Author: Mouenes Fadlallah (auteur en physique des composants).)Publisher:
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Languages : fr
Pages : 0
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Contribution à l'étude du bruit basse fréquence et à la modélisation des transistors des technologies CMOS avancées
Author: Mouenes Fadlallah (auteur en physique des composants).)Publisher:
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Languages : fr
Pages : 0
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Etude du bruit électrique basse fréquence dans des technologies CMOS avancées
Author: Beya NafaaPublisher:
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Languages : fr
Pages : 133
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Les travaux réalisés pendant cette thèse se focalisent sur l'étude de transistors double grille UTBOX complètement délpétés fabriqués pour le nœud technologique 16 nm. Les performances de ces composants en courant continu et en fonction de la température ont été évaluées. Les pièges localisés dans le film de silicium ont été identifiés à l'aide de la spectroscopie de bruit basse fréquence, donnant ainsi la possibilité d'évaluer les étapes de fabrications afin de les optimiser. Un pic inhabituel de transconductance a été observé dans les caractéristiques de transfert obtenues à faibles températures (77 K et 10 K). Ce phénomène est plus probablement lié à un effet tunnel à travers des dopants diffusés à partir des extensions de source et drain dans le canal. Le mécanisme de transport quantique relié à la dégénérescence de niveaux d'énergie dans la bande de conduction a été mis en évidence à température cryogéniques et à très faibles polarisations. Une nouvelle approche théorique valide en inversion modérée a été développée pour les modèles de fluctuations de mobilité et de fluctuations de mobilité corrélés aux fluctuations du nombre de porteurs. Les résultats indiquent que le changement du mécanisme de transport des porteurs est accompagné par un changement du mécanisme du bruit en 1/f .
Etude du bruit basse fréquence dans les transistors bipolaires à hétérojonction issus de technologies avancées sur filières Si/SiGe et Si/SiGeC
Author: Cyril ChayContribution à l'étude du bruit électrique basse fréquence et des phénomènes de porteurs chauds dans les filières CMOS SOI avancées
Author: François DieudonnéPublisher:
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Languages : fr
Pages : 194
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Les technologies Silicium-sur-Isolant (SOI) ont montré ces dernières années leurs potentialités afin de poursuivre l'incessante réduction d'échelle des dispositifs CMOS. Ce travail regroupe des études expérimentales sur les effets de substrat flottant, le bruit électrique basse fréquence et les phénomènes de porteurs chauds dans les transistors MOS des filières SOI 0.13æm Partiellement Désertées à oxyde de grille ultra-mince. Les architectures SOI ont tout d'abord été introduites, ainsi que leurs principales caractéristiques et spécificités. Un nouvel effet de substrat flottant, le GIFBE, est mis en évidence et analysé de façon détaillée. L'impact de la réduction d'échelle sur l'effet kink est également mentionné. Le bruit électrique et les différentes sources de bruit internes aux composants MOS sont ensuite présentés. Une attention toute particulière est portée au bruit en 1/f, dont le niveau global est plus élevé que dans les filières CMOS SOI 0.25æm. Le modèle de fluctuations du nombre de porteurs permet d'expliquer la plupart des résultats obtenus. Un excès de bruit dû au GIFBE a été mis en évidence. Sa dépendance avec la géométrie a été analysée, et des simulations réalisées. De la même manière que l'excès de bruit dû au kink, de l'ordre d'une décade, il est supprimé par l'utilisation d'architectures à prise. Ensuite, les mécanismes de génération et d'injection de porteurs chauds ont été considérés. Le pire-cas de la dégradation induite par un vieillissement électrique accéléré a été reporté pour Vg=Vd. Les mécanismes responsables de la dégradation en condition de pire-cas ont été identifiés. La saturation de la dégradation a été également soulignée, tout comme des difficultés inhérentes à la systématisation de l'extrapolation de la durée de vie des dispositifs en raison de régimes de dégradation fortement dépendant de la gamme de polarisations de drain choisie.
Bruit Basse Fréquence dans les transistors bipolaires à hétérojonction
Author: Cyril ChayPublisher: Editions Universitaires Europeennes
ISBN: 9783838180113
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Languages : fr
Pages : 140
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Resume: Ce travail a consiste a caracteriser des transistors bipolaires a heterojonction par des mesures de bruit basse frequence (BF). Cette etude a porte sur deux types de composants: des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancees. Les mesures de bruit basse frequence sont effectuees en fonction de la polarisation sur des transistors presentant differents parametres technologiques (surface d'emetteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modeliser le bruit en 1/f associe au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les parametres SPICE utilises dans les modeles de simulation electrique des circuits. Un facteur de merite reliant les performances frequentielles et les performances en bruit BF a ete propose. Une etude de l'influence du stress electrique sur des transistors Si/SiGe a ete effectuee pour localiser les defauts et les sources de bruit associees.
