GA) AS PDF Author: PEDRO PEGUERO.. TRINDADE VAGOS
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Languages : fr
Pages : 217

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CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE DES TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS NON DOPES INDUITES PAR LE POMPAGE OPTIQUE DES TRANSITIONS INTERBANDES. APRES UNE BREVE DESCRIPTION THEORIQUE DES PROPRIETES DE CES TRANSITIONS, NOUS NOUS INTERESSONS A LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INTERSOUSBANDE PHOTO-INDUITE. CETTE TECHNIQUE NOUVELLE PERMET D'OBTENIR A LA FOIS DES SPECTRES INTERSOUSBANDES ET INTERBANDES AVEC UNE GRANDE SENSIBILITE ET RESOLUTION. ELLE PERMET AUSSI UNE ANALYSE DES MECANISMES MONO-MOLECULAIRES ET BI-MOLECULAIRES DE RELAXATION INTERBANDES. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE UNE APPLICATION DE L'ABSORPTION INTERSOUSBANDE PHOTO-INDUITE PORTANT SUR LA MODULATION TOUT-OPTIQUE. L'INSERTION DES PUITS QUANTIQUES DANS UNE STRUCTURE GUIDE D'ONDE PERMET DE REALISER DES MODULATEURS TOUT-OPTIQUE PERFORMANTS AVEC DES TAUX DE MODULATION PROCHE DE 100% POUR DES PUISSANCES POMPES DE QUELQUES MILLIWATTS. LEUR BANDE PASSANTE EST LIMITEE PAR LE TEMPS DE RELAXATION INTERBANDE ET PEUT ETRE AMELIOREE PAR UNE IMPLANTATION DE PROTONS. NOUS AVONS MONTRE QU'IL EST POSSIBLE D'INDUIRE UNE LUMINESCENCE INTERBANDE A HAUTE ENERGIE SOUS EXCITATION INTERSOUSBANDE. L'INTENSITE DE CETTE LUMINESCENCE INDUITE PERMET DE REMONTER AUX TEMPS DE RELAXATION INTERSOUSBANDES SANS AVOIR RECOURS A DES TECHNIQUES DE RESOLUTION TEMPORELLE SUBPICOSECONDE. L'ABSORPTION DES PHOTONS INFRAROUGES SE TRADUISANT PAR UNE EMISSION SE TRADUISANT PAR UNE EMISSION DE PHOTONS VISIBLES (OU PROCHE VISIBLE) CE PROCESSUS PEUT ETRE CONSIDERE COMME UN MECANISME DE UP-CONVERSION. MALGRE LA FAIBLE VALEUR DU RENDEMENT DE CETTE CONVERSION, CE NOUVEAU PROCESSUS PEUT ETRE MIS A PROFIT POUR LA CONCEPTION DE DETECTEURS INFRAROUGES. NOUS AVONS MONTRE QU'UN TEL DETECTEUR, BASE SUR LA CONVERSION DE PHOTONS, EST CARACTERISE PAR UNE DETECTIVITE AU MOINS SIMILAIRE A CELLE DES DETECTEURS CONVENTIONNELS A PUITS QUANTIQUES (QWIP'S). IL DEVRAIT PRESENTER UNE GRANDE SENSIBILITE ET LE PRINCIPE SE PRETE FACILEMENT A DES APPLICATIONS D'IMAGERIE. ENFIN, NOUS NOUS INTERESSONS AUX TRANSITIONS INTERSOUSBANDE X- EN BANDE DE CONDUCTION DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS. LE COUPLAGE X- EST INTRODUIT DANS UN MODELE DE KRONIG-PENNEY PAR BIAIS DES CONDITIONS DE RACCORDEMENT DES FONCTIONS ENVELOPPES AUX INTERFACES. L'EXPRESSION DU MOMENT DIPOLAIRE AINSI QUE LES REGLES DE SELECTION ASSOCIEES SONT ETABLIES. NOUS DISCUTONS ENSUITE UN CERTAIN NOMBRE D'EXPERIENCES AYANT POUR OBJECTIF LA MISE EN EVIDENCE DE CES TRANSITIONS

