Contribution à l'étude des méthodes de modélisation de l'immunité électromagnétique des circuits intégrés PDF Download
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Author: Ali Alaeldine Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 163
Book Description
De nos jours, le développement rapide des systèmes électroniques complexes multiplie les sources de perturbations électromagnétiques, auxquelles un nombre de circuits actuels deviennent de plus en plus susceptibles. Il devient donc indispensable de prédire les comportements des circuits intégrés vis-à-vis de ces perturbations, qu’elles soient conduites ou rayonnées. Cette thèse propose donc une méthodologie de simulation de l’immunité conduite et rayonnée des circuits intégrés dans leur environnement. Les travaux ont été menés sur un circuit intégré multi-cœur précédemment utilisé pour l’étude des techniques de réduction des émissions parasites. Celui-ci a permis, en sus de la méthodologie déjà citée, d’identifier quelques règles de conception en vue d’une meilleure immunité électromagnétique. Le premier chapitre est consacré à l’étude des origines des perturbations électromagnétiques et de leurs influences sur le comportement des circuits intégrés, ainsi que des méthodes de mesure de la susceptibilité en modes conduit et rayonné, en harmonique et en transitoire. Les chapitres 2 et 3 présentent des modèles électriques complets pour la simulation de l’immunité en mode conduit d’un circuit intégré, respectivement en harmonique (DPI - Direct Power Injection) et en transitoire (VF-TLP - Very Fast Transmission Line Pulsing). Les pertes en puissance ainsi que le substrat du circuit intégré ont également été modélisés. Dans le chapitre 4, un modèle de simulation d’injection en champ proche (en mode rayonné) est introduit et validé par des mesures de susceptibilité effectuées sur des circuits en boîtier avec et sans couvercle. Enfin, l’utilisation de diverses techniques de réduction de l’émission parasite des circuits intégrés pour la diminution conjointe de leur susceptibilité en modes conduit et rayonné est étudiée et discutée dans le chapitre 5. Les perspectives de cette thèse couvrent la prédiction avant fonderie de l’immunité des circuits intégrés aux agressions externes ainsi que la fourniture de leurs modèles pour la simulation d’immunité au niveau carte et au niveau système
Author: Ali Alaeldine Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 163
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De nos jours, le développement rapide des systèmes électroniques complexes multiplie les sources de perturbations électromagnétiques, auxquelles un nombre de circuits actuels deviennent de plus en plus susceptibles. Il devient donc indispensable de prédire les comportements des circuits intégrés vis-à-vis de ces perturbations, qu’elles soient conduites ou rayonnées. Cette thèse propose donc une méthodologie de simulation de l’immunité conduite et rayonnée des circuits intégrés dans leur environnement. Les travaux ont été menés sur un circuit intégré multi-cœur précédemment utilisé pour l’étude des techniques de réduction des émissions parasites. Celui-ci a permis, en sus de la méthodologie déjà citée, d’identifier quelques règles de conception en vue d’une meilleure immunité électromagnétique. Le premier chapitre est consacré à l’étude des origines des perturbations électromagnétiques et de leurs influences sur le comportement des circuits intégrés, ainsi que des méthodes de mesure de la susceptibilité en modes conduit et rayonné, en harmonique et en transitoire. Les chapitres 2 et 3 présentent des modèles électriques complets pour la simulation de l’immunité en mode conduit d’un circuit intégré, respectivement en harmonique (DPI - Direct Power Injection) et en transitoire (VF-TLP - Very Fast Transmission Line Pulsing). Les pertes en puissance ainsi que le substrat du circuit intégré ont également été modélisés. Dans le chapitre 4, un modèle de simulation d’injection en champ proche (en mode rayonné) est introduit et validé par des mesures de susceptibilité effectuées sur des circuits en boîtier avec et sans couvercle. Enfin, l’utilisation de diverses techniques de réduction de l’émission parasite des circuits intégrés pour la diminution conjointe de leur susceptibilité en modes conduit et rayonné est étudiée et discutée dans le chapitre 5. Les perspectives de cette thèse couvrent la prédiction avant fonderie de l’immunité des circuits intégrés aux agressions externes ainsi que la fourniture de leurs modèles pour la simulation d’immunité au niveau carte et au niveau système
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L'objectif de cette thèse est l'étude de l'immunité des circuits intégrés complexes face aux perturbations électromagnétiques. Le début est consacré à la présentation de la compatibilité électromagnétique des circuits intégrés. Une présentation des moyens de maîtrise de la CEM est ensuite donnée. Les principaux thèmes que sont la modélisation, l'optimisation et la mesure sont exposés. L'étude se poursuit par l'établissement d'une méthodologie de construction d'un modèle d'immunité appliquée à un circuit convertisseur. Cette méthodologie s'inspire de la proposition de norme ICIM-CI pour bâtir successivement les différents blocs du modèle d'immunité. Une attention particulière est donnée à la modélisation du mécanisme de défaillance, celui-ci permettant d'obtenir les résultats d'immunité. Les résultats fournis par le modèle sont ensuite comparés puis validés par des mesures sur circuit. Enfin des études complémentaires, portant sur des circuits plus complexes, permettent de proposer des améliorations et perspectives nouvelles pour la démarche de modélisation.