Etude du bruit électrique en 1/f et des fluctuations RTS aux basses fréquences dans le transistor MOS submicronique
Author: Olivier Roux Dit BuissonPublisher:
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Languages : fr
Pages : 166
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CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A LA MODELISATION DU BRUIT EN 1/F ET DES FLUCTUATIONS RTS DANS LE TRANSISTOR MOS SUBMICRONIQUE. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR A ENRICHISSEMENT ET LES EFFETS DE LA REDUCTION DES DIMENSIONS DU COMPOSANT POUR UNE INTEGRATION A TRES GRANDE ECHELLE (VLSI). DANS LE DEUXIEME CHAPITRE, NOUS ANALYSONS LES MODELES DU BRUIT EN 1/F ET PROPOSONS UNE METHODE DE DIAGNOSTIC DES SOURCES DE CE TYPE DE BRUIT, POUR DISTINGUER LES FLUCTUATIONS DE MOBILITE (MODELE DE HOOGE) DES FLUCTUATIONS DU NOMBRE DE PORTEURS (MODELE DE MC WHORTER). NOUS VALIDONS UN MODELE DES FLUCTUATIONS RTS ASSOCIEES AU PIEGEAGE D'UN SEUL PORTEUR DU CANAL DANS LES DISPOSITIFS DE SURFACE DE GRILLE SUBMICRONIQUE. CE MODELE NOUS PERMET DE PREVOIR L'EVOLUTION DE L'AMPLITUDE ET DES CONSTANTES DE TEMPS DE CES FLUCTUATIONS EN FONCTION DES POLARISATIONS. NOUS ANALYSONS ALORS L'IMPACT SUR LE BRUIT A BASSE FREQUENCE DE LA MINIATURISATION DES DISPOSITIFS. LE TROISIEME CHAPITRE TRAITE DE LA CARACTERISATION EN BRUIT DE FILIERES CMOS 1 M, 0,7 M ET 0,35 M. NOUS DETERMINONS LES SOURCES DES FLUCTUATIONS DANS UNE ETUDE DU BRUIT DES TRANSISTORS A CANAL DE TYPE N OU P. LES EFFETS DE DEGRADATIONS UNIFORME ET NON UNIFORME DE L'OXYDE DE GRILLE SONT EVALUES PAR LA MESURE DE BRUIT. NOUS ANALYSONS LES FLUCTUATIONS RTS DANS LES TRANSISTORS MOS DE SURFACE SUBMICRONIQUE, SUR SUBSTRAT MASSIF OU ISOLANT. LES VARIATIONS DE L'AMPLITUDE ET DES CONSTANTES DE TEMPS SONT COMPAREES AUX MODELES ET PERMETTENT DE LOCALISER LES PIEGES DANS L'OXYDE DE GRILLE. DANS LA TECHNOLOGIE CMOS 0,35 M, LA DISPERSION DES NIVEAUX DE BRUIT MESUREE D'UN COMPOSANT A L'AUTRE ET ASSOCIEE AUX FLUCTUATIONS RTS, EST COMPAREE AUX PREVISIONS DES MODELES. CETTE DISPERSION AUGMENTE FORTEMENT QUAND LA SURFACE DE LA GRILLE DES COMPOSANTS DIMINUE EN DESSOUS DU MICRON CARRE
Contribution à l'étude du bruit de fond basse fréquence des transistors à effet de champ à grille isolée
Author: José DépisMétrologie et modélisation du bruit basse fréquence dans les transistors à effet de champ
Author: Ahmed LyoubiPublisher:
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Languages : fr
Pages : 164
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Le travail présenté dans ce mémoire concerne le développement d'un banc de mesure du bruit basse fréquence et la modélisation électrique distribuée des transistors à effet de champ hyperfréquences afin de disposer d'une description plus fine de ce composant pour la CAO des circuits micro-ondes. Une première approche utilise la modélisation dite classique qui permet de décrire le transistor par un circuit équivalent électrique intrinsèque. Cependant, les spécifications contraignantes imposées aux spectres de bruit des oscillateurs inclus dans les systèmes électroniques imposent une modélisation rigoureuse du comportement en bruit basse fréquence des composants actifs. Le bruit de phase d'un oscillateur étant étroitement lié au bruit basse fréquence du transistor utilisé, il faut étudier le comportement en bruit de fond du composant. En effet, la présence de bruit converti par modulation de phase et d'amplitude autour de la porteuse des oscillateurs, contribue à l' augmentation des taux d'erreurs et à la diminution de la sensibilité des radars pour ne citer que ces deux exemples. Pour cela un banc de mesure de bruit basse fréquence, composé d'un amplificateur de tension faible bruit, d'un amplificateur transimpédance et d'un analyseur FFT a été mis au point, et un modèle de TEC de type distribué incluant ces sources de bruit a été développé à partir de la caractérisation expérimentale. Puis ce modèle distribué en bruit basse fréquence nous a permis de comparer avec succés les mesures et les simulations du bruit de phase d'un oscillateur à résonatuer diélectrique, circuit constitutif d'une source millimétrique complète d'un radar anti-collision fonctionnant à 77 GHz, et ayant une fréquence d'oscillation de 19 GHz.
