Author: Jean Du Port de PontcharraPublisher:
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Languages : fr
Pages : 0
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Contribution à l'étude du schéma équivalent bidimensionnel du transistor bipolaire hyperfréquence
Author: Jean Du Port de PontcharraPublisher:
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Languages : fr
Pages : 0
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Contribution à l'étude du schéma équivalent bidimensionnel du transistor bipolaire hyperfréquence
Author: Jean Du Port de PontcharraPublisher:
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Languages : fr
Pages : 97
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Contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium
Author: Mamadou Mustapha Ndoye (auteur d'une thèse de doctorat en électronique).)Publisher:
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Languages : fr
Pages : 0
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Ce travail est une contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium. Il présente tout d'abord deux méthodes originales permettant de réduire la Capacité extrinsèque Base-Collecteur, d'augmenter la tension de claquage Base-Collecteur, d'augmenter la tension Early VA, d'augmenter le gain en puissance maximal Gpmax et d'augmenter la fréquence de transition FT. Il présente ensuite un nouveau transistor, de structure hybride entre le NPN vertical et le NPN latéral, baptisé bipolaire-CLEV (à Collecteur Latéral-Emetteur Vertical). Ce travail est généralisable à d'autres technologies de transistors hyperfréquences telles que les transistors à substrats III-V ou les transistors à hétérojonctions.
CONTRIBUTION A L'ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFREQUENCE; ETUDE CRITIQUE DE LEUR REPRESENTATION PAR LES MODELES IBIS ET BIRD
Author: P.. CAZENAVEPublisher:
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Languages : fr
Pages : 6
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CONSIDERATIONS TECHNOLOGIQUES SUR LES TRANSISTORS D'ETUDE (RAPPEL DE LA TECHNOLOGIE PLANAR, DESCRIPTION DES GEOMETRIES UTILISEES, ETUDE DES PROFILS DE DIFFUSION ET DU PHENOMENE DE REPULSION DE BASE, ETUDE DES ELEMENTS PARASITES D'ACCES AU TRANSISTOR). VUE D'ENSEMBLE SUR LES MODELES MATHEMATIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (MODELES NON LINEAIRES DU TYPE EBERS MOLL, REPARTIS, DE LINVILL, DE BEAUFOY ET SPARKES ET MODELES LINEAIRES). ELEMENTS D'ETUDE STATISTIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (MODELE IBIS ET APPLICATION DE CE MODELE AUX TRANSISTORS D'ETUDE, CONSIDERATIONS SUR CERTAINES INSUFFISANCES DU MODELE IBIS). APPLICATION DU MODELE DYNAMIQUE BIRD AUX TRANSISTORS HYPERFREQUENCES
Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x
Author: Amina TachafinePublisher:
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Languages : fr
Pages : 278
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Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Contribution à l'étude PHYSIQUE ET A L'OPTIMISATION DES PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION A L'AIDE D'OUTILS DE SIMULATION NUMERIQUE
Author: Noureddine ChennafiPublisher:
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Languages : fr
Pages : 0
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L'objet du travail presente dans ce memoire concerne la modelisation physique et electrique du phototransistor bipolaire a heterojonction (hpt) utilise comme photodetecteur d'un faisceau lumineux module par une frequence micro-onde. Ce memoire est constitue de trois parties ; la premiere debute par la presentation des differents modeles physiques utilises dans les simulations suivie par une validation du logiciel de simulation numerique bidimensionnel par l'etude d'une structure du transistor bipolaire a heterojonction (hbt) ingap/gaas. Le modele de conservation d'energie associe avec la resolution de l'equation de la chaleur sont utilises afin d'etudier les effets electrothermiques dans la structure du hbt. Les performances optoelectroniques de cette structure sont ensuite etudiees. Les frequences de coupure electriques et optoelectroniques sont calculees