CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE PDF Download
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MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS
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MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS
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ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTIVITE ET DE PHOTOCONDUCTIVITE. MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DES PORTEURS AFIN D'OBTENIR LEUR MOBILITE D'ENTRAINEMENT. MESURE ENTRE 85 ET 240 K
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE MONTRER QUE LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS ET LA STABILITE THERMIQUE DE L'HYDROGENE (DEUTERIUM) DANS LE SILICIUM AMORPHE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE RF DEPENDENT DES CONDITIONS DE DEPOT DE LA COUCHE ET INFLUENT SUR LA MICROCTRUCTURE DU SILICIUM MICRO-CRISTALLIN QUI EN RESULTE PAR RECUIT THERMIQUE. LES MATERIAUX AMORPHES SONT DEPOSES A PARTIR D'ARGON PUR OU D'ARGON + HYDROGENE (DEUTERIUM), AVEC UNE CATHODE SIMPLE OU UNE CATHODE MAGNETRON, EN FAISANT VARIER LA TEMPERATURE DE SUBSTRAT ET LA PUISSANCE DU PLASMA. LES ANALYSES PAR SIMS, FTIR ET EXODIFFUSION MONTRENT QUE LA CATHODE SIMPLE CONDUIT A DES COUCHES AMORPHES HYDROGENEES QUI PRESENTENT DES ZONES PEU DENSES RICHES EN DEUTERIUM PEU STABLE THERMIQUEMENT, ET DES REGIONS PLUS DENSES, OU L'HYDROGENE EST PLUS STABLE. CECI EST CONFIRME PAR L'ETUDE PAR DIFFRACTION X DE LA RELAXATION DU MATERIAU. UNE TEMPERATURE DE SUBSTRAT PLUS ELEVEE AUGMENTE LES TAUX DE LIAISONS SIMPLES SI-H ISOLEES ET DE LIAISONS THERMIQUEMENT STABLES. ON NE PEUT PAS IDENTIFIER STRICTEMENT LA LIAISON SIMPLE SI-H AVEC LA LIAISON STABLE ET LE DIHYDRIDE SI-H 2 AVEC LA LIAISON LA MOINS STABLE. LA CATHODE MAGNETRON PERMET UNE DISTRIBUTION PLUS HOMOGENE DE L'HYDROGENE DANS LA COUCHE, ACCROIT LE TAUX DE LIAISONS SIMPLES ET L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DU PLASMA AMPLIFIE CE PHENOMENE. L'ETUDE PAR MET ET DIFFRACTION X DE LA MICROSTRUCTURE DES COUCHES CRISTALLISEES MONTRE QUE LA PRESENCE D'HYDROGENE DANS LA COUCHE AMORPHE CONDUIT A UNE PLUS PETITE TAILLE DE GRAIN QUE POUR LES COUCHES DEPOSEES SANS HYDROGENE. L'IMPORTANCE DES MICRO-CAVITES PRESENTES DANS LES COUCHES CRISTALLISEES EST REDUITE LORSQUE L'HYDROGENE EST DISTRIBUE DE FACON HOMOGENE DANS LE SILICIUM AMORPHE DONT ELLES SONT ISSUES. FINALEMENT, DANS LES COUCHES CRISTALLISEES ET POST-HYDROGENEES, NOUS METTONS EN EVIDENCE LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE AUX JOINTS DE GRAINS AINSI QUE SON PIEGEAGE DANS LES MICRO-CAVITES ET SUR LES DEFAUTS INTRA- ET INTER- GRANULAIRES.
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A PARTIR DES MESURES DE LA CAPACITE ET DE LA CONDUCTANCE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE, ON DETERMINE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES AU NIVEAU DE FERMI ET LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE DES ELECTRONS. L'EVOLUTION DE LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE PERMET D'ECARTER LE MECANISME DE L'EMISSION MULTIPHONONIQUE AVEC FAIBLE COUPLAGE COMME PROCESSUS DE CAPTURE POUVANT EXISTER DANS LE MATERIAU A-SI:H ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE
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ON ETUDIE LES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) ET NOTAMMENT L'EFFET STAEBLER-WRONSKI QUI CONSISTE EN LA CREATION DE DEFAUTS DE COORDINATION METASTABLES SOUS LUMIERE. UN PHENOMENE NOUVEAU, A SAVOIR LA GUERISON DE CES DEFAUTS PAR LA LUMIERE, NOUS A AMENE A REDISCUTER LES MODELES PHENOMENOLOGIQUES EXISTANTS. IL EST ALORS APPARU NECESSAIRE DE DEVELOPPER UN NOUVEAU MODELE. CE DERNIER POSTULE QUE LA CREATION DE DEFAUTS EST DUE A LA RECOMBINAISON DE PAIRES ELECTRONS-TROUS ET QUE LA GUERISON DES DEFAUTS EST CAUSEE PAR LA CAPTURE DE TROUS PAR CES MEMES DEFAUTS. DANS UN SECOND TEMPS CE MODELE EST APPLIQUE AUX RESULTATS OBTENUS SUR DES FILMS DE A-SI:H DEPOSES DANS DE NOUVELLES CONDITIONS ; CE QUI A SERVI DE TEST POUR VALIDER NOTRE MODELE. L'EXTENSION DE L'ETUDE A UNE LARGE GAMME DE FILMS A MONTRE QUELE A-SI:H OPTIMAL, I.E. LE PLUS STABLE SOUS ILLUMINATION, ETAIT OBTENU A PARTIR DE MELANGES SILANE-HELIUM A 350C
