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Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de la passivation des défauts par l'hydrogène dans du silicium polycristallin

Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de la passivation des défauts par l'hydrogène dans du silicium polycristallin PDF Author: Hassan Amzil
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 176

Book Description
ETABLISSEMENT D'UNE CORRELATION ENTRE LES VARIATIONS DES PROPRIETES ELECTRONIQUES GLOBALES, LOCALES, ET LES DENSITES DE DEFAUTS (TAILLE DES GRAINS, LONGUEUR DES JOINTS DE GRAINS, DENSITE DES DISLOCATIONS, CONCENTRATION EN CARBONE, DOPAGES EXCESSIFS...). LES GRANDEURS ELECTRONIQUES MESUREES SONT LES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, LES COURANTS INDUITS PAR FAISCEAU DE LUMIERE IR FOCALISE (LBIC), LES VITESSES DE RECOMBINAISON INTERFACIALE AUX JOINTS DE GRAINS. ETUDE LA PASSIVATION DES DEFAUTS PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE ET MOLECULAIRE
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