en fonction de la dimension de la fenetre d'eclairement situee entre les electrodes de base et d'emetteur. La seconde partie presente les resultats des calculs effectues sur un phototransistor a heterojonction (hpt) inp/ingaas developpe au cnet de bagneux. Differentes configurations d'eclairement sont etudiees afin de mettre en evidence les phenomenes physiques entrant dans le processus de la photodetection dans le hpt. La derniere partie presente le modele electrique grand signal du phototransistor inp/ingaas developpe a partir des resultats des simulations physiques. Il est ensuite optimise afin de coller aux courbes de mesures statiques et dynamiques du phototransistor
Contribution à l'étude théorique du transistor à effet de champs
Author: Marc LopenagueETUDE CONCEPTION ET APPLICATIONS DE STRUCTURE DIFFERENTIELLES A TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION
Author: TARIK.. KHELIFIPublisher:
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Languages : fr
Pages : 209
Book Description
LE TRAVAIL PRESENTE EXPOSE UNE APPROCHE ANALYTIQUE DE L'ETUDE ET DE LA CONCEPTION DE STRUCTURES DIFFERENTIELLES A TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. LA REJECTION DU MODE PAIR D'UNE STRUCTURE DIFFERENTIELLE A TRANSISTOR EST ETROITEMENT LIEE A SON IMPEDANCE DE COUPLAGE. UNE ETUDE ANALYTIQUE DE LA STRUCTURE PERMET D'ETABLIR LA RELATION DONNANT L'IMPEDANCE DE COUPLAGE IDEALE QUI PERMET UNE REJECTION PARFAITE DU MODE PAIR. DES CALCULS ANALYTIQUES, DEVELOPPEES A PARTIR DES PARAMETRES Z D'UN SCHEMA EQUIVALENT DE TRANSISTOR, PERMETTENT DE CONCEVOIR UNE IMPEDANCE DE COUPLAGE QUI SE RAPPROCHE LE PLUS POSSIBLE DU COMPORTEMENT DE L'IMPEDANCE DE COUPLAGE IDEALE. CES MEMES RELATIONS SERVENT A ANALYSER LES LIMITATIONS FREQUENTIELLES DE LA REJECTION DU MODE PAIR AINSI QU'A ETABLIR UN LIEN ENTRE LA REJECTION DU MODE PAIR ET LA FREQUENCE DE TRANSITION DES TRANSISTORS UTILISES. LES RESULTATS DE CETTE ETUDE SONT APPLIQUES AU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DE STRUCTURES DIFFERENTIELLES PERFORMANTES DANS LE DOMAINE MICROONDES. LES PLUS INTERESSANTES SONT LE DEPHASEUR 180 DEGRES LARGE BANDE ET L'EBAUCHE D'UN AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL HYPERFREQUENCE
Contribution à l'étude de structures logiques à transistors bipolaires complémentaires
Author: Mohamed LakhloufiCONTRIBUTION A L'ETUDE PHYSIQUE ET A L'OPTIMISATION DES PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION A L'AIDE D'OUTILS DE SIMULATION NUMERIQUE
Author: NOUREDDINE.. CHENNAFIPublisher:
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Languages : fr
Pages : 200
Book Description
L'OBJET DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION PHYSIQUE ET ELECTRIQUE DU PHOTOTRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (HPT) UTILISE COMME PHOTODETECTEUR D'UN FAISCEAU LUMINEUX MODULE PAR UNE FREQUENCE MICRO-ONDE. CE MEMOIRE EST CONSTITUE DE TROIS PARTIES ; LA PREMIERE DEBUTE PAR LA PRESENTATION DES DIFFERENTS MODELES PHYSIQUES UTILISES DANS LES SIMULATIONS SUIVIE PAR UNE VALIDATION DU LOGICIEL DE SIMULATION NUMERIQUE BIDIMENSIONNEL PAR L'ETUDE D'UNE STRUCTURE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (HBT) INGAP/GAAS. LE MODELE DE CONSERVATION D'ENERGIE ASSOCIE AVEC LA RESOLUTION DE L'EQUATION DE LA CHALEUR SONT UTILISES AFIN D'ETUDIER LES EFFETS ELECTROTHERMIQUES DANS LA STRUCTURE DU HBT. LES PERFORMANCES OPTOELECTRONIQUES DE CETTE STRUCTURE SONT ENSUITE ETUDIEES. LES FREQUENCES DE COUPURE ELECTRIQUES ET OPTOELECTRONIQUES SONT CALCULEES EN FONCTION DE LA DIMENSION DE LA FENETRE D'ECLAIREMENT SITUEE ENTRE LES ELECTRODES DE BASE ET D'EMETTEUR. LA SECONDE PARTIE PRESENTE LES RESULTATS DES CALCULS EFFECTUES SUR UN PHOTOTRANSISTOR A HETEROJONCTION (HPT) INP/INGAAS DEVELOPPE AU CNET DE BAGNEUX. DIFFERENTES CONFIGURATIONS D'ECLAIREMENT SONT ETUDIEES AFIN DE METTRE EN EVIDENCE LES PHENOMENES PHYSIQUES ENTRANT DANS LE PROCESSUS DE LA PHOTODETECTION DANS LE HPT. LA DERNIERE PARTIE PRESENTE LE MODELE ELECTRIQUE GRAND SIGNAL DU PHOTOTRANSISTOR INP/INGAAS DEVELOPPE A PARTIR DES RESULTATS DES SIMULATIONS PHYSIQUES. IL EST ENSUITE OPTIMISE AFIN DE COLLER AUX COURBES DE MESURES STATIQUES ET DYNAMIQUES DU PHOTOTRANSISTOR.