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ON MONTRE QUE LA MICROANALYSE NUCLEAIRE ASSOCIANT RETRODIFFUSION ELASTIQUE DES PARTICULES CHARGEES ET REACTIONS NUCLEAIRES EST PARFAITEMENT ADAPTEE A LA DETERMINATION QUANTITATIVE ET AU TRACE DE PROFILS DE CONCENTRATION DES CONSTITUANTS MAJEURS (CARBONE, OXYGENE, ARGON, HYDROGENE) DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE OBTENUES PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE. UNE METHODE DE TRAITEMENT INFORMATIQUE DES SPECTRES DE PARTICULES CHARGEES (RETRODIFFUSION ELASTIQUE PRINCIPALEMENT) EST PRESENTEE
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CET OUVRAGE TRAITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE DIODE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H). SOUS POLARISATION INVERSE, NOUS ANALYSONS LA RELAXATION DES PORTEURS DE CHARGES A PARTIR DE L'ETUDE DE PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES A L'EXTINCTION. CETTE ETUDE CONCERNE LES CIBLES PHOTOCONDUCTRICES EN A-SI:H DES TUBES VIDICON, QUI CONVERTISSENT UNE IMAGE OPTIQUE EN UN SIGNAL ELECTRIQUE. LA RELAXATION DES PORTEURS S'Y TRADUIT EN TERME DE REMANENCE, CELLE-CI REPRESENTE LE SOUVENIR QUE CONSERVE LE DISPOSITIF D'UNE IMAGE ANTERIEURE. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION PERMETTANT D'EN DETERMINER LA NATURE. NOUS MONTRONS QUE POUR LES STRUCTURES ETUDIEES, ELLE PROVIENT DES INTERFACES. NOS MESURES DES GRANDEURS CARACTERISTIQUES DU TRANSPORT DE CHARGES S'INTERPRETENT PAR LE MODELE DECRIVANT LE TRANSPORT DANS CE MATERIAU. NOUS OBTENONS UNE STRUCTURE DE CIBLE DETENANT UNE REMANENCE INFERIEURE A 2%. EN APPLIQUANT UNE POLARISATION DIRECTE A NOTRE DIODE N-I-P NOUS ETUDIONS LA RECOMBINAISON DES PORTEURS DE CHARGES. POUR DES NIVEAUX D'INJECTION ELEVES, NOUS ATTEIGNONS LE REGIME DIT DE DOUBLE INJECTION DANS LEQUEL LA RECOMBINAISON CONTROLE LE COURANT, NOUS EXPLORONS LA DUREE DE VIE SUR UN VASTE DOMAINE D'INJECTION. NOUS MESURONS DES GAINS DE DOUBLE INJECTION ET DE PHOTOCONDUCTION S'EXPRIMANT AU PREMIER ORDRE COMME LE RAPPORT DE LA DUREE DE VIE SUR LE TEMPS DE TRANSIT. NOUS MONTRONS QUE, POUR LE A-SI:H, LE GAIN DE DOUBLE INJECTION, CONTRAIREMENT AU GAIN DE PHOTOCONDUCTION, N'EST PAS UNE BONNE MESURE DE LA DUREE DE VIE. NOUS OBTENONS DES GAINS DE PHOTOCONDUCTION DE L'ORDRE DE 800. NOUS MONTRONS LE ROLE ESSENTIEL DES INTERFACES SUR LA LIMITATION DU COURANT ELECTRIQUE. NOUS ETUDIONS EGALEMENT, DANS CE REGIME, LA DEGRADATION, PAR EXPOSITION DE LUMIERE PROLONGEE, DU TRANSPORT DE CHARGES. NOUS CONSTATONS UNE DIMINUTION DU PHOTOCOURANT ET DU COURANT D'OBSCURITE COMPATIBLE AVEC UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE DE DEFAUTS PROFONDS
Author: M.. BONNET Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 28
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DETERMINATION DES PHENOMENES PHYSIQUES LIES A LA PREPARATION DE L'OXYDE D'INDIUM PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE ET DES PARAMETRES REGISSANT LES PROPRIETES PHYSIQUES. ETUDE ET INTERPRETATION, EN FONCTION DE LA COMPOSITION DES COUCHES, DE L'EVOLUTION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES ET OPTIQUES, DES PHENOMENES DE TRANSPORT ET DE LA STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE
Author: Christophe Longeaud
Author: Christophe Longeaud
Author: JEAN-PIERRE.. PEYRE
Author: LAURENT.. LUSSON
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Author: STEPHANE.. VIGNOLI
Author: Luc Jeannerot
Author: Didier Jousse
Author: Adnan Mini
Author: RACHID.. AMOKRANE
Author: M.. BONNET