Author: Jacques C. Védrine
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 92
Book Description
Contribution à l'étude des défauts paramagnétiques de la silice-alumine formés lors de l'irradiation par les rayons γ
Contribution à l'étude des défauts paramagnétiques de la silice-alumine formés lors de l'irradiation par les rayons [gamma]
Contribution à l'étude des défauts paramagnétiques formés par irradiation-α d'une zéolite de type Y
Contribution à l'étude des défauts paramagnétiques formés par irradiation γ d'une zéolite de type Y
Contribution à l'étude des défauts paramagnétiques formés par irradiation [gamma] d'une zéolithe de type Y
Contribution à l'étude des défauts paramagnétiques formés par irradiation d'une zéolite de type-Y
ETUDE PAR RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE DES DEFAUTS FORMES DANS LA SILICE PAR LES IONS DE GRANDE ENERGIE
Author: Eric Dooryhee
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 200
Book Description
L'ETUDE PAR RPE MONTRE QUE LES IONS DE GRANDE ENERGIE FORMENT DANS LA SILICE DES LACUNES (CENTRES E') ET DES INTERSTITIELS (RADICAUX PEROXYDES) PARAMAGNETIQUES, PAR PERTE D'ENERGIE ELECTRONIQUE. VARIATION DU TAUX DE PRODUCTION DES DEFAUTS AVEC LE NUMERO ATOMIQUE DE L'ION INCIDENT. AUGMENTATION DE LA PROPORTION DES RADICAUX AVEC LE POUVOIR D'ARRET. CONVERSION DES CENTRES E' VERS LES RADICAUX AVEC L'AUGMENTATION DE LA FLUENCE AU-DELA DU SEUIL DE RECOUVREMENT. DES EXPERIENCES D'ABSORPTION OPTIQUE MONTRENT QUE LES IONS FORMENT EGALEMENT DES LACUNES D'OXYGENE DIAMAGNETIQUES
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 200
Book Description
L'ETUDE PAR RPE MONTRE QUE LES IONS DE GRANDE ENERGIE FORMENT DANS LA SILICE DES LACUNES (CENTRES E') ET DES INTERSTITIELS (RADICAUX PEROXYDES) PARAMAGNETIQUES, PAR PERTE D'ENERGIE ELECTRONIQUE. VARIATION DU TAUX DE PRODUCTION DES DEFAUTS AVEC LE NUMERO ATOMIQUE DE L'ION INCIDENT. AUGMENTATION DE LA PROPORTION DES RADICAUX AVEC LE POUVOIR D'ARRET. CONVERSION DES CENTRES E' VERS LES RADICAUX AVEC L'AUGMENTATION DE LA FLUENCE AU-DELA DU SEUIL DE RECOUVREMENT. DES EXPERIENCES D'ABSORPTION OPTIQUE MONTRENT QUE LES IONS FORMENT EGALEMENT DES LACUNES D'OXYGENE DIAMAGNETIQUES
Contribution à l'étude des défauts introduits par irradiation dans le silicium
Contribution à l'étude des défauts créés par irradiation électronique dans des alliages semiconducteurs silicium-germanium de type N et P
Author: Jean-Jacques Goubet
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 623
Book Description
Le but de cette etude est de caracteriser les defauts crees par irradiation electronique dans des couches epitaxiees d'alliage silicium-germanium de type n et p. Apres une analyse des donnees rapportees dans la litterature concernant les defauts profonds ponctuels et etendus dans le silicium (si), le germanium (ge) et l'alliage silicium-germanium (sige), les techniques de mesure sont presentees avec un examen particulier des effets parasites rencontres qui necessitent une modification des modeles classiques d'interpretation des mesures experimentales. Enfin, nous presentons les resultats obtenus pour des couches relaxees d'alliage si#0#.#7ge#0#.#3 de type n et pour des couches contraintes ou relaxees d'alliages de type p contenant de 2 a 30% de ge. A l'aide des techniques capacite-tension, c(v), et courant-tension, i(v), nous montrons que les degats d'irradiation (accroissement du courant des diodes en inverse et en direct, augmentation de la compensation du materiau) sont d'autant plus importants que le taux de ge est faible. Une determination systematique de la position des niveaux d'energie et de la section apparente de capture des defauts natifs et d'irradiation a l'aide de la spectroscopie de transitoires de capacite (deep level transient spectroscopy) d'une part, et une etude des taux d'introduction, des profils sous la surface des couches d'alliage et de la stabilite thermique des defauts d'irradiation d'autre part, nous a permis de proposer une identification pour chacun des centres observes par comparaison avec les resultats presentes dans la litterature pour les defauts dans si, ge et sige.