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Le développement de l'électronique dans les systèmes embarqués à application aéronautique, spatial, ou encore automobile est alimenté par des performances croissantes, une intégration poussée et des coûts attractifs, permettant aux industriels d'offrir des solutions techniques et économiques concurrentielles. Néanmoins, cette évolution rapide nécessite une remise en cause permanente des méthodes de conception des systèmes embarqués, dont on doit garantir la maîtrise du comportement dans des environnements sévères. En particulier, la maîtrise de la compatibilité électromagnétique (CEM) est un élément clé de la réussite des challenges d'intégration et d'évolution technologique. Cette étude décrit les différentes phases de modélisation de l’immunité d’un circuit intégré analogique, basée sur les informations techniques non confidentielles données par le fabricant du circuit intégré et l’extraction des modèles électriques des éléments du circuit imprimé. Notre travail apporte un cas d’étude dans le cadre d’une proposition de norme "IEC" (International Electrotechnical Commission) sous la référence IEC-62433. De plus, dans ce mémoire, nous mettons en évidence l’impact du vieillissement des composants électroniques sur les performances CEM. Différentes technologies et types de circuits intégrés sont étudiés pour apporter une analyse qualitative sur l’évolution des paramètres CEM après une certaine durée de vie. Nous proposons une méthodologie de qualification pour apprécier l’évolution des marges CEM sous la dénomination « fiabilité électromagnétique ». Cette méthode, basée sur des procédés expérimentaux et statistiques, permet de caractériser l’impact du vieillissement des composants électroniques sur les paramètres CEM. Ces travaux mettent en évidence l’intérêt d’introduire le facteur « effet du temps » dans nos modèles d’immunité afin de garantir la compatibilité électromagnétique de nos systèmes électroniques embarqués tout au long de leur profil de mission
Author: Ala Ayed Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 0
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De nos jours, la modélisation de la compatibilité électromagnétique est devenue une étape importante de la conception des circuits intégrés permettant un gain sur les délais de validation et les coûts de production. Dans ces travaux de thèse, une contribution à la caractérisation et à la modélisation de la susceptibilité conduite des circuits intégrés est présentée. D'abord, une évolution substantielle de la technique RFIP est élaborée. Cette technique permet de caractériser la susceptibilité conduite des circuits intégrés. Nous avons montré les différentes étapes de caractérisation de la sonde de mesure développée ainsi que du banc de mesure en vue d'une extraction des paramètres d'immunité d'un circuit intégré soumis à des perturbations électromagnétiques. Le principe de la mesure RFIP a été validé par simulation et par mesure notamment lors de la caractérisation de l'immunité d'un convertisseur analogique-numérique embarqué dans un microcontrôleur. Ensuite, la méthodologie de construction de macromodèles d'immunité électromagnétique appliqués aux circuits intégrée est présentée. Le macromodèle construit du convertisseur est basé sur la structure du modèle ICIM-CI et ses paramètres sont extraits à partir des résultats de mesure RFIP. Les différentes approches de construction des blocs du macromodèle sont discutées. La technique RFIP s'est avérée avantageuse pour l'amélioration de la compréhension, la caractérisation et la modélisation de l'immunité des circuits intégrés.
