Author: Claude WeisbuchPublisher:
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Languages : fr
Pages : 140
Book Description
Contribution à l'étude du pompage optique dans les semi-conducteurs III-V
Author: Claude WeisbuchETUDE DE LA DYNAMIQUE DES PORTEURS DANS LES SEMI-CONDUCTEURS 3-5 SOUS EXCITATIONS OPTIQUES
Author: Jimmy DubardPublisher:
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Languages : fr
Pages : 199
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ETUDE DES COUCHES EPITSAXIQUES GAAS ET DES MULTI-PUITS QUANTIQUES GAAS-ALGAAS PAR SATURATION DE L'ABSORPTION. EFFET DE LA TEMPERATURE EMISE PAR LA TRANCHE DE L'ECHANTILLON EXCITE PRES D'UN BORD. INTERPRETATION DE L'EMISSION DE PHOTONS SE PROPAGEANT DANS LE PLAN DES COUCHES OU LA LONGUEUR D'INTERACTION EST LA PLUS IMPORTANTE
Notes techniques
Author: Contribution à l'étude de portes optiques à base d'amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour le traitement tout-optique de signaux de télécommunications à très hauts débits
Author: Gwenaëlle GiraultPublisher:
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Languages : fr
Pages : 380
Book Description
Ces travaux de thèse sont consacrés à l'étude de portes optiques pour la conversion de longueur d'onde et la régénération optique du signal à très hauts débits. Le principe et la problématique de caractérisation de telles fonctions sont tout d'abord présentés puis un état de l'art des techniques est dressé. L'amplificateur optique à semi-conducteurs (SOA) ayant constitué le coeur des dispositifs étudiés, quelques principes théoriques et les techniques pour le caractériser sont exposés. Un régénérateur 3R basé sur l'association de deux convertisseurs en longueur d'onde, un miroir à boucle optique non-linéaire à base de SOA (NOLM-SOA) et un double étage de SOA (DSSOA) est proposé. Il a permis de réaliser une transmission de 100 000 km sans erreur à 10 Gbit/s. Une étude approfondie de son comportement face aux variations de polarisation a ensuite été menée, mettant en évidence qu'un même SOA peut être plus ou moins sensible à la polarisation selon sa configuration d'utilisation (auto-saturation, saturation croisée, selon les longueurs d'ondes des signaux, leurs polarisations ...). Nous avons ainsi établi que le phénomène à l'origine de cette modification de sensibilité est un mélange d'onde entre la pompe et la sonde conduisant à une dissymétrie du spectre de gain dépendante des états de polarisation respectifs des deux ondes. Enfin, une technique à base de modulation de phase croisée dans un SOA convertie en modulation d'amplitude par un filtre décalé a été étudié à différents débits et pour différentes conditions de filtrage. Une conversion de longueur d'onde sans erreur à 80 Gbit/s a été obtenue grâce à un filtre décalé vers les courtes longueurs d'onde
Contribution à l'étude des spectres optiques des semi-conducteurs en présence d'une impureté substitutionnelle isoélectronique
Author: Abdelkrim ChetouanePublisher:
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Languages : fr
Pages : 250
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Dans ce mémoire nous avons étudié les modifications du spectre optique dues au désordre créé dan s le corps pur par l'introduction d'une impureté subtitutionnelle isoéléctronique de faible concentration. L'intérêt de ce travail est d'avoir accès, d'une part, à des points de symétrie de la zone de Brillouin et d'autre part de donner une interprétation simple et complète des spectres optiques des alliages dilués. En effet, la présence d'impureté induit de nouvelles structures dans le spectre optique par suite de la rupture de la périodicité du réseau. Au départ nous disposons du formalisme de la constante diélectrique de Parlebas et Mills valable dans le cas des métaux et des isolants. Nous avons étendu ce modèle à une étude d'un semi-conducteur binaire à bandes multiples. Cette étude à tout d'abord été testée dans le cas d'une chaine linéaire diatomique. Dans le cas tridimensionnel, nous avons considéré un semi-conducteur de type Nacl à deux bandes indépendantes. L'étude des spectres différentiels a permis de montrer que l'impureté crée des structures supplémentaires et manquantes dues soit à des transitions directes ou des transitions indirectes. Nous avons montré que l'activation de ces transitions trouve son origine dans la structure électronique de l'alliage. De plus, nous avons appliqué le calcul de la constante diélectrique au système "4f" (en prenant une des deux bandes non dispersive) de Terre-rare. Cette étude permet une interprétation qualitative des spectres d'absorption dans des systèmes de Terre-rare, commeSMS, lors de la transition semi-conducteur métallique