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 623
Book Description
Le but de cette etude est de caracteriser les defauts crees par irradiation electronique dans des couches epitaxiees d'alliage silicium-germanium de type n et p. Apres une analyse des donnees rapportees dans la litterature concernant les defauts profonds ponctuels et etendus dans le silicium (si), le germanium (ge) et l'alliage silicium-germanium (sige), les techniques de mesure sont presentees avec un examen particulier des effets parasites rencontres qui necessitent une modification des modeles classiques d'interpretation des mesures experimentales. Enfin, nous presentons les resultats obtenus pour des couches relaxees d'alliage si#0#.#7ge#0#.#3 de type n et pour des couches contraintes ou relaxees d'alliages de type p contenant de 2 a 30% de ge. A l'aide des techniques capacite-tension, c(v), et courant-tension, i(v), nous montrons que les degats d'irradiation (accroissement du courant des diodes en inverse et en direct, augmentation de la compensation du materiau) sont d'autant plus importants que le taux de ge est faible. Une determination systematique de la position des niveaux d'energie et de la section apparente de capture des defauts natifs et d'irradiation a l'aide de la spectroscopie de transitoires de capacite (deep level transient spectroscopy) d'une part, et une etude des taux d'introduction, des profils sous la surface des couches d'alliage et de la stabilite thermique des defauts d'irradiation d'autre part, nous a permis de proposer une identification pour chacun des centres observes par comparaison avec les resultats presentes dans la litterature pour les defauts dans si, ge et sige.
Caractérisation des défauts ponctuels induits par l'irradiation dans les céramiques
Author: Chrystelle Dalmasso
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 201
Book Description
Ce travail concerne la caractérisation des dommages d’irradiation induits dans trois céramiques oxydes susceptibles d’être utilisées comme matrice inerte pour cible de transmutation: α-Al2O3, MgO et MgAl2O4. Pour simuler l’impact des fragments de fission, les échantillons ont été irradiés avec des ions lourds de quelques centaines de MeV. L’endommagement créé a été analysé par thermoluminescence (TL), absorption optique, fluorescence, résonance paramagnétique électronique (RPE) et diffraction des rayons X (DRX) à faible incidence. L’irradiation induit la formation d’agrégats de lacunes anioniques à partir de lacunes isolées présentes initialement ou créées lors des cascades de déplacements ; les défauts induits dans MgAl2O4 sont également liés au désordre cationique. La diminution de l’intensité de TL observée suite à l’irradiation est corrélée à l’augmentation de l’absorption optique des matériaux mais aussi à la diffusion des défauts ponctuels vers les joints de grains et aux agrégats de défauts créés par les ions lourds. Les mesures de DRX montrent que MgAl2O4 présente une phase amorphe alors que α-Al2O3 et MgO restent cristallins même à haute fluence (2,0.1014 ions/cm2). L’étude de différents paramètres d’irradiation indique que le pouvoir d’arrêt joue un rôle fondamental dans l’endommagement et que les défauts ponctuels sur le réseau anionique sont créés lors des collisions nucléaires. En outre, l’irradiation à haute température induit une coalescence des défauts isolés aboutissant à la formation d’agrégats de défauts. Enfin, les expériences de recuit mettent en évidence l’existence d’une température critique de 500 °C pour la guérison des défauts induits observés.
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 201
Book Description
Ce travail concerne la caractérisation des dommages d’irradiation induits dans trois céramiques oxydes susceptibles d’être utilisées comme matrice inerte pour cible de transmutation: α-Al2O3, MgO et MgAl2O4. Pour simuler l’impact des fragments de fission, les échantillons ont été irradiés avec des ions lourds de quelques centaines de MeV. L’endommagement créé a été analysé par thermoluminescence (TL), absorption optique, fluorescence, résonance paramagnétique électronique (RPE) et diffraction des rayons X (DRX) à faible incidence. L’irradiation induit la formation d’agrégats de lacunes anioniques à partir de lacunes isolées présentes initialement ou créées lors des cascades de déplacements ; les défauts induits dans MgAl2O4 sont également liés au désordre cationique. La diminution de l’intensité de TL observée suite à l’irradiation est corrélée à l’augmentation de l’absorption optique des matériaux mais aussi à la diffusion des défauts ponctuels vers les joints de grains et aux agrégats de défauts créés par les ions lourds. Les mesures de DRX montrent que MgAl2O4 présente une phase amorphe alors que α-Al2O3 et MgO restent cristallins même à haute fluence (2,0.1014 ions/cm2). L’étude de différents paramètres d’irradiation indique que le pouvoir d’arrêt joue un rôle fondamental dans l’endommagement et que les défauts ponctuels sur le réseau anionique sont créés lors des collisions nucléaires. En outre, l’irradiation à haute température induit une coalescence des défauts isolés aboutissant à la formation d’agrégats de défauts. Enfin, les expériences de recuit mettent en évidence l’existence d’une température critique de 500 °C pour la guérison des défauts induits observés.