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Avec les progrès technologiques réalisés au cours de ces dernières décennies, la complexité et les vitesses de fonctionnement des circuits intégrés ont beaucoup été augmentées. Bien que ces évolutions aient permis de diminuer les dimensions et les tensions d'alimentations des circuits, la compatibilité électromagnétique (CEM) des composants a fortement été dégradée. Identifiée comme étant un verrou technologique, la CEM est aujourd'hui l'une des principales causes de « re-design » des circuits car les problématiques liées aux mécanismes de génération et de couplage du bruit ne sont pas suffisamment étudiées lors de leur conception.Ce manuscrit présente donc une méthodologie visant à étudier la propagation du bruit à travers les circuits intégrés par mesures et par simulations. Afin d'améliorer nos connaissances sur la propagation d'interférences électromagnétiques (IEM) et les mécanismes de couplage à travers les circuits, nous avons conçu un véhicule de test développé dans la technologie SMOS8MV® 0,25 μm de Freescale Semiconductor. Dans ce circuit, plusieurs fonctions élémentaires telles qu'un bus d'E/S et des blocs numériques ont été implémentées. Des capteurs de tensions asynchrones ont également été intégrés sur différentes alimentations de la puce pour analyser la propagation des perturbations injectées sur les broches du composant (injection DPI) et sur les conducteurs permettant d'alimenter ce dernier (injection BCI). En outre, nous proposons différents outils pour faciliter la modélisation et les simulations d'immunité des circuits intégrés (extraction des modèles de PCB, approches de modélisation des systèmes d'injection, méthode innovante permettant de prédire et de corréler les niveaux de tension/ de puissance injectés lors de mesures d'immunité conduite, flot de modélisation). Chaque outil et méthode de modélisation proposés sont évalués sur différents cas test. Enfin, pour évaluer notre démarche de modélisation, nous l'appliquons sur un bloc numérique de notre véhicule de test et comparons les résultats de simulations aux différentes mesures internes et externes réalisées sur le circuit.
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Dos nos jours, l'évolution croissante des domaines d'application des circuits intégrés impose aux industriels de nouvelles contraintes de conception. Afin de réaliser des circuits électroniques plus denses et plus performants, ils cherchent à faire cohabiter plusieurs types de composants sur des surfaces plus petites et de surcroît, fonctionnant à des fréquences de plus en plus élevées. Cependant, cette cohabitation pourrait générer des problèmes de CEM (compatibilité électromagnétique). Les travaux présentés dans ce mémoire rentrent dans le cadre du projet de recherche SEISME (Simulation de l'Emission et de l'Immunité des Systèmes et Modules Electroniques). Ils décrivent des méthodologies de mesure et de modélisation de'immunité conduite des circuits intégrés complexes comme les mémoires non volatiles ou bien les microcontrôleurs. L'objectif est d'étudier l'influence des changements de composants et de cartes sur le comportement électromagnétique d'un système électronique. Dans cette perspective, afin de valider son utilisation dans le cas des circuits intégrés complexes, une étude détaillée du standard de mesure DPI (Direct Power injection) est d'abord proposée. Basé sur cette dernière, un nouveau prototype de chemin de couplage est réalisé. Ce multiplexeur permet de superposer un signal agresseur à un signal fonctionnel, avec un chevauchement de leurs bandes de fréquences. Ainsi, il est possible d'agresser une broche fonctionnelle (horloge par exemple) d'un circuit intégré pendant son fonctionnement. Ensuite, une procédure de mesure globale d'immunité conduite est présentée. Elle permet de caractériser la susceptibilité conduite des circuits complexes en tenant compte des différents modes de fonctionnement et avec la possibilité d'utiliser un critère d'immunité fonctionnel ou électrique. Grâce à l'application de cette procédure à deux mémoires non volatiles compatibles broche à broche (mêmes caractéristiques mais de deux différents fournisseurs), il est possible de constater l'influence des technologies de fabrication sur l'immunité conduite de ce type de circuits. Par conséquent, l'effet du changement de composant sur le comportement électromagnétique d'un système électronique devient prédictible. Enfin pour la modélisation, deux méthodologies sont proposées. Une au niveau composant et l'autre au niveau carte. La démarche de modélisation au niveau composant repose sur le standard ICIM-CI (Integrated Circuit Immunity Model-Conducted Immunity) et vise à générer un modèle d'immunité simulable et prédictif. Grâce à l'application de cette démarche dans le contexte des mémoires non volatiles, il est possible de prédire leur immunité dans le cas de modification de l'impédance d'entrée par rajout d'éléments de filtrage par exemple. En ce qui concerne la modélisation au niveau carte, une procédure basée sur la proposition de modèle EBIM-CI (Electronic Board Immunity Model-Conducted Immunity) est développée. Elle consiste à générer un modèle d'immunité d'une carte électronique en utilisant les modèles des différents composants qui la constituent. Un cas d'étude a été défini. Le modèle issu de cette approche permet de simuler l'immunité conduite globale du démonstrateur ainsi que de prédire le comportement électromagnétique de ce dernier lors du changement d'un ou plusieurs composants.
