Author: Jean-Michel DumasPublisher:
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Languages : fr
Pages : 354
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Contribution à l'étude des mécanismes de dégradation du transistor à effet de champ sur arséniure de galium
Author: Jean-Michel DumasApplications Des Transistors a Effet de Champ en Arseniure de Gallium
Author: R. SoaresCONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A L'ARSENIURE DE GALLIUM A GRILLE SCHOTTKY
Author: Chérifa Azizi (auteur d'une thèse en sciences).)Publisher:
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Languages : fr
Pages : 181
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ANALYSE DES PARAMETRES FONDAMENTAUX REGISSANT LE COMPORTEMENT STATIQUE. ETUDE DU COMPORTEMENT EXPERIMENTAL EN ZONE OHMIQUE ET EN ZONE SATUREE. MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE DE RELAXATION TRES BASSE FREQUENCE QUI AFFECTE NOTABLEMENT LA VALEUR DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE. ETUDE DU COMPORTEMENT DU COMPOSANT EN TOUTES FREQUENCES. DETERMINATION THEORIQUE AU MOYEN DE L'INTEGRATION DES EQUATIONS DE TRANSPORT EN REGIME DYNAMIQUE DES ELEMENTS DE LA MATRICE ADMITTANCE ASSOCIES A LA ZONE ACTIVE DU CANAL DE CONDUCTION.
AMELIORATION DES PERFORMANCES DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM PAR L'OPTIMISATION DE LEURS ZONES D'ACCES
Author: FRANCOIS.. MURGADELLAPublisher:
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Languages : fr
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L'OBJET DE CETTE ETUDE EST L'OPTIMISATION DE LA GEOMETRIE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A GRILLE SCHOTTKY (MESFET), POUR UNE AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE EN CLASSE A. NOTRE OBJECTIF INITIAL, SOIT UNE PUISSANCE DE SORTIE DE 0,5 W/MM A 18 GHZ AVEC UN GAIN ASSOCIE SUPERIEUR A 10 DB, A ETE ATTEINT EN PROPOSANT UNE STRUCTURE DE GRILLE ENTERREE A ZONES D'ACCES SOURCE ET DRAIN DIFFERENCIEES. LA DEMARCHE QUI NOUS A CONDUIT A CE RESULTAT, CONSISTE, D'UNE PART A RECHERCHER LE MEILLEUR COMPROMIS POSSIBLE ENTRE UN COURANT DRAIN SOURCE MAXIMAL DISPONIBLE ELEVE, ET UNE FORTE TENSION DE CLAQUAGE GRILLE-DRAIN, ET D'AUTRE PART A MINIMISER LES ELEMENTS PARASITES AU DISPOSITIF INTRINSEQUE, AFIN D'OBTENIR UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION ELEVEE. AFIN DE DETERMINER LA CONTRIBUTION DES ELEMENTS EXTRINSEQUES (RESISTANCES ET CAPACITES), NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE DIFFERENTES STRUCTURES DE GRILLE ENTERREES SYMETRIQUES, EN BASANT NOTRE APPROCHE SUR LA DETERMINATION DE LA GEOMETRIE DE LA ZONE ACTIVE DE TRANSISTORS EFFECTIVEMENT REALISES, A L'AIDE D'UNE MICROSECTION TRANSVERSALE DE CEUX-CI. NOUS AVONS ALORS DETERMINE LES ELEMENTS DU SCHEMA PETIT SIGNAL DU TRANSISTOR INTRINSEQUE A L'AIDE D'UNE SIMULATION PARTICULAIRE MONTE-CARLO, PUIS LES ELEMENTS EXTRINSEQUES A L'AIDE DE CALCULS ALGORITHMIQUES. CES RESULTATS ONT ALORS ETE COMPARES AUX RESULTATS DE MESURES HYPERFREQUENCES. CETTE ETUDE NOUS A PERMIS DE DETERMINER UN OPTIMUM POUR UNE TOPOLOGIE SYMETRIQUE (0,5 W/MM AVEC UN GAIN DE 10 DB). AFIN D'AMELIORER CES PERFORMANCES, UNE STRUCTURE DISSYMETRIQUE ETAIT ALORS NECESSAIRE. LA TECHNOLOGIE A DOUBLE USINAGE DISSYMETRIQUE PROPOSEE NOUS PERMET D'OBTENIR UNE TENSION DE CLAQUAGE GRILLE-DRAIN ELEVEE (>30 V), AINSI QU'UN RENDEMENT AJOUTE PRES DE DEUX FOIS SUPERIEUR A CELUI DES MESFET A SIMPLE USINAGE SYMETRIQUE (42% CONTRE 26%). CETTE TOPOLOGIE PARAIT EGALEMENT PARTICULIEREMENT ADAPTEE A L'AMELIORATION DU RAPPORT D'ASPECT DES DISPOSITIFS, ET A UNE UTILISATION DANS UNE CHAINE D'AMPLIFICATION INTEGREE
