Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné PDF Download
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Author: Frédéric Vaillant (auteur en microélectronique).) Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 0
Book Description
Effet de l'introduction de diborane et de phosphine dans le melange gazeux depose par decharge electroluminescente a 50 h::(3). Caracterisation par methode optique dans le visible et l'ir, deflexion photothermique, conductivite et photoconductivite stationnaire. Variation avec le dopage de proprietes electriques. Proposition d'un nouveau modele de recombinaison
Author: Frédéric Vaillant (auteur en microélectronique).) Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 0
Book Description
Effet de l'introduction de diborane et de phosphine dans le melange gazeux depose par decharge electroluminescente a 50 h::(3). Caracterisation par methode optique dans le visible et l'ir, deflexion photothermique, conductivite et photoconductivite stationnaire. Variation avec le dopage de proprietes electriques. Proposition d'un nouveau modele de recombinaison
Author: Didier Jousse Publisher: ISBN: Category : Amorphous semiconductors Languages : en Pages : 280
Book Description
ETUDE PAR PHOTODEFLECTION THERMIQUE, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, ABSORPTION OPTIQUE ET MESURES DE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET DE CAPACITE DE DIODE SCHOTTKY. IDENTIFICATION DE DEFAUTS DIAMAGNETIQUES, ASSOCIES A LA PRESENCE DE MICROCAVITES ET DES LIAISONS DISPONIBLES COMME DEFAUTS PRINCIPAUX DANS A-SI:H NON DOPE, LES LIAISONS DISPONIBLES DEVENANT DOMINANTES DANS LE CAS DE DOPAGE PAR B OU AS; MISE EN EVIDENCE D'UN ELARGISSEMENT DE LA QUEUE DE BANDE DE VALENCE POUR DES RAPPORTS DOPANT/SILICIUM SUPERIEURS A 0,1%AT; SIGNATURE DES NIVEAUX DE LA LIAISON DISPONIBLE
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ON ETUDIE LES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) ET NOTAMMENT L'EFFET STAEBLER-WRONSKI QUI CONSISTE EN LA CREATION DE DEFAUTS DE COORDINATION METASTABLES SOUS LUMIERE. UN PHENOMENE NOUVEAU, A SAVOIR LA GUERISON DE CES DEFAUTS PAR LA LUMIERE, NOUS A AMENE A REDISCUTER LES MODELES PHENOMENOLOGIQUES EXISTANTS. IL EST ALORS APPARU NECESSAIRE DE DEVELOPPER UN NOUVEAU MODELE. CE DERNIER POSTULE QUE LA CREATION DE DEFAUTS EST DUE A LA RECOMBINAISON DE PAIRES ELECTRONS-TROUS ET QUE LA GUERISON DES DEFAUTS EST CAUSEE PAR LA CAPTURE DE TROUS PAR CES MEMES DEFAUTS. DANS UN SECOND TEMPS CE MODELE EST APPLIQUE AUX RESULTATS OBTENUS SUR DES FILMS DE A-SI:H DEPOSES DANS DE NOUVELLES CONDITIONS ; CE QUI A SERVI DE TEST POUR VALIDER NOTRE MODELE. L'EXTENSION DE L'ETUDE A UNE LARGE GAMME DE FILMS A MONTRE QUELE A-SI:H OPTIMAL, I.E. LE PLUS STABLE SOUS ILLUMINATION, ETAIT OBTENU A PARTIR DE MELANGES SILANE-HELIUM A 350C
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ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTIVITE ET DE PHOTOCONDUCTIVITE. MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DES PORTEURS AFIN D'OBTENIR LEUR MOBILITE D'ENTRAINEMENT. MESURE ENTRE 85 ET 240 K
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ETABLISSEMENT D'UNE CORRELATION ENTRE LES VARIATIONS DES PROPRIETES ELECTRONIQUES GLOBALES, LOCALES, ET LES DENSITES DE DEFAUTS (TAILLE DES GRAINS, LONGUEUR DES JOINTS DE GRAINS, DENSITE DES DISLOCATIONS, CONCENTRATION EN CARBONE, DOPAGES EXCESSIFS...). LES GRANDEURS ELECTRONIQUES MESUREES SONT LES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, LES COURANTS INDUITS PAR FAISCEAU DE LUMIERE IR FOCALISE (LBIC), LES VITESSES DE RECOMBINAISON INTERFACIALE AUX JOINTS DE GRAINS. ETUDE LA PASSIVATION DES DEFAUTS PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE ET MOLECULAIRE