Contribution à l'étude du pompage optique dans les semi-conducteurs III-V

Contribution à l'étude du pompage optique dans les semi-conducteurs III-V PDF Author: Claude Weisbuch
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Languages : fr
Pages : 140

Book Description


TRANSITIONS INTRABANDES DES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS ET LE COUPLAGE INTER-INTRABANDE

TRANSITIONS INTRABANDES DES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS ET LE COUPLAGE INTER-INTRABANDE PDF Author: DANDAN.. YANG
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Languages : fr
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Book Description
CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DES TRANSITIONS INTRABANDES DANS DES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES DU TYPE GAAS/ALGAAS. APRES UNE REVUE HISTORIQUE, LE CHAPITRE I MONTRE UN MODELE SIMPLE DE CALCUL DES NIVEAUX D'ENERGIE INTRABANDES. L'EXPRESSION DU MOMENT DIPOLAIRE AINSI QUE LES REGLES DE SELECTION ASSOCIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDES EST AUSSI ETABLIE. LE CHAPITRE II EST CONSACRE AUX STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES DOPEES. DANS UN PREMIER TEMPS, LE MODELE DE CALCUL DES NIVEAUX D'ENERGIE INTRABANDES EST COMPLETE POUR PRENDRE EN COMPTE LA COURBURE DE BANDE ET L'ECRANTAGE RESONANT DES TRANSITIONS INTRABANDES PAR LE PLASMA D'ELECTRON. L'EXPRESSION GENERALE DU COEFFICIENT D'ABSORPTION INTRABANDE EST ENSUITE ETABLIE. DANS LA SECONDE PARTIE EXPERIMENTALE, NOUS PRESENTONS DIFFERENTES METHODES DE SPECTROSCOPIE (SPECTROSCOPIE A TRANSFORMEE DE FOURIER, SPECTROSCOPIE LASER) AINSI QUE LES TECHNIQUES PERMETTANT D'AUGMENTER L'ABSORBANCE INTRABANDE COMME LA CONFIGURATION ZIG-ZAG ET LES GUIDES D'ONDE A PUITS QUANTIQUES. LE CHAPITRE III PORTE SUR LE COUPLAGE OPTIQUE ENTRE LES TRANSITIONS INTERBANDES ET INTRABANDES. UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE SPECTROSCOPIE A LA FOIS INTERBANDE ET INTRABANDE EST AINSI DEVELOPPEE. LA POSSIBILITE D'INDUIRE UNE ABSORPTION INTRABANDE SOUS POMPAGE OPTIQUE INTERBANDE EST ENSUITE APPLIQUEE A LA MODULATION TOUT-OPTIQUE D'UNE RADIATION MOYEN-INFRAROUGE. LES PERFORMANCES D'UN PREMIER MODULATEUR SONT DISCUTEES. CETTE TECHNIQUE PERMET AUSSI D'EVOLUER LES TEMPS DE RECOMBINAISONS INTERBANDES DES PUITS QUANTIQUES. L'OPTIMISATION DES PERFORMANCES DE MODULATION TOUT-OPTIQUE EST ENFIN OBTENUE DANS UNE STRUCTURE GUIDE D'ONDE A PUITS QUANTIQUES. LE DERNIER CHAPITRE PRESENTE LES ETUDES SUR LES NON-LINEARITES OPTIQUE ASSOCIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDES. IL S'AGIT EN PARTICULIER DE LA GENERATION DE SECOND-HARMONIQUE, ET DE LA SATURATION INTRABANDE DANS DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES NON-DOPEES. NOUS PRESENTONS AUSSI

ETUDE PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES NON DOPEES ET DOPEES AU SILICIUM OU AU BERYLLIUM

ETUDE PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES NON DOPEES ET DOPEES AU SILICIUM OU AU BERYLLIUM PDF Author: DOMINIQUE.. BOFFETY
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Pages : 175