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La modélisation électromagnétique des circuits intégrés radiofréquences à partir de différentes approches unidimensionnelle, bidimensionnelle et tridimensionnelle conduit, dans ce travail, à l'analyse des facteurs limitatifs de l'isolation, entre interconnexions, entre blocs de fonctions, en présence d'empilements de couches inhomogènes enterrées, en vue de la recherche de techniques et de stratégies de réduction des niveaux de couplage. Dans le premier chapitre, une approche unidimensionnelle classique, basée sur une formulation intégrale dans le domaine spectral permet une étude détaillée des effets compétitifs des conducteurs et des différentes couches résistives, enterrées ou épitaxiées, des substrats standards sur les couplages entre connexions. Le champ d'application de l'approche intégrale est élargi aux cas de substrats incluant des diffusions localisées grâce à l'introduction dans l'opérateur intégral de conditions aux limites spatialement variables. L'effet limitatif des couches diffusées résistives sur les performances d'isolation a été mise en évidence et une solution visant à le réduire a consisté à les interrompre par des tranches profondes (ou Deep Trenches) qui ont démontré une réduction significative des niveaux de couplage quand elles sont faiblement résistives. Dans le deuxième chapitre, dans un premier temps, une approche bidimensionnelle des couplages entre blocs de circuits est développée à partir d'une formulation en ondes transverses. L'efficacité des techniques d'anneaux de garde (Guard-ring) et de plans de masse intermédiaires façonnés peut être ainsi comparée et quantifiée. L'analyse des distributions de champ aux différentes interfaces permet de fonder les stratégies de protection entre plots récepteurs et injecteurs [... ]
Author: Chen, Xi Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 234
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LA REDUCTION DE L'EMISSION PARASITE EST DEVENUE UNE CONTRAINTE MAJEURE DANS LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES. PORTANT INITIALEMENT SUR LES EQUIPEMENTS ELECTRONIQUES, LA CONTRAINTE DE COMPATIBILITE ELECTROMAGNETIQUE S'EST REPERCUTEE SUR LE COMPOSANT LUI MEME, DU FAIT DE L'EVOLUTION TECHNOLOGIQUE ET DE L'AVENEMENT DES SYSTEMES SUR PUCE. LES CIRCUITS INTEGRES DOIVENT DE CE FAIT ETRE SELECTIONNES, AINSI QUE LEURS COMPOSANTS ENVIRONNANTS, DE MANIERE A RESPECTER LES CONTRAINTES CEM DE L'EQUIPEMENT. CEPENDANT, LE COMPORTEMENT CEM DU COMPOSANT FAIT ENCORE RAREMENT PARTIE DE LA SPECIFICATION INITIALE DE CONCEPTION. DE PLUS, NI METHODOLOGIE, NI OUTILS DE SIMULATION PERFORMANTS NE SONT DISPONIBLE. NOTRE TRAVAIL DE THESE CONSISTE, D'UNE PART, A METTRE EN UVRE DES METHODES DE MESURES FIABLES POUR CARACTERISER L'EMISSION PARASITE DU COMPOSANT. CES METHODES S'APPLIQUENT AU MODE CONDUIT ET RAYONNE, SONT REPRODUCTIVES AFIN DE PERMETTRE DE