Author: Jacques Simon Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 123
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LE SILICIUM POLYCRISTALLIN OU AMORPHE HYDROGENE EST UN MATERIAU TRES INTERESSANT, UTILISE EN MICRO-ELECTRONIQUE POUR LA REALISATION DE NOMBREUX DISPOSITIFS. L'ANALYSE DE LA PHASE GAZEUSE DE DECOMPOSITION A MIS EN EXERGUE L'IMPORTANCE DU ROLE DES REACTIONS CHIMIQUES EN PHASE HOMOGENE DANS LE MECANISME DE DISSOCIATION THERMIQUE DU DISILANE. L'AJOUT DE PHOSPHINE DANS LA PHASE GAZEUSE ENTRAINE DES MODIFICATIONS DE SA COMPOSITION. LES AVANTAGES APPORTES PAR L'UTILISATION DU DISILANE EN TERMES DE TEMPERATURE D'ELABORATION ET DE VITESSE DE CROISSANCE EN PRESENCE DE PHOSPHINE SONT MIS EN EVIDENCE ET CORRELES AVEC LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET EN PARTICULIER AVEC LA QUANTITE DE RADICAUX SILYLENES PRESENTS. L'INFLUENCE DE DIVERS PARAMETRES TELS QUE LA TEMPERATURE, LA PRESSION TOTALE OU LA FRACTION MOLAIRE A ETE ETUDIEE AUX TRAVERS DE DEUX PLANS D'EXPERIENCES. LA POTENTIALITE DU DISILANE EN TANT QUE NOUVEAU PRECURSEUR GAZEUX DE SILICIUM EN REMPLACEMENT DU MONOSILANE A ETE DEMONTREE. DANS LE CAS DU DOMMAGE IN-SITU, IL PERMET L'OBTENTION DE FILMS AYANT LES MEMES PROPRIETES (CONCENTRATION EN DOPANTS, RESISTIVITE) AVEC UN TAUX D'INHIBITION DE LA VITESSE DE CROISSANCE BEAUCOUP PLUS FAIBLE
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE MONTRER QUE LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS ET LA STABILITE THERMIQUE DE L'HYDROGENE (DEUTERIUM) DANS LE SILICIUM AMORPHE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE RF DEPENDENT DES CONDITIONS DE DEPOT DE LA COUCHE ET INFLUENT SUR LA MICROCTRUCTURE DU SILICIUM MICRO-CRISTALLIN QUI EN RESULTE PAR RECUIT THERMIQUE. LES MATERIAUX AMORPHES SONT DEPOSES A PARTIR D'ARGON PUR OU D'ARGON + HYDROGENE (DEUTERIUM), AVEC UNE CATHODE SIMPLE OU UNE CATHODE MAGNETRON, EN FAISANT VARIER LA TEMPERATURE DE SUBSTRAT ET LA PUISSANCE DU PLASMA. LES ANALYSES PAR SIMS, FTIR ET EXODIFFUSION MONTRENT QUE LA CATHODE SIMPLE CONDUIT A DES COUCHES AMORPHES HYDROGENEES QUI PRESENTENT DES ZONES PEU DENSES RICHES EN DEUTERIUM PEU STABLE THERMIQUEMENT, ET DES REGIONS PLUS DENSES, OU L'HYDROGENE EST PLUS STABLE. CECI EST CONFIRME PAR L'ETUDE PAR DIFFRACTION X DE LA RELAXATION DU MATERIAU. UNE TEMPERATURE DE SUBSTRAT PLUS ELEVEE AUGMENTE LES TAUX DE LIAISONS SIMPLES SI-H ISOLEES ET DE LIAISONS THERMIQUEMENT STABLES. ON NE PEUT PAS IDENTIFIER STRICTEMENT LA LIAISON SIMPLE SI-H AVEC LA LIAISON STABLE ET LE DIHYDRIDE SI-H 2 AVEC LA LIAISON LA MOINS STABLE. LA CATHODE MAGNETRON PERMET UNE DISTRIBUTION PLUS HOMOGENE DE L'HYDROGENE DANS LA COUCHE, ACCROIT LE TAUX DE LIAISONS SIMPLES ET L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DU PLASMA AMPLIFIE CE PHENOMENE. L'ETUDE PAR MET ET DIFFRACTION X DE LA MICROSTRUCTURE DES COUCHES CRISTALLISEES MONTRE QUE LA PRESENCE D'HYDROGENE DANS LA COUCHE AMORPHE CONDUIT A UNE PLUS PETITE TAILLE DE GRAIN QUE POUR LES COUCHES DEPOSEES SANS HYDROGENE. L'IMPORTANCE DES MICRO-CAVITES PRESENTES DANS LES COUCHES CRISTALLISEES EST REDUITE LORSQUE L'HYDROGENE EST DISTRIBUE DE FACON HOMOGENE DANS LE SILICIUM AMORPHE DONT ELLES SONT ISSUES. FINALEMENT, DANS LES COUCHES CRISTALLISEES ET POST-HYDROGENEES, NOUS METTONS EN EVIDENCE LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE AUX JOINTS DE GRAINS AINSI QUE SON PIEGEAGE DANS LES MICRO-CAVITES ET SUR LES DEFAUTS INTRA- ET INTER- GRANULAIRES.
Author: Frédéric Vaillant (auteur en microélectronique).)
Author: Frédéric Vaillant (auteur en microélectronique).)
Author: Didier Jousse
Author: Didier Jousse
Author: STEPHANE.. VIGNOLI
Author: L. Jeannerot
Author: Luc Jeannerot (auteur d'une thèse de sciences.)
Author: JEAN-PIERRE.. PEYRE
Author: Hassan Amzil
Author: Jacques Simon
Author: LAURENT.. LUSSON