Conditions optimales de fonctionnement pour la fiabilité des transistors à effet de champ micro-ondes de puissance
Author: Jean-Luc MuraroPublisher:
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Languages : fr
Pages : 194
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CE MEMOIRE DE THESE TRAITE DE LA FIABILITE DES CIRCUITS INTEGRES MONOLITHIQUES EN ARSENIURE DE GALLIUM POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE MICRO-ONDES A BORD DES SATELLITES DE TELECOMMUNICATIONS ET D'OBSERVATION. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE DETERMINER DES REGLES DE REDUCTION DES CONTRAINTES (EN TERMES DE TEMPERATURE, COURANT, TENSION, PUISSANCE) APPLIQUEES AUX CIRCUITS MICRO-ONDES. LA PREMIERE PARTIE ENONCE LES NOTIONS FONDAMENTALES DE LA FIABILITE DES COMPOSANTS EN ARSENIURE DE GALLIUM SUIVIS D'UNE SYNTHESE DES PRINCIPAUX MECANISMES DE DEFAILLANCES DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM. LE SECOND CHAPITRE PROPOSE UNE METHODOLOGIE PERMETTANT L'EVALUATION DE LA FIABILITE DES CIRCUITS INTEGRES A SEMI CONDUCTEUR BASEE SUR LA DEFINITION DES VEHICULES DE TEST ET SUR LA MISE EN UVRE D'ESSAIS DE FIABILITE APPROPRIES. A PARTIR DES RESULTATS OBTENUS LORS DES ESSAIS DE STOCKAGE A HAUTE TEMPERATURE ET DE VIEILLISSEMENT SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUES STATIQUES, LA FIABILITE DE LA TECHNOLOGIE EST EVALUEE. CETTE PARTIE FAIT L'OBJET DU TROISIEME CHAPITRE. NOUS VALIDONS DANS LE QUATRIEME CHAPITRE L'APPLICATION CONSIDEREE (L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE EN BANDE X) AU TRAVERS D'ESSAIS DE VIEILLISSEMENT SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUES DYNAMIQUES. LE MECANISME DE DEGRADATION ACTIVE LORS DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN AMPLIFICATION DE PUISSANCE EST DU A LA MULTIPLICATION DES PORTEURS PAR IONISATION PAR IMPACT. A PARTIR DE CETTE ANALYSE, UNE METHODOLOGIE ALLIANT LA SIMULATION ELECTRIQUE NON-LINEAIRE AVEC DES ESSAIS DE VIEILLISSEMENT ACCELERE DE COURTE DUREE EST DEGAGEE. CETTE METHODOLOGIE PERMET D'EVALUER LA FIABILITE DES TRANSISTORS DE PUISSANCE EN ARSENIURE DE GALLIUM DES LE STADE DE LA CONCEPTION DES EQUIPEMENTS
Mécanismes physiques dus a l'interface diélectrique semiconducteur dans le fonctionnement des transistors a effet de champ sur arséniure de gallium
Author: Daniel BenarrochePublisher:
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Languages : fr
Pages : 254
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Description du fonctionnement du transistor MESFET et panorama des effets parasites. L'analyse expérimentale des phénomènes électriques est faite par la mise en oeuvre d'un système automatise. Celui-ci nous donne les moyens d'une caractérisation tant statique (trace des réseaux I (DS), V (DS), courant de fuite de grille), que dynamique (analyse spectroscopique des transitoires de courant et détermination des taux d'émission par la méthode I.T.S. Isothermal Transient Spectroscopy). Les éléments déduits de cette analyse, nous fournissent les bases de la modélisation et de l'interprétation des mécanismes a l'origine des effets parasites des transistors a effet de champ
Contribution à la modélisation des transistors haute fréquence
Author: Thomas ZimmerPublisher:
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Languages : fr