Contribution à l'étude de composants optiques à base de verres semi-conducteurs
Author: Christian ROCHERCONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT VERTICAL ET DU POMPAGE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES. GAAS/GAALAS
Author: Pierre RollandPublisher:
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Languages : fr
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LES EFFETS EXCITONIQUES SUR LE TRANSFERT INTERPUITS SONT ETUDIES DANS UNE STRUCTURE A DOUBLE PUITS QUANTIQUE ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE. L'EVOLUTION DE L'INTENSITE ET DU TEMPS DE DECROISSANCE DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE PERMET DE REPERER DES RESONANCES ENTRE NIVEAUX EXCITONIQUES DIRECTS ET CROISES. UNE COMPARAISON SATISFAISANTE EST ALORS EFFECTUEE ENTRE NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET UN CALCUL DE TEMPS DE TRANSFERT TUNNEL ASSISTE. SELON LE TYPE DE RESONANCE, SOIT LES ELECTRONS ET LES TROUS TRANSFERENT A TRAVERS LA BARRIERE, SOIT SEULS LES ELECTRONS PASSENT D'UN PUITS A L'AUTRE. DANS CE CAS, LE SYSTEME PRESENTE UN COMPORTEMENT NON LINEAIRE AVEC LA PUISSANCE D'EXCITATION. LA RELAXATION DE SPIN DANS LES PUITS QUANTIQUES EST ETUDIEE EN MESURANT LE TAUX DE POLARISATION DES RAIES DE PHOTOLUMINESCENCE. LA PRESENCE DE DEUX TYPES DE PORTEURS ET DE L'EFFET EXCITONIQUE NOUS AMENENT A SEPARER CETTE ETUDE EN TROIS PARTIES. LA RELAXATION DU SPIN DES ELECTRONS LIBRES EST D'ABORD ETUDIEE SUR DE RECOMBINAISONS DE TYPE ELECTRON-ACCEPTEUR. NOS RESULTATS MONTRENT ALORS QUE LE MECANISME D'YAKONOV-PEREL PEUT ETRE EN PARTIE RESPONSABLE DE LA DEPOLARISATION DES ELECTRONS. LA DYNAMIQUE DU SPIN DES TROUS EST ENSUITE ETUDIEE DANS UN PUITS QUANTIQUE A MODULATION DE DOPAGE DE TYPE N. L'EFFET DE MELANGE DE BANDE DE VALENCE EXPLIQUE EN PARTIE LA DEPOLARISATION DES TROUS. ENFIN, LA DIVERSITE DES RESULTATS OBTENUS SUR DES TRANSITIONS EXCITONIQUES REND DIFFICILE TOUTES SPECULATIONS THEORIQUES
Contribution a l'etude optique de l'effet Wannier-Stark dans les superreseaux semiconducteurs
Author: Jérôme DepeyrotECHANTILLONNAGE ELECTRO-OPTIQUE DE CIRCUITS INTEGRES III-V AVEC LASERS A SEMI-CONDUCTEURS PICOSECONDES
Author: LIONEL.. DUVILLARETPublisher:
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Languages : fr
Pages : 237
Book Description
NOUS PRESENTONS L'ETUDE D'UN NOUVEL ECHANTILLONNEUR ELECTRO-OPTIQUE DE CIRCUITS INTEGRES III-V UTILISANT UN LASER SEMI-CONDUCTEUR PICOSECONDE A 1,55 M COMME SOURCE D'IMPULSIONS. LES PROPRIETES ELECTRO-OPTIQUES DES SUBSTRATS DES CIRCUITS SONT DIRECTEMENT MISES A PROFIT (SONDAGE INTERNE) ET UNE CARACTERISATION COMPLETE DE L'ECHANTILLONNEUR EST EFFECTUEE DANS CES CONDITIONS. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS DECRIVONS LA METHODE DE GENERATION DES IMPULSIONS OPTIQUES PAR COMMUTATION DU GAIN DU LASER A SEMI-CONDUCTEURS. UN SCHEMA DE COMPRESSION EXTERNE PAR FIBRE OPTIQUE TIRE PARTI DES EFFETS DE GLISSEMENT DE FREQUENCE DANS LE CAS DE LASERS DFB MONOMODES. SOUS FORTE MODULATION HYPERFREQUENCE DU LASER, DES IMPULSIONS D'ENVIRON 4 PS SONT AINSI OBTENUES A DES TAUX DE REPETITION CONTINUMENT AJUSTABLES DE 2,5 A 4 GHZ. LES IMPULSIONS A 1,55 M SONT MESUREES PAR AUTOCORRELATION AVEC UN NOUVEAU CRISTAL DOUBLEUR DONT NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES DE FACON DETAILLEE. APRES UNE COMPARAISON DES TECHNIQUES D'ANALYSE DE CIRCUITS RAPIDES, NOUS NOUS CONSACRONS DANS LA SECONDE PARTIE A LA DESCRIPTION DE L'ECHANTILLONNEUR REALISE, A LA MESURE DE SES PERFORMANCES ET A SON APPLICATION A DES TESTS DE CIRCUITS ET COMPOSANTS. L'ECHANTILLONNEUR S'ADAPTE INDIFFEREMMENT AUX CIRCUITS A LIGNES COPLANAIRES OU MICRORUBANS. SA RESOLUTION SPATIALE EST DE 16 M. SA BANDE PASSANTE ACTUELLEMENT DE 60 GHZ PEUT ETRE ETENDUE A PLUS DE 200 GHZ AVEC LES PROGRES ACCOMPLIS DANS LES IMPULSIONS COURTES. LA SENSIBILITE, IMPOSEE PAR LE BRUIT DE GRENAILLE DU DETECTEUR, EST DE L'ORDRE DE 1 MV/HZ ET LA DYNAMIQUE DE MESURE DEPASSE 100 DB. DES MESURES EFFECTUEES SUR DES LIGNES-TESTS PERMETTENT DE REMONTER A LA TENSION V# DE L'ARSENIURE DE GALLIUM ET LAISSENT ENVISAGER UNE DETERMINATION ABSOLUE DES TENSIONS SUR UN CIRCUIT. LES MESURES EFFECTUEES SUR UN TRANSISTOR A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE DE MEME QUE CELLES SUR UN AMPLIFICATEUR HYPERFREQUENCE A 5 ETAGES PERMETTENT DANS LES DEUX CAS DE QUANTIFIER LES NON-LINEARITES D'AMPLITUDE AINSI QUE LES VARIATIONS DE PHASE EN REGIME DE FORT-SIGNAL
Author: Yves Thenoz