Author: Colette CoquantPublisher:
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Languages : fr
Pages : 162
Book Description
Contribution à l'étude des spectres des composés diatomiques de l'or avec le calcium et le silicium
Author: Colette CoquantContribution à l'étude des spectres des composés diatomiques de l'or
Author: René HoudartContribution à l'étude des propriétés de l'or dans le silicium
Author: Jean-Paul PialouxContribution à l'étude des spectres électroniques de radicaux et d'ions diatomiques et triatomiques linéaires
Author: Joëlle Lalitte-RostasPublisher:
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Languages : fr
Pages : 12
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Contribution à l'étude des spectres infrarouge de l'hydroxyde de calcium et de microcristaux de solides ioniques
Author: Pierre Lagarde (médecin.)Publisher:
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Languages : fr
Pages : 170
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Contribution à l'étude des spectres infrarouge de l'hydroxyde de calcium et de micro-cristaux de solides ioniques
Author: Pierre LagardePublisher:
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Languages : fr
Pages : 46
Book Description
SPECTRE IR DE CA (OH)::(2) A 3600 CM**(-1) ET EN DESSOUS DE 600 CM**(-1). INTERPRETATION THEORIQUE DES RESULTATS. ETUDE DE L'ABSORPTION IR DE CRISTAUX IONIQUES DE DIMENSIONS TRES INFERIEURES A LA LONGUEUR D'ONDE DU RAYONNEMENT INCIDENT. PROPOSITION D'UN MODELE POUR LES CRISTAUX DE STRUCTURE NACL, PLUS SIMPLE QUE CELLE DE CA (OH)::(2) ET POUR LAQUELLE EXISTENT DEJA DE NOMBREUX RESULTATS EXPERIMENTAUX
Contribution à l'étude de quelques composés azotés et oxyazotés du silicium
Author: Roger MarchandCONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES DIELECTRIQUES ET DE PROPRIETES OPTIQUES INDUITES PAR QUELQUES IMPURETES DANS LES COMPOSES DE LA FAMILLE DE LA MATLOCKITE
Author: ABDELILAH.. FETTOUHIPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 81
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L'ABSORPTION DE MONOCRISTAUX DE MFXM(SR,BA) ; X(CL,BR,I) A ETE ETUDIEE A LA TEMPERATURE AMBIANTE PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE DANS LE DOMAINE SPECTRAL S'ETENDANT DE 50 A 4000 CM#-#1. LES SPECTRES D'ABSORPTION MONTRENT QUE CES COMPOSES SONT TRANSPARENTS AU DELA DE 600 CM#-#1. LES MODES DE COMBINAISONS DE PHONONS DANS CES CRISTAUX ONT ETE DETERMINES A PARTIR DES MODES FONDAMENTAUX DE VIBRATION DES IONS DANS LE RESEAU CRISTALLIN. DES MODIFICATIONS DES SPECTRES D'ABSORPTION ONT EGALEMENT ETE OBSERVEES SUR DES CRISTAUX SOUMIS A UN TRAITEMENT CHIMIQUE EN PRESENCE DE VAPEUR D'EAU ET DE GAZ CARBONIQUE OU A UN BOMBARDEMENT DE RAYONS X EN PRESENCE DE CES GAZ. LE RECUIT DES COMPOSES DANS DU GAZ CARBONIQUE ENTRAINE L'APPARITION DANS LE SPECTRE D'ABSORPTION DES BANDES DE CARBONATES. LA PRESENCE DE LA VAPEUR D'EAU PROVOQUE ESSENTIELLEMENT L'APPARITION DE LA BANDE CORRESPONDANT AU MODE D'ELONGATION DE OH#-. L'IRRADIATION X PROVOQUE DES REACTIONS CHIMIQUES RESPONSABLES DE LA FORMATION DE CARBONATES ET DE DENTATES SUR LES SITES X DU CRISTAL. PAR AILLEURS DES MESURES DE LA CONSTANTE DIELECTRIQUE ONT ETE EFFECTUEES. LES RESULTATS OBTENUS SONT EN BON ACCORD AVEC LES VALEURS OBTENUES PAR LES MESURES OPTIQUES DANS L'INFRAROUGE. L'EVOLUTION DE LA CONSTANTE DIELECTRIQUE STATIQUE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE A ETE CARACTERISEE PAR UN PIC TRES ACCENTUE A DES TEMPERATURES DE L'ORDRE DE 1040 K. CETTE EVOLUTION EST PROBABLEMENT LIEE A UNE TRANSITION DE PHASE ORDRE-DESORDRE DU SECOND ORDRE ET CORRESPOND AU PASSAGE DE LA PHASE ANTI-FERROELECTRIQUE A LA PHASE PARAELECTRIQUE
Contribution à l'étude des composés graphite-pentafluorure d'arsenic, par résonance magnétique nucléaire du fluor et spectrométrie d'absorption des R.X. au seuil K de l'arsenic
Author: Hocine Sfihi (auteur d'une thèse de sciences.)Publisher:
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Languages : fr
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Contribution à l'étude du cuivre dans le silicium et d'une technique de caractérisation associée
Author: Assia FaridPublisher:
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Languages : fr
Pages : 171
Book Description
Le cuivre est un contaminant majeur du silicium, connu pour être à l'origine de défaillances de composants intégrés. Son introduction dans les composants submicroniques engendre un risque supplémentaire de contamination et de fait accentue le besoin d'outils pour la détection du cuivre à l'état de trace dans le silicium. Cette thèse a pour but d'étudier les propriétés physiques du cuivre dans le silicium en utilisant la technique TID (pour Transient Ion Drift) comme outil de détection.Le chapitre I expose le comportement des impuretés métalliques en particulier le cuivre dans le silicium et les enjeux technologiques quant à la détection du cuivre à l'état de trace. Une description de la méthode utilisée dans ce travail a été détaillée dans le deuxième chapitre. L'optimisation de la cinétique d'activation, étape thermique nécessaire avant toute mesure TID, pour minimiser le risque de contamination supplémentaire a fait l'objet du troisième chapitre. Le chapitre IV a été consacré à l'étude du comportement du cuivre interstitiel sous l'effet de la lumière visible. Des modèles théoriques à l'appuis ont été utilisés pour expliquer les différents résultats obtenus. La dernière partie du manuscrit a été consacrée à l'étude du comportement du cuivre dans le silicium de type FZ (Fusion de Zone).