Pages : 316
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UNE ETUDE SUR LA MODELISATION DES TRANSISTORS HAUTE FREQUENCE EST PRESENTEE. LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP SUR ARSENIURE DE GALLIUM (GAAS-FET) EST SIMULE PAR LE MODELE DE STATZ, CELUI DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PAR LE MODELE GUMMEL-POON. DES NOUVELLES PROCEDURES SUR L'EXTRACTION DES PARAMETRES CRITIQUES SONT PROPOSEES AINSI QUE DES STRATEGIES D'OPTIMISATION DES PARAMETRES. ENFIN, UN MODELE PHYSIQUE ET ANALYTIQUE, DECRIVANT L'EFFET DE COUDE DANS LES GAAS-FET A ETE DEVELOPPE
Nouveau modèle analytique du transistor à effet de champ à grille métallique sur Arséniure de Gallium en régime de saturation
Author: Pierre PouvilPublisher:
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Languages : fr
Pages : 446
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SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT AUX FREQUENCES INFERIEURES A 1 GHZ. MODELE BASE SUR L'APPROXIMATION QUADRATIQUE DE LA FORME DE LA ZONE DEPEUPLEE SOUS LA GRILLE EN REGIME SATURE. VALIDATION DU MODELE PAR COMPARAISON ENTRE SIMULATION ET EXPERIENCES. VARIATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE, LE TRANSISTOR ETANT SOUMIS A UN FLUX LUMINEUX DONT L'ENERGIE EST SUPERIEURE A LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MESFET ILLUSTRE PAR LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR ET D'UN OSCILLATEUR A COMMANDE OPTIQUE
Etude de l'influence du mécanisme d'ionisation par impact sur les performances et la fiabilité des transistors à effet de champ sur substrat III-V
Author: Benoît LambertPublisher:
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Languages : fr
Pages : 259
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Ces travaux présentent une étude sur le mécanisme d'ionisation par impact se produisant dans les transistors à effet de champ de puissance sur substrat GaAs. Ce mécanisme est un effet parasite des FETs et consiste en la création de paires électrons/trous dans le canal induit par les électrons fortement accélérés par 1e champ électrique. Cette étude porte sur quatre technologies de FETs (MESFET DCFET, PHEMT et PHEMT de puissance). L'influence du mécanisme d'ionisation, par impact sur les performances électriques statiques des dispositifs a été évalué, notamment sur les caractéristiques de grille, de transfert et sur les lieux de claquage mesurés à l'aide d'une technique d'injection de courant. Le banc de mesure du bruit aux basses fréquences associé au courant de grille développé durant cette thèse, est décrit dans la deuxième partie. La caractérisation du bruit de grille des FETs en régime d'ionisation par impact a permis de modéliser le bruit en 1/f comme étant proportionnel au taux d'ionisation au carré. De plus, l'analyse du bruit en courant des contacts Schottky s'est révélée efficace pour la détection des dégradations localisées aux interfaces passivation/semiconducteur et passivation/métallisation. La dernière partie de ce document présente une étude de fiabilité menée sur les technologies MESFET, PHEMT et PHEMT de puissance ayant subies des vieillissements sous polarisations statiques associés ou non à un fonctionnernent dynamique en régime de compression du gain. Il apparaît que le mécanisme d'ionisation par impact associé au champ électrique est un mécanisme de dégradation présentant des modes de dégradation qui dépendent de la technologie.
Author: Abdenabi Belhadj