Etude expérimentale et modélisation du bruit basse fréquence en fonction de la température (80K-300K) dans des transistors MOS issus de plusieurs technologies avancées (0,13mum-32 nm)
Author: Wei GuoPublisher:
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Languages : fr
Pages : 128
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Dans cette thèse, une étude expérimentale du bruit basse fréquence est réalisée en fonction de la température entre 80K et 300E pour des transistors MOS issus de trois technologies avancées de 0,13 mum à 32 nm. Pour les transistors MOS partiellement déplétés sur substrat SOI (Silicon on insulator), un modèle complet du bruit Lorentzien filtré dû à l’effet Kink linéaire est proposé et validé en fonction de la température. Pour les transistors MOS en germanium sur substrat de silicium avec un isolant de grille à haute permittivité, il a été observé du bruit en 1/fγ expliqué par des fluctuations du nombre de porteurs corrélées avec les fluctuations de mobilité et il a été montré que l’utilisation d’un empilement pour la grille dégrade la qualité de l’interface entre semi-conducteur et oxyde de grille. Une corrélation entre la mobilité et le niveau de bruit a été observée : celle-ci est probablement due à l’action du mécanisme des collisions coulombiennes sur la mobilité et le bruit. Pour les transistors MOS sur substrat SOI à mutli-grille (FinFET), l’introduction des mécanismes de contrainte permet d’augmenter la mobilité mais ne change pas le niveau du bruit basse fréquence. En outre, un bruit inhabituel sous forme de spectre à deux niveaux de en 1/f combines est observé dans les transistor MOS FinFET type N qui ont subi la technique de croissance sélective épitaxiale. Un modèle empirique est propose.
Modélisation distribuée des sources de bruit basse fréquence dans les transistors à effet de champ
Author: Emmanuelle VauryPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 258
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CE MEMOIRE PRESENTE LA MODELISATION DISTRIBUEE DES SOURCES DE BRUIT BASSE FREQUENCE DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP : APPLICATION A LA CONCEPTION D'OSCILLATIONS A FAIBLE BRUIT DE PHASE. L'EXPOSE DES TRAVAUX SE DECOMPOSE EN QUATRE PARTIES. AU COURS DE LA PREMIERE PARTIE, UNE NOUVELLE METHODOLOGIE DE CONCEPTION D'OSCILLATEUR S A BRUIT DE PHASE MINIMUM EST PRESENTEE. CETTE APPROCHE EST ILLUSTREE PAR LA REALISATION D'UN OSCILLATEUR A TRANSISTOR PHEMT, EN BANDE X, PRESENTANT UN BRUIT DE PHASE MESURE DE -80 DBC/HZ A 100 HZ DE LA PORTEUSE, CONSTITUANT UN ETAT DE L'ART. LES MODELES DE BRUIT BASSE FREQUENCE ACTUELLEMENT DISPONIBLES SONT TRES SOUVENT INSUFFISANTS. EN EFFET, ILS CONDUISENT A UNE ESTIMATION ERRONEE DES PERFORMANCES EN TERME DE BRUIT DES CIRCUITS ELECTRONIQUES. AINSI, LA SECONDE PARTIE EXPOSE UNE MODELISATION DE TYPE DISTRIBUEE DES SOURCES DE BRUIT DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP, ET CECI A PARTIR DES MESURES DE BRUIT SUR LE TRANSISTOR. DIFFERENTS MODELES SONT PROPOSES. L'INTEGRATION DE CES NOUVEAUX MODELES DANS LES LOGICIELS DE CAO COMMERCIAUX ETANT ENCORE DIFFICILE, NOUS EXPOSERONS EN TROISIEME PARTIR UN OUTIL D'ANALYSE PARAMETRIQUE PERMETTANT LA CARACTERISATION EN BRUIT DE CIRCUITS NON LINEAIRES. SA MISE EN UVRE A ETE EFFECTUEE DANS LE LOGICIEL MDS OU UNE PREMIERE SIMULATION D'UN CIRCUIT MMIC A ETE MENEE. ENFIN, LA QUATRIEME PARTIE DECRIT LE BANC DE CARACTERISATION DES SOURCES DE BRUIT BF, NECESSAIRES A L'ELABORATION DES MODELES PRESENTES LORS DE LA DEUXIEME PARTIE. DES MESURES REALISEES SUR UN TRANSISTORS DE TYPE PHEMT ILLUSTRENT LES POSSIBILITES DU BANC.