Book Description
DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES UNIQUES OU MULTIPLES, ELABOREES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES, SONT ETUDIEES PAR DEUX METHODES SPECTROSCOPIQUES CLASSIQUES, LA PHOTOLUMINESCENCE ET LA REFLECTIVITE, ET, POUR LA PREMIERE FOIS, PAR UNE TECHNIQUE ORIGINALE, L'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT). ELLES SONT NON DOPEES OU DOPEES AVEC DES ATOMES DONNEURS (SILICIUM) OU ACCEPTEURS (BERYLLIUM). POUR CE TYPE DE STRUCTURES SEMICONDUCTRICES, REALISEES SUR SUBSTRATS ABSORBANTS DANS LE DOMAINE D'ENERGIE DES TRANSITIONS DES PUITS, LA FORME INHABITUELLE DES SIGNAUX OBSERVES DANS LES SPECTRES D'AODT S'EXPLIQUE PRINCIPALEMENT PAR DES VARIATIONS DE L'INTENSITE LUMINEUSE REFLECHIE PAR LES INTERFACES AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES. LES SIGNAUX D'AODT SONT COMPLEMENTAIRES DE CEUX DE REFLECTIVITE. LA MODELISATION DES SPECTRES DE REFLECTIVITE A PERMIS DE DETERMINER LA POSITION EN ENERGIE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES. L'ALLURE DES SIGNAUX D'AODT ET DE REFLECTIVITE EST TRES SENSIBLE A L'EPAISSEUR DE LA COUCHE BARRIERE DE SURFACE. DES RECOMBINAISONS D'EXCITONS LIES A DES IMPURETES SUPERFICIELLES NEUTRES (DX, AX) ET NIVEAU D'IMPURETE-NIVEAU DE CONFINEMENT FONDAMENTAL DES PORTEURS (DH, EA) SONT IDENTIFIEES EN ANALYSANT LE COMPORTEMENT DES SPECTRES DE PHOTOLUMINESCENCE DES ECHANTILLONS DOPES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA PUISSANCE D'EXCITATION. L'ENERGIE DE LOCALISATION DE L'EXCITON SUR LE DONNEUR NEUTRE, SITUE AU CENTRE DES PUITS, PASSE PAR UN MAXIMUM, VERS 100A, LORSQUE LA LARGEUR DE PUITS DIMINUE TANDIS QU'UNE EVOLUTION STRICTEMENT MONOTONE EST OBSERVEE, ENTRE 300 ET 50A, POUR L'EXCITON PIEGE SUR L'ACCEPTEUR NEUTRE. ELLE DECROIT QUAND LA ZONE DE DOPAGE S'ELOIGNE DU CENTRE DES PUITS. LES VARIATIONS AVEC L'EPAISSEUR DES PUITS, ENTRE 28 ET 300A, DE L'ENERGIE DE LIAISON DE L'ATOME DE BERYLLIUM DANS SON ETAT FONDAMENTAL, DETERMINEE EXPERIMENTALEMENT, S'AVERENT ETRE EN EXCELLENT ACCORD AVEC LES THEORIES RECENTES, CONFIRMANT LA BONNE LOCALISATION DU DOPAGE AU CENTRE DES PUITS, MEME DANS CEUX DE PLUS FAIBLE EPAISSEUR (N0 MONOCOUCHES). DES TRANSITIONS DITES A DEUX TROUS IMPLIQUANT CETTE IMPURETE SONT DETECTEES, POUR LA PREMIERE FOIS PAR PHOTOLUMINESCENCE, DANS UN SYSTEME DE BASSE DIMENSIONALITE

ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS-GAALAS DANS LE DOMAINE DE L'INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE

ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS-GAALAS DANS LE DOMAINE DE L'INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE PDF Author: Nathalie Herschkorn
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Book Description
REALISATION DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. MODELISATION DE L'ABSORPTION INTRABANDE RESONNANTE EN PRENANT EN COMPTE LA DISPERSION DES DIFFERENTES SOUS-BANDES, LES EFFETS A N CORPS ET LE DOPAGE DES MATERIAUX. OPTIMISATION D'UN MODULATEUR D'AMPLITUDE A LA LONGUEUR D'ONDE 10,6 M COMMANDE ELECTRIQUEMENT GRACE A L'EFFET STRARK QUANTIQUE. ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS PAR DIFFRACTION RX ET PHOTOLUMINESCENCE. REALISATION D'UNE STRUCTURE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINEE A MODULER EN AMPLITUDE UN FAISCEAU DE LONGUEUR D'ONDE 10,6 M