Contribution à l'étude des phénomènes d'électromigration dans l'aluminium, le ferrosilicium à 3,1% de silicium PDF Download

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Contribution à l'étude des phénomènes d'électromigration dans l'aluminium, le ferrosilicium à 3,1% de silicium

Contribution à l'étude des phénomènes d'électromigration dans l'aluminium, le ferrosilicium à 3,1% de silicium PDF Author: Ahmed Niazi
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 137

Book Description
ETUDE DE L'ELECTRODIFFUSION DANS AL(99,99%) ET DANS LE FERROSILICIUM (3,1%SI) EN CONSIDERANT LES DIFFERENTS ASPECTS DE L'INFLUENCE DU CHAMP ELECTRIQUE SUR LA MASSE METALLIQUE, LA SOUS-STRUCTURE DE POLYGONISATION ET LES JOINTS DE GRAINS. DESCRIPTION DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES UTILISEES DONT CERTAINES SONT ORIGINALES. POUR AL: LES SOUS-JOINTS DE LA SOUS-STRUCTURE DE POLYGONISATION SE DEPLACENT EN BLOC VERS LA CATHODE; LES JOINTS QUANT A EUX MIGRENT VERS L'ANODE D'UNE FACON QUI PEUT S'EXPLIQUER PAR LE FAIT QUE LE MOUVEMENT DU JOINT PRODUIT PAR LA PRESSION ISSUE DU COURANT ELECTRIQUE EST FREINE PAR ANCRAGE THERMIQUE. POUR LE FERROSILICIUM: LES SOUS-STRUCTURES DE POLYGONISATION MIGRENT EN BLOC VERS L'ANODE COMME LE RESEAU CRISTALLIN; MISE EN EVIDENCE D'UNE ANISOTROPIE MARQUEE POUR LES PHENOMENES D'ELECTROMIGRATION DES JOINTS DE GRAINS, LA DIRECTION DE LAMINAGE APPARAISSANT COMME LA DIRECTION DE MIGRATION LA PLUS AISEE

Contribution à l'étude des phénomènes d'électromigration dans l'aluminium, le ferrosilicium à 3,1% de silicium

Contribution à l'étude des phénomènes d'électromigration dans l'aluminium, le ferrosilicium à 3,1% de silicium PDF Author: Ahmed Niazi
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 137

Book Description
ETUDE DE L'ELECTRODIFFUSION DANS AL(99,99%) ET DANS LE FERROSILICIUM (3,1%SI) EN CONSIDERANT LES DIFFERENTS ASPECTS DE L'INFLUENCE DU CHAMP ELECTRIQUE SUR LA MASSE METALLIQUE, LA SOUS-STRUCTURE DE POLYGONISATION ET LES JOINTS DE GRAINS. DESCRIPTION DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES UTILISEES DONT CERTAINES SONT ORIGINALES. POUR AL: LES SOUS-JOINTS DE LA SOUS-STRUCTURE DE POLYGONISATION SE DEPLACENT EN BLOC VERS LA CATHODE; LES JOINTS QUANT A EUX MIGRENT VERS L'ANODE D'UNE FACON QUI PEUT S'EXPLIQUER PAR LE FAIT QUE LE MOUVEMENT DU JOINT PRODUIT PAR LA PRESSION ISSUE DU COURANT ELECTRIQUE EST FREINE PAR ANCRAGE THERMIQUE. POUR LE FERROSILICIUM: LES SOUS-STRUCTURES DE POLYGONISATION MIGRENT EN BLOC VERS L'ANODE COMME LE RESEAU CRISTALLIN; MISE EN EVIDENCE D'UNE ANISOTROPIE MARQUEE POUR LES PHENOMENES D'ELECTROMIGRATION DES JOINTS DE GRAINS, LA DIRECTION DE LAMINAGE APPARAISSANT COMME LA DIRECTION DE MIGRATION LA PLUS AISEE

Contribution à l'étude des phénomènes d'électromigration dans l'aluminium

Contribution à l'étude des phénomènes d'électromigration dans l'aluminium PDF Author: Jean-Claude Pieri
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 18

Book Description


Contribution è l'étude des phénomènes de diffusion de l'aluminum dans le silicium

Contribution è l'étude des phénomènes de diffusion de l'aluminum dans le silicium PDF Author:
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 129

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Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de passivation des défauts par diffusion de cuivre et d'aluminium dans du silicium polycristallin

Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de passivation des défauts par diffusion de cuivre et d'aluminium dans du silicium polycristallin PDF Author: Mohammed Zehaf
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 192

Book Description
ETUDE DE LA CORRELATION ENTRE LA VARIATION DES PROPRIETES ELECTRONIQUES (LONGUEUR DE DIFFUSION, VITESSE DE RECOMBINAISON INTERFACIALE DES JOINTS, MOBILITE, PHOTOCONDUCTIVITE...) ET LES VARIATIONS DE DENSITES DE DEFAUTS OU DE CONCENTRATION EN IMPURETES. ON MET EN EVIDENCE L'EFFET DU CUIVRE DANS LE CAS DE MATERIAUX CONTENANT DE L'OXYGENE ET DE L'ALUMINIUM DANS CEUX CONTENANT DES DISLOCATIONS DONT IL INHIBE L'ACTIVITE DE RECOMBINAISON

"contribution a letude des phenomenes d,electromigration dans l,aluminium le ferrosilicium"

Author: احمد حسين بدوى نيازى
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : ar
Pages : 137

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Contribution à l'étude des phénomènes de passivation de l'aluminium immergé en milieu nitrique

Contribution à l'étude des phénomènes de passivation de l'aluminium immergé en milieu nitrique PDF Author: Jos Patrie
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0

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Contribution à l'étude de la nitruration de l'aluminium et du silicium par plasma d'azote en résonance cyclotronique électronique répartie

Contribution à l'étude de la nitruration de l'aluminium et du silicium par plasma d'azote en résonance cyclotronique électronique répartie PDF Author: Nicolas Duez
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 196

Book Description
Dans ce travail, les potentialites d'utilisation d'un plasma d'azote a la resonance cyclotronique electronique repartie (rcer) pour nitrurer l'aluminium et le silicium ont ete etudiees. La nitruration est une technique d'enrichissement en azote mettant en jeu a la fois une conversion chimique superficielle conduisant a la formation de nitrure, l'implantation d'especes reactives energetiques et une diffusion de l'azote en solution interstitielle. L'aluminium ou les alliages a base d'aluminium sont souvent choisis pour leur legerete et pour leur usinabilite aisee. Toutefois, l'utilisation de ce metal est limitee a cause de ses proprietes tribologiques mediocres. Dans le cadre du durcissement de ce metal, la formation d'une couche superficielle de nitrure apparait comme une bonne alternative. Le silicium est essentiellement employe pour des applications dans le domaine de l'electronique a cause de son caractere semi-conducteur. L'incorporation d'azote dans ce materiau permet entre autre d'en modifier les proprietes electroniques. Cette etude est essentiellement basee sur des analyses realisees par spectroscopie de photoelectrons induits par rayons x (xps). Les resultats sont renforces par des analyses complementaires realisees par microscopie electronique a balayage (meb), spectroscopie infrarouge a transformee de fourier (ftir), tensiometrie et nanoindentation. Les aspects mecanistiques de la nitruration de l'aluminium et du silicium sont abordes en prenant en compte les phenomenes d'implantation et de diffusion. Une estimation des coefficients de diffusion de l'azote et de l'oxygene dans l'aluminium est proposee.

Contribution à l'étude des phénomènes de passivation de l'aluminium immergé en milieu nitrique

Contribution à l'étude des phénomènes de passivation de l'aluminium immergé en milieu nitrique PDF Author: Jos Patrie
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 31

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CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES LIMITANT LA FIABILITE DES LIGNES CONDUCTRICES EN ALUMINIUM DES CIRCUITS VLSI

CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES LIMITANT LA FIABILITE DES LIGNES CONDUCTRICES EN ALUMINIUM DES CIRCUITS VLSI PDF Author: BRUNO.. BACCONNIER
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 158

Book Description
LES METALLISATIONS EN ALUMINIUM DES CIRCUITS INTEGRES SONT SOUMISES A DES CONTRAINTES THERMOMECANIQUES, AU COURS DE L'ELABORATION DES DISPOSITIFS, ET ELECTRIQUES, AU COURS DE LEUR FONCTIONNEMENT QUI LIMITENT LEUR FAISABILITE ET LEUR FIABILITE. L'ETUDE DES PHENOMENES INDUITS PAR CES CONTRAINTES A ETE REALISEE GRACE A LA MISE AU POINT D'UNE METHODE D'ANALYSE STATISTIQUE ORIGINALE DES PROFILOGRAMMES DE LA SURFACE DES FILMS ET D'UN LOGICIEL DE TEST D'ELECTROMIGRATION QUI PILOTE UN ENSEMBLE DE 64 GENERATEURS DE COURANT INDEPENDANTS. LES CARACTERISTIQUES DES EXCROISSANCES D'ORIGINE THERMIQUE ONT ETE RELIEES QUANTITATIVEMENT A LA TEXTURE DES FILMS ET A LA VITESSE DE CHAUFFAGE. CES RESULTATS ET UNE MODELISATION DE LA RELAXATION DES CONTRAINTES INDUITES PAR UN TRAITEMENT THERMIQUE MONTRENT QUANTITATIVEMENT QUE LA FORMATION DES EXCROISSANCES RESULTE D'UN TRANSPORT DE MATIERE CONTROLE PAR LA DIFFUSION INTERGRANULAIRE. LES COMPORTEMENTS SOUS ELECTROMIGRATION DES MATERIAUX TESTES ONT ETE CARACTERISES PAR L'EVOLUTION TEMPORELLE DE LA RESISTANCE ELECTRIQUE. UNE SIMULATION DE CETTE EVOLUTION A EGALEMENT ETE EFFECTUEE. LA LOCALISATION D'EXCROISSANCE D'ELECTROMIGRATION SUR LA CATHODE DES STRUCTURES DE TEST A ETE EXPLIQUEE A L'AIDE DE LA MICROSTRUCTURE DES LIGNES, DE LEURS DIMENSIONS ET DE LEUR COMPOSITION. L'ENSEMBLE DES RESULTATS MONTRE L'IMPORTANCE D'ASSOCIER L'ETUDE DES EFFETS ELECTRIQUES A CELLE DES EFFETS THERMOMECANIQUES DANS LES FILMS MINCES D'ALUMINIUM

Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de diffusion dans le silicium

Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de diffusion dans le silicium PDF Author: André Fortini
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 45

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