COMPARER ET EVALUER DIFFERENTS PRODUITS. D'AUTRE PART, NOTRE EFFORT A PORTE SUR LA CONSTRUCTION D'UN MODELE GENERAL DU COMPOSANT AFIN DE PREDIRE L'EMISSION PARASITE DE MANIERE SIMPLE ET PRECISE DE 1 A 1000 MHZ. CETTE APPROCHE PERMET D'ANALYSER L'IMPACT DE TECHNIQUES DE REDUCTION D'EMISSION AVANT LA FABRICATION DU COMPOSANT. NOUS AVONS DECRIT DIFFERENTES TECHNIQUES DE REDUCTION DE L'EMISSION PARASITE AU NIVEAU CIRCUIT INTEGRE ET BOITIER. LE MODELE CEM PROPOSE RESPECTE LA CONFIDENTIALITE DE LA STRUCTURE ET DE LA TECHNOLOGIE, TOUT EN ETANT COMPATIBLE AVEC LES OUTILS DE SIMULATION. LE MODELE EST GENERIQUE, PERMETTANT DE S'ADAPTER A TOUS TYPES DE COMPOSANTS, DES ASIC AUX MICROPROCESSEURS, A DES FINS DE NORMALISATION DE LA DESCRIPTION CEM DES COMPOSANTS. LE TRAVAIL A ETE CONDUIT EN COOPERATION AVEC ST MICROELECTRONICS
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LES PROGRES CONSIDERABLES DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE ENTRAINENT UNE UTILISATION SANS CESSE ACCRUE DE L'ELECTRONIQUE INTEGREE, TRES RAPIDE ET CONTROLEE PAR DE FAIBLES NIVEAUX D'ENERGIE, QUI AUGMENTE LA VULNERABILITE DES SYSTEMES ELECTRONIQUES AUX COUPLAGES ET AUX AGRESSIONS ELECTROMAGNETIQUES. NOTRE CONTRIBUTION PORTE SUR L'ANALYSE PARAMETRIQUE ET LA PREDICTION DES CONSEQUENCES DES COUPLAGES ELECTROMAGNETIQUES, PAR LA MODELISATION NUMERIQUE DES CABLES, DES PISTES DE CIRCUITS IMPRIMES ET DES BOITIERS DE CIRCUITS INTEGRES. LE DEVELOPPEMENT DES MODELES NUMERIQUES S'ACCOMPAGNE D'UNE PHASE DE VALIDATION ET DE VERIFICATION. POUR L'EVALUATION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DES MODELES, NOUS MONTRONS LA COMPLEXITE ET LES LIMITATIONS DES METHODES ANALYTIQUES CLASSIQUES DES QUE LES STRUCTURES A ANALYSER DEVIENNENT PLUS COMPLEXES. NOUS PROPOSONS DES METHODOLOGIES FAISANT APPEL AUX THEORIES DE BASE (EQUATIONS DE MAXWELL, THEORIE DES LIGNES DE TRANSMISSION) ET A DES METHODES NUMERIQUES (METHODE DES MOMENTS, METHODES DES ELEMENTS FINIS) CONDUISANT A DES RESOLUTIONS DE PLUS EN PLUS FINES GRACE A UNE PUISSANCE CROISSANTE DES ORDINATEURS. UNE INVESTIGATION PARTICULIERE SUR LA MODELISATION D'UN CABLE DE HAUTES PERFORMANCES, LE TRIAXIAL, PREVU POUR FONCTIONNER DANS UN ENVIRONNEMENT SPATIAL TRES PERTURBE, EST EFFECTUEE, SOULIGNANT LE ROLE ESSENTIEL DES DEUX IMPEDANCES DE TRANSFERT INTRINSEQUES VIS-A-VIS D'UN COUPLAGE PAR CHAMP ELECTROMAGNETIQUE. UNE CAMPAGNE DE SIMULATIONS EST ENSUITE EFFECTUEE AFIN DE VERIFIER LE MODELE. LE MODELE DEVELOPPE EST INTEGRE DANS L'ENVIRONNEMENT DE TRAVAIL TDAS-EMC#* AFIN DE PERMETTRE LA PREDICTION PAR SIMULATION DU COMPORTEMENT EN ENVIRONNEMENT SPATIAL D'UN SYSTEME COMPLEXE TEL QUE LE BUS DE DONNEES DE COLUMBUS#*#*, ILLUSTRANT AINSI L'INTERET PRECIEUX DE LA MODELISATION. LA MODELISATION DES BOITIERS DES CIRCUITS INTEGRES#*#*#* EST NECESSAIRE AFIN D'EFFECTUER DES ANALYSES PAR SIMULATION SPICE DE LEURS INFLUENCES SUR LA GENERATION DES PARASITES. ENSUITE DES SIMULATIONS BASEES SUR LA CONNEXION DES PUCES ET DES BOITIERS SUR LES CIRCUITS IMPRIMES MONO OU MULTICOUCHES SONT EFFECTUEES AFIN DE PREDIRE LE COMPORTEMENT DES MICRO-SYSTEMES ELECTRONIQUES HAUTES PERFORMANCES D'AUJOURD'HUI. #* TEST-DATA ANALYSIS SYSTEM FOR ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY (EMC): ENVIRONNEMENT LOGICIEL DEVELOPPE PAR MATRA MARCONI SPACE (MMS) DIVISION MODELISATION MATHEMATIQUE ET OUTILS SYSTEMES DANS LE CADRE D'UNE ETUDE DE RECHERCHE ET DE DEVELOPPEMENT DE L'AGENCE SPATIALE EUROPEENNE (ESA) #*#* PROGRAMME EUROPEEN DE L'ESA DEDIE AU DEVELOPPEMENT DE LA STATION SPATIALE EUROPEENNE #*#*#* EFFECTUE A MMS DANS LE CADRE DU PROJET EUROPEEN JESSI-AC5 (JOINT EUROPEAN SUBMICRON SILICON INITIATIVE FOR EMC)
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LES PROGRES EN INTEGRATION MICRO-ELECTRONIQUE PERMETTENT LA REALISATION SUR UNE MEME PUCE DE SYSTEMES COMPLETS, ALLIANT LES CIRCUITS DIGITAUX DE TRES GRANDE VITESSE TELS QUE LES MICROPROCESSEURS, ET LES CIRCUITS ANALOGIQUES HAUTES PERFORMANCES. CES NOUVEAUX SYSTEMES INTEGRES EN TECHNOLOGIES SUBMICRONIQUES ONT VU L'APPARITION DE PHENOMENES PARASITES. CE TRAVAIL DE THESE, SE SITUE EN RELATION AVEC LA NOUVELLE NORME CEE DU 1#E#R JANVIER 1996, CONCERNANT LA PRISE EN COMPTE DE LA COMPATIBILITE ELECTROMAGNETIQUE DES SYSTEMES ELECTRONIQUES. L'APPROCHE THEORIQUE CONCERNE LA MODELISATION DES INTERCONNEXIONS ET DU PHENOMENE DE DIAPHONIE, POUR LES ELEMENTS CONSTITUANT LE SYSTEME, CIRCUIT INTEGRE, BOITIER D'ENCAPSULATION ET SUBSTRAT MULTI-CHIP MODULE. UNE RESOLUTION NUMERIQUE DE L'EQUATION DE LAPLACE PAR LA METHODE DES ELEMENTS FINIS PERMET L'EXTRACTION, DEPUIS UNE GEOMETRIE DE CONDUCTEURS DONNEE, DES ELEMENTS CAPACITIFS ET INDUCTIFS DES CONDUCTEURS. L'IMPLANTATION DE CES ALGORITHMES A PERMIS LA REALISATION D'UN LOGICIEL, BAPTISE CAPITOOL, QUI EST UTILISE DANS LE MILIEU INDUSTRIEL PAR CERTAINS FONDEURS. LA RESOLUTION ANALYTIQUE DANS LE DOMAINE TEMPOREL, DU BRUIT ELECTROMAGNETIQUE INDUIT EN MODE CONDUIT, A ETE INTEGREE DANS UN ENVIRONNEMENT CAO, QUI PERMET LA PREDICTION DES ZONES COUPLEES SUR UN DESSIN DE CIRCUIT INTEGRE. A PARTIR DU DEVELOPPEMENT DE NOTRE ATELIER LOGICIEL, UN ENSEMBLE DE SIMULATIONS PERMETTENT DE CLASSIFIER LA SUSCEPTIBILITE DES INTERCONNEXIONS, AFIN D'EDITER POUR LES CONCEPTEURS, DES REGLES DE DESSIN. L'APPROCHE EXPERIMENTALE VIENT ENSUITE VALIDER, PAR UNE METHODOLOGIE SPECIFIQUE DE TEST, LES MODELES PROPOSES. UN NOUVEAU CAPTEUR IMPLANTE SUR SILICIUM EST PRESENTE, AVEC UNE EVOLUTION VERS LA MESURE DE BRUIT EXTERNE. CE SYSTEME EST AUJOURD'HUI UTILISE DANS LE MILIEU INDUSTRIEL, POUR CARACTERISER LES NOUVELLES TECHNOLOGIES
Author: Ali Alaeldine
Author: Ali Alaeldine
Author: Jean-baptiste Gros
Author: Amadou cissé Ndoye
Author: Ala Ayed
Author: Mikaël Deobarro
Author: Mohamed Amellal
Author: Sidina Wane
Author: Chen, Xi
Author: Andriamanantsoa Ratsimandresy
Author: Jean